一种工频低压大电流整流装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于同步整流技术领域，具体涉及一种工频低压大电流整流装置。
【背景技术】
[0002]在传统的交流整流滤波电路中，一般采用二极管或者可控硅作为整流器件，但是其压降损耗是很大的，二极管整流压降一般都在0.7-0.8V，可控硅整流器件的压降更在IV以上。例如一个12V100A的工频(50/60HZ)整流滤波电路中，采用全波整流时二极管的损耗就达到0.7V*100A = 70W以上。如果采用MOS管作为同步整流器件，可以选用4只4MR的MOS管作为同步整流器件，其损耗只有100A*100A*0.004/4 = 1ff0其优越性是不言而喻的，可以提升效率减少发热。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种工频低压大电流整流装置，解决了现有技术中存在的整流滤波电路损耗高、发热量大的问题。
[0004]本实用新型所采用的技术方案是，一种工频低压大电流整流装置，包括工频降压变压器，工频降压变压器的次级端子与MOS管的漏极连接，MOS管的源极与滤波电容的负极连接并且接地，滤波电容的正极与直流输出电源的正极和工频降压变压器连接，直流输出电源的负极与滤波电容的负极连接，MOS管的栅极与同步整流控制单元的发射极连接；
[0005]其中工频降压变压器还与交流输入电源连接；
[0006]其中同步整流控制单元内设置有比较器。
[0007]本实用新型的特点还在于，
[0008]其中同步整流控制单元的发射极由2个并联的三极管的发射极组成，且2个三极管的基极连接在第一电阻和第一电容器之间，且2个三极管的基极与比较器连接，比较器的正极与直流电源的正极连接，比较器的正极还与串联的第二电阻和第三电阻连接，比较器的负极与第一电容器连接且接地，比较器的负极还与串联的第四电阻和第五电阻连接，其中串联的第二电阻和第三电阻与串联的第四电阻和第五电阻以及第二电容器并联且均接地。
[0009]其中MOS管为2个或2个以上，且并联连接。
[0010]其中每个MOS管对应连接一个同步整流控制单元。
[0011]其中2个或2个以上的同步整流控制单元共同并联在一个直流输出电源上。
[0012]其中直流输出电源的输出电压为12V。
[0013]其中同步整流控制单元还与工频降压变压器的次级端子连接。
[0014]本实用新型的有益效果是，使用同步控制单元控制MOS管降低了整流电流工作的压降，减少了发热量；在同步控制单元内设置有比较器，通过采用比较器比较交流电压的绝对值和滤波电容两端的电压高低决定MOS管的开关时刻，当交流电压高于滤波电容时MOS管开通，当交流电压低于滤波电容时MOS管关断。从而实现了采用MOS管功率器件作为同步整流。通过比较交流电压的绝对值是否高于滤波电容的电压决定场效应管的导通时刻实现同步整流；当并联多个MOS管时，能够更好的降低整流电路的降压以及减少发热量。
【附图说明】
[0015]图1是本实用新型一种工频低压大电流整流装置的电路连接图；
[0016]图2是本实用新型一种工频低压大电流整流装置中同步整流控制单元的电路连接图。
[0017]图中，1.同步整流控制单元；
[0018]J为输入插座；T为工频降压变压器；G为MOS管；AC为次级端子J4为12V直流输出端子；Q为三极管；R为电阻；IC为比较器，C为滤波电容。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行详细说明。
[0020]本实用新型提供了一种工频低压大电流整流装置，其结构如图1所示，包括工频降压变压器T2，工频降压变压器T2与交流输入电源J3连接，工频降压变压器T2的次级端子ACl连接MOS管Q6的漏极，工频降压变压器T2的次级端子AC2连接MOS管Q5的漏极；每个MOS管的栅极均与I个同步整流控制单元I的发射极连接；两个MOS管的源极均与滤波电容C2的负极连接并且接地；滤波电容C2的正极与直流输出电源J4的正极和工频降压变压器的次级端子连接，直流输出电源J4的输出电压为12V，且直流输出电源的负极与滤波电容C2的负极连接；当电路中设置2个以上的MOS管时相应的应该设置同样数量的同步整流控制单元I。
[0021]如图2所示，为2个同步整流控制单元I的电路连接图，其中左部分的同步整流控制单元I包括发射极，发射极由2个并联的三极管Ql和Q3的发射极连接组成，Ql的控制端连接DC12V电压，Q3的控制端接地，Ql和Q3的基极连接，并且连接在在电阻Rl和电容器C3的中间；Q1和Q3的基极还与比较器IClA连接，IClA的正极与DC12V电压连接，IClA的正极还与在串联的电阻R3和电阻R4连接；IC1A的负极接地，IClA的负极与电容器C3的另一端连接并且接地，ICIA的负极还与串联的电阻R7和电阻R8连接，且电阻R7和电阻R8分别与电容器C6和电容器C5并联且接地。当连接两个同步整流控制单元I时，IClB的正极通过串联的电阻R5和R6与电阻R3和R4连接，共用一个DCl2V电源；另外同步整流控制单元I上的电阻R7还可以通过一个电阻Rll与工频降压变压器的次级端子AC2连接。
[0022]本实用新型一种工频低压大电流整流装置的工作方式是，通过采用了比较器比较交流电压的绝对值和滤波电容两端的电压高低决定MOS管的开关时刻，当交流电压高于滤波电容时MOS管开通，当交流电压低于滤波电容时MOS管关断，从而实现了采用MOS管功率器件作为同步整流。当ACl为负半波时且运行到电压的绝对值高于滤波电容电压时R4、R8的分压会小于R3、R7的分压，比较器IClA输出高电平控制MOS管整流单元中的Q5导通，Q5导通，而Q5导通内阻极低。当AC2为负半波时且运行到电压的绝对值高于滤波电容电压时R5、R9的分压会小于R6、RlO的分压，比较器IClB输出高电平控制MOS管整流单元中的Q6导通，Q6导通，而Q6导通内阻也极低。
【主权项】
1.一种工频低压大电流整流装置，其特征在于，包括工频降压变压器，工频降压变压器的次级端子与MOS管的漏极连接，MOS管的源极与滤波电容的负极连接并且接地，滤波电容的正极与直流输出电源的正极和工频降压变压器连接，直流输出电源的负极与滤波电容的负极连接，MOS管的栅极与同步整流控制单元(I)的发射极连接； 所述工频降压变压器还与交流输入电源连接； 所述同步整流控制单元(I)内设置有比较器。2.根据权利要求1所述的一种工频低压大电流整流装置，其特征在于，所述同步整流控制单元(I)的发射极由2个并联的三极管的发射极组成，且2个三极管的基极连接在第一电阻和第一电容器之间，且2个三极管的基极与比较器连接，比较器的正极与直流电源的正极连接，比较器的正极还与串联的第二电阻和第三电阻连接，比较器的负极与第一电容器连接且接地，比较器的负极还与串联的第四电阻和第五电阻连接，其中串联的第二电阻和第三电阻与串联的第四电阻和第五电阻以及第二电容器并联且均接地。3.根据权利要求2所述的一种工频低压大电流整流装置，其特征在于，所述MOS管为2个或2个以上，且并联连接。4.根据权利要求3所述的一种工频低压大电流整流装置，其特征在于，所述每个MOS管对应连接一个同步整流控制单元(I)。5.根据权利要求4所述的一种工频低压大电流整流装置，其特征在于，所述2个或2个以上的同步整流控制单元(I)共同并联在一个直流输出电源上。6.根据权利要求1-5所述的任意一种工频低压大电流整流装置，其特征在于，所述直流输出电源的输出电压为12V。7.根据权利要求1-5所述的任意一种工频低压大电流整流装置，其特征在于，所述同步整流控制单元(I)还与工频降压变压器的次级端子连接。
【专利摘要】本实用新型公开了一种工频低压大电流整流装置，包括工频降压变压器，工频降压变压器的次级端子连接MOS管的漏极，MOS管的源极与滤波电容的负极连接并且接地，滤波电容的正极与直流输出电源的正极和工频降压变压器连接，直流输出电源的负极与滤波电容的负极连接，MOS管的栅极与同步整流控制单元的发射极连接。通过使用MOS管整流单元解决了现有技术中存在的整流滤波电路损耗高、发热量大的问题。
【IPC分类】H02M7/217
【公开号】CN204928606
【申请号】CN201520597395
【发明人】钟任生, 董超
【申请人】西安后羿半导体科技有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年8月10日