一种电压转换电路及移动电源的制作方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及电源领域，具体涉及一种电压转换电路及移动电源。
【背景技术】
[0002]随着智能手机等设备技术不断升级及功能的日益完善，续航能力成为影响用户体验的要素，在电池技术没有获得突破性进展前，移动电源扮演着非常重要的角色，其间接延长了设备的续航时间。
[0003]移动电源需通过外部电源为内部电芯充电，现有的移动电源多采用5V直流电充电，为电芯充电时需要进行降压，移动电源内部设置将外部电源电压转换为电芯电压的降压电路;移动电源向外输出电能时，也需要通过升压电路将转换为5V输出。
[0004]现有移动电源中，降压电路和升压电路是相互独立的电路，导致电路元器件多、成本高，制成的电路板体积大。
【发明内容】
[0005]本申请提供一种电压转换电路及移动电源，该电压转换电路中降压电路和升压电路共用部分元器件。
[0006]根据本申请的第一方面，提供一种电压转换电路，包括第一晶体管、第二晶体管、电感、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管及控制电路，第一晶体管的第一电极耦合至第一电容的第一极，第一晶体管的第二电极耦合至第二晶体管的第一电极，第一晶体管的控制极耦合至控制电路，第一电容的第二极耦合至第二晶体管的第二电极，第二晶体管的控制极耦合至控制电路，电感的第一极耦合至第二晶体管的第一电极，电感的第二电极耦合至第二电容的第一极，第二电容的第二极耦合至第二晶体管的第二电极，第一二极管的输入端耦合至第一晶体管的第二电极，输出端耦合至第一晶体管的第一电极，第二二极管的输入端耦合至第二晶体管的第二电极，第二二极管的输出端耦合至第二晶体管的第一电极。
[0007]在一种实施方式中，还包括第一电阻和第三电容，第一电阻和第三电容串联后接于第二晶体管的第一电极和第二电极之间。
[0008]在一种实施方式中，还包括第二电阻和第四电容，第二电阻和第四电容串联后接于第一晶体管的第一电极和第二电极之间。
[0009]作为一种实施方式，第一晶体管和第二晶体管为双极性晶体管和/或场效应晶体管。
[0010]在一种实施方式中，第一晶体管为PM0S管，第二晶体管为匪0S管，第一晶体管的源极耦合至第一电容的第一极，第一晶体管的漏极耦合至第二晶体管的漏极，第一晶体管的栅极耦合至控制电路;第二晶体管的源极耦合至第一电容的第二极，第二晶体管的栅极耦合至控制电路。
[0011]根据本申请的第二方面，本申请提供一种移动电源，包括输入接口、输出接口和电芯，还包括提申请第一方面提供的电压转换电路，输入接口经电压转换电路耦合至电芯，电压转换电路耦合至输出接口。
[0012]本申请的有益效果是:
[0013]在一种实施方式中，本申请的电压转换电路既可以做降压电路又可以做升压电路，且降压电路和升压电路共用部分元器件，减少了电路中元器件数目，降低了电路成本，同时也减小了电路板体积。
【附图说明】
[0014]图1为一种实施例中电压转换电路的电路图；
[0015]图2为本申请另一种实施例中电压转换电路的电路图。
【具体实施方式】
[0016]下面通过【具体实施方式】结合附图对本发明作进一步详细说明。
[0017]实施例一:
[0018]请参考图1，本实施例中的电压转换电路包括第一晶体管!^、第二晶体管T2、电感U、第一电容&、第二电容C2、第一二极管D1、第二二极管D2及控制电路，第一晶体管Ti的第一电极耦合至第一电容的第一极，第一晶体管?\的第二电极耦合至第二晶体管!^的第一电极，第一晶体管h的控制极耦合至控制电路，第一电容Q的第二极耦合至第二晶体管Τ2的第二电极，第二晶体管Τ2的控制极耦合至控制电路，电感U的第一极耦合至第二晶体管Τ2的第一电极，电感U的第二电极耦合至第二电容C2的第一极，第二电容C2的第二极耦合至第二晶体管!^的第二电极，第一二极管m的输入端耦合至第一晶体管Ti的第二电极，输出端耦合至第一晶体管!^的第一电极，第二二极管D2的输入端耦合至第二晶体管T2的第二电极，第二二极管出的输出端耦合至第二晶体管Τ2的第一电极。
[0019]其中，控制电路可以采用现有的芯片电路实现，如可以采用盛群半导体公司的HT45F4N、海尔公司的HR7P169或AB0V半导体公司的MC97FG316芯片等。
[0020]当用作降压电路时，输入电压h接在第一电容&两极，输出电压V2取自第二电容C2两极，控制电路控制第一晶体管Τι和第二晶体管T2的导通、截止状态，电路作为BUCK降压电路；当用作升压电路时，输入电压V2接于第二电容C2两极，输出电压h接于第一电容&两极，控制电路控制第一晶体管T1、第二晶体管T2的导通、截止状态，电路作为BOOST升压电路。[0021 ]本实施例中的晶体管，可以为双极性晶体管或场效应晶体管，但由于场效应管的导通电阻小，能降低电路损耗进而提高电路转换效率，因此优选使用场效应晶体管。在一种实施方式中，第一晶体管TiSPMOS管，第二晶体管T2*W0S管，第一晶体管Ti的源极耦合至第一电容&的第一极，第一晶体管Ti的漏极耦合至第二晶体管T2的漏极，第一晶体管Ti的栅极耦合至控制电路;第二晶体管^的源极耦合至第一电容&的第二极并接地，第二晶体管T2的栅极耦合至控制电路。
[0022]本实施例中的电压转换电路，既可以做降压电路又可以做升压电路，且降压电路和升压电路共用部分元器件，减少了电路中元器件数目，降低了电路成本，同时也减小了电路板体积。
[0023]实施例二:
[0024]请参考图2，本实施例中的电路与实施例一的不同之处在于:还包括第一电阻仏和第三电容C3，第一电阻仏和第三电容C3串联后接于第二晶体管!^的第一电极和第二电极之间；还包括第二电阻R2和第四电容C4，第二电阻他和第四电容C4串联后接于第一晶体管1^的第一电极和第二电极之间。
[0025]第一电阻仏和第三电容C3、第二电阻他和第四电容C4串联后分别构成RC滤波器，用于滤除晶体管开关时产生的高频谐波电流，降低电路电磁干扰。
[0026]实施例三:
[0027]本实施例中的移动电源，包括输入接口、输出接口、电芯，以及实施例一或者实施例二中的电压转换电路，输入接口经电压转换电路耦合至电芯，电压转换电路耦合至输出接口。
[0028]本实施例的移动电源中电压转换电路，降压电路和升压电路共用部分元器件，减少了电路中元器件数目，降低了电路成本，同时也减小了电路板体积，进而缩小了移动电源体积。
[0029]以上内容是结合具体的实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换。
【主权项】
1.一种电压转换电路，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管、电感、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管及控制电路，所述第一晶体管的第一电极耦合至所述第一电容的第一极，所述第一晶体管的第二电极耦合至所述第二晶体管的第一电极，所述第一晶体管的控制极耦合至所述控制电路，所述第一电容的第二极耦合至所述第二晶体管的第二电极，所述第二晶体管的控制极耦合至所述控制电路，所述电感的第一极耦合至所述第二晶体管的第一电极，所述电感的第二电极耦合至所述第二电容的第一极，所述第二电容的第二极耦合至所述第二晶体管的第二电极，所述第一二极管的输入端耦合至所述第一晶体管的第二电极，输出端耦合至第一晶体管的第一电极，所述第二二极管的输入端耦合至所述第二晶体管的第二电极，输出端耦合至所述第二晶体管的第一电极。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括第一电阻和第三电容，所述第一电阻和第三电容串联后接于所述第二晶体管的第一电极和第二电极之间。3.如权利要求1或2所述的电路，其特征在于，还包括第二电阻和第四电容，所述第二电阻和第四电容串联后接于所述第一晶体管的第一电极和第二电极之间。4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为双极性晶体管和/或场效应晶体管。5.如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管为PMOS管，所述第二晶体管为NMOS管，所述第一晶体管的源极耦合至所述第一电容的第一极，所述第一晶体管的漏极耦合至所述第二晶体管的漏极，所述第一晶体管的栅极耦合至所述控制电路;所述第二晶体管的源极耦合至所述第一电容的第二极，所述第二晶体管的栅极耦合至所述控制电路。6.—种移动电源，包括输入接口、输出接口和电芯，其特征在于，还包括如权利要求1 -5中任一项所述的电压转换电路，所述输入接口经所述电压转换电路耦合至所述电芯，所述电压转换电路耦合至所述输出接口。
【专利摘要】本申请公开了一种电压转换电路及移动电源，电压转换电路中第一晶体管的第一电极耦合至第一电容的第一极，第二电极耦合至第二晶体管的第一电极，控制极耦合至控制电路；第一电容的第二极耦合至第二晶体管的第二电极，第二晶体管的控制极耦合至控制电路；电感第一极耦合至第二晶体管的第一电极，第二电极耦合至第二电容的第一极，第二电容的第二极耦合至第二晶体管的第二电极，第一二极管输入端耦合至第一晶体管的第二电极，输出端耦合至第一晶体管的第一电极；第二二极管输入端耦合至第二晶体管的第二电极，输出端耦合至第二晶体管的第一电极。本申请的电压转换电路中降压电路和升压电路共用部分元器件，减少了元器件数目，降低了电路成本。
【IPC分类】H02J7/00, H02M3/07
【公开号】CN205123583
【申请号】CN201520949718
【发明人】赵武
【申请人】四川品胜电子有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年11月25日