防反灌保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电路保护技术领域，具体而言，涉及一种防反灌保护电路。
【背景技术】
[0002]防反灌保护电路常被用于防止输出端电流反灌损坏电源，现有技术中的直流输出防反灌控制电路通过一只二极管来实现防反灌，电路如图1，交流电流源通过整流桥BR1将交流电整流为直流电，整流桥BR1的直流正极和C2正极相连，直流负极和C2负极相连，利用C2进行储能和滤波。直流正极和二极管D1的正极相连，二极管D1的负极和直流输出正极相连。而直流输出负极直接和C2的负极相连。由于二极管D1只能单向流过电流，即输出电流只能从C2正极，流过D1正极，再流过D1负极，再流至直流输出正极，经过用电设备后，流至直流输出负极，形成回路。即，输出回路中串联一只二极管，就可以防止电流反灌。
[0003]然而，在输出电流较大时，二极管D1上的损耗功率较大，比如，输出5A时，假设二极管D1压降0.4V，那么二极管上D1的损失功率是5AX0.4V = 2W。导致的后果是二极管热功耗大，散热困难。如何提供一种低功耗的防反灌控制电路对于本领域的技术人员而言是急需要解决的技术问题。
【实用新型内容】
[0004]有鉴于此，本实用新型提供了一种防反灌保护电路，以改善现有技术中采用二极管实现防反灌时功耗大及散热困难的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:一种防反灌保护电路，其电性连接于一输入电路和一输出电路之间。该防反灌保护电路包括:参考电压提供电路、电压比较电路及防反灌控制电路。所述电压比较电路包括电流检测电阻。所述参考电压提供电路的输出端与所述电压比较电路的第一输入端连接。所述输入电路的负极经由所述电流检测电阻与所述输出电路负极连接，所述电流检测电阻上形成回馈电压作用于所述电压比较电路的第二输入端。所述防反灌控制电路包括一 P沟道M0SFET、第一电阻、第一稳压管及三极管。所述P沟道MOSFET的漏极与所述输入电路正极连接，所述P沟道MOSFET的源极与所述输出电路的正极连接。所述第一稳压管连接于所述P沟道MOSFET的源极与所述P沟道MOSFET的栅极之间，所述第一稳压管的正极与所述P沟道MOSFET的栅极连接，所述第一电阻与所述第一稳压管并联。所述P沟道MOSFET的栅极经由所述三极管接地，所述电压比较电路的输出端与所述三极管的基极连接。所述电压比较电路对所述参考电压及所述回馈电压进行比较，通过所述电压比较电路的输出端控制所述P沟道MOSFET工作状态，防止反灌电流从所述输出电路进入所述输入电路。
[0006]进一步地，上述防反灌保护电路中所述参考电压提供电路包括一稳压元件、第七电阻及第八电阻。所述稳压元件的经由串联连接的第七电阻及第八电阻接地，所述电压比较电路的第一输入端电性连接于第七电阻及第八电阻之间，所述稳压元件为所述电压比较电路提供所述参考电压。
[0007]进一步地，上述防反灌保护电路中所述稳压元件为一可控精密稳压源，所述参考电压提供电路还包括第五电阻。所述可控精密稳压源的阳极接地，所述可控精密稳压源的参考极与所述可控精密稳压源的阴极连接，所述可控精密稳压源的阴极经由所述第五电阻与所述输入电路连接。所述可控精密稳压源的参考极经由串联连接的第七电阻及第八电阻接地，所述电压比较电路的第一输入端电性连接于第七电阻及第八电阻之间。
[0008]进一步地，上述防反灌保护电路中所述电压比较电路还包括一电压比较器、第三电阻、第六电阻及第四电容。所述电压比较器的第一输入引脚构成所述电压比较器的第一输入端。所述电压比较器的第二输入引脚与所述第六电阻连接构成所述电压比较电路的第二输入端。所述电压比较器的输出引脚构成所述电压比较电路的输出端。所述电压比较器的输出引脚与所述第二输入引脚之间连接所述第三电阻，所述电压比较器的第二输入引脚还经由所述第六电阻和所述电流检测电阻接地，所述电压比较器的输出引脚经由所述第三电阻与所述第四电容接地。
[0009]进一步地，上述防反灌保护电路中所述防反灌控制电路还包括第二电阻、第四电阻及第三电容。所述P沟道MOSFET的栅极经由所述第二电阻与所述三极管接地，所述第四电阻一端经由所述第三电容接地，所述第四电阻的另一端与所述电压比较电路的输出端连接。所述三极管的基极连接于所述第四电阻与所述第三电容之间。
[0010]进一步地，上述防反灌保护电路中，所述三极管为NPN三极管，所述电压比较电路的第一输入端为异相输入端，所述电压比较电路第二输入端为同相输入端。
[0011]进一步地，上述防反灌保护电路中，所述三极管为PNP三极管，所述电压比较电路的第一输入端为同相输入端，所述电压比较电路第二输入端为异相输入端。进一步地，上述防反灌保护电路中所述输入电路包括交流电流源、整流电路及滤波电路，所述输出电路包括外接设备。所述交流电流源与所述整流电路连接，所述整流电路与所述滤波电路连接，所述输入电路的正极为所述整流电路的直流正极，所述输入电路的负极为所述整流电路的直流负极，所述输出电路的正极为所述外接设备的正极，所述输出电路的负极为所述外接设备的负极。
[0012]相对现有技术，一种防反灌保护电路，其电性连接于一输入电路和一输出电路之间。该防反灌保护电路包括:参考电压提供电路、电压比较电路及防反灌控制电路。所述电压比较电路包括电流检测电阻。所述参考电压提供电路的输出端与所述电压比较电路的第一输入端连接。所述输入电路的负极经由所述电流检测电阻与所述输出电路负极连接，所述电流检测电阻上形成回馈电压作用于所述电压比较电路的第二输入端。所述防反灌控制电路包括一 P沟道M0SFET、第一电阻、第一稳压管及三极管。所述P沟道MOSFET的漏极与所述输入电路正极连接，所述P沟道MOSFET的源极与所述输出电路的正极连接。所述第一稳压管连接于所述P沟道MOSFET的源极与所述P沟道MOSFET的栅极之间，所述第一稳压管的正极与所述P沟道MOSFET的栅极连接，所述第一电阻与所述第一稳压管并联。所述P沟道MOSFET的栅极经由所述三极管接地，所述电压比较电路的输出端与所述三极管的基极连接。所述电压比较电路对所述参考电压及所述回馈电压进行比较，通过所述电压比较电路的输出端控制所述P沟道MOSFET工作状态，防止反灌电流从所述输出电路进入所述输入电路。上述防反灌保护电路的能耗主要由所述P沟道MOSFET和所述电流检测电阻产生，由于所述P沟道MOSFET的寄生电阻及所述电流检测电阻阻值很小，故，在所述P沟道MOSFET的寄生电阻及所述电流检测电阻上产生的热功耗很小，相对现有技术采用二极管实现反防罐大大降低了热功耗。有效解决了现有技术中采用二极管实现反防罐时功耗大及散热困难的技术问题。
【附图说明】
[0013]为了更清楚的说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是现有