一种实用的电源电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子技术领域，具体涉及一种实现隔离的电源电路。
【背景技术】
[0002]目前工业控制领域所用的隔离电源多采用双电源，一路输入电源提供主回路，另一路通过变压器与开关电源芯片转换出低电压提供给负载回路，其目的是实现主回路的与负载回路隔离，避免主回路与负载回路耦合干扰，提高抗电磁干扰能力，但双电源的硬件电路设计增加了成本。采用非隔离的单电源虽降可以低成本，却因主回路与负载回路的电源未隔离而无法满足电磁兼容性要求。
【实用新型内容】
[0003]针对上述问题，申请人经过研究改进，现提供了一种实用的电源电路，在实现电源隔离的同时具有较低的成本。
[0004]本实用新型的技术方案如下：
[0005]—种实用的电源电路，包括以下元件：
[0006]第一电阻，其一端连接电源电压输入端，其另一端连接第二电阻一端、第一 MOSFET的栅极以及第二 MOSFET的栅极；
[0007]第二电阻，其一端连接第一电阻一端、第一 MOSFET的栅极以及第二 MOSFET的栅极，其另一端连接第一 MOSFET的源极以及第二 MOSFET的源极；
[0008]第一 M0SFET，其栅极连接第二 MOSFET的栅极、第一电阻一端以及第二电阻一端，其源极连接第二 MOSFET的源极以及第二电阻另一端，其漏极连接第一接地端；
[0009]第二 M0SFET，其栅极连接第一 MOSFET的栅极、第一电阻一端以及第二电阻一端，其源极连接第一 MOSFET的源极以及第二电阻另一端，其漏极连接第二接地端；
[0010]第一二极管，其正极连接第一MOSFET的源极，其负极连接第一 MOSFET的漏极；
[0011 ]第二二极管，其正极连接第二 MOSFET的源极，其负极连接第二 MOSFET的漏极。
[0012]本实用新型的有益技术效果是：
[0013]本实用新型提供了一种实用的电源电路，实现了单电源提供主回路与负载回路电能，以及主回路与负载回路的电源隔离。本实用新型与双电源方案相比节省了成本，与单电源不具备隔离功能的方案相比又满足了电磁兼容性要求。经测试验证，本实用新型的电路设计可以符合工业控制领域各项功能的需要。
[0014]本实用新型的优点将在下面【具体实施方式】部分的描述中给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
【附图说明】
[0015]图I是本实用新型的封装图。
[0016]图2是本实用新型的原理图。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】做进一步说明。
[0018]图I是本实用新型的封装图。请参阅图I，封装图后本实用新型电路对外有四个引脚，分别为:电源电压输入端VCC、电源电压输出端VCC，、接地端GND_1、接地端GND_2。
[0019]图2是本实用新型的原理图。请参阅图2，本实用新型的组成元件包括:两个电阻Rl和R2、两个MOSFET晶体管Ml、M2以及两个二极管Dl、D2。其中：
[0020]电阻Rl的一端与电源电压输入端VCC相连，另一端分别与电阻R2、M0SFET Ml的栅极以及MOSFET M2的栅极相连。
[0021]电阻R2的一端分别与电阻RUMOSFETMl的栅极以及MOSFET M2的栅极相连，另一端分别与MOSFET Ml的源极以及MOSFET M2的源极相连。
[0022]MOSFET Ml的栅极Gl分别与MOSFET M2栅极、电阻Rl以及电阻R2相连，源极SI分别与MOSFET M2的源极以及电阻R2的另一端相连，漏极与接地端GND_1相连。
[0023]MOSFET M2的栅极G2分别与MOSFET Ml的栅极、电阻Rl以及电阻R2相连，源极S2分别与MOSFET Ml的源极以及电阻R2的另一端相连，漏极与接地端GND_2相连。接地端6冊_2连接负载。
[0024]二极管Dl的正极与MOSFET Ml的源极相连，负极与MOSFET Ml的漏极相连。
[0025]二极管D2的正极与MOSFET M2的源极相连，负极与MOSFET M2的漏极相连。
[0026]本实用新型的工作原理如下：
[0027]如图I所示，交流电源电压VCC首先经电阻Rl、电阻R2、二极管DI至接地端GND_1形成回路I，回路I为主回路，驱动马达运转。此时电阻R2上有电压。当电阻R2上的电压足够高时，电流导到MOSFET M2的栅极G2，驱动MOSFET M2导通，形成回路2，驱动负载。由此实现GND_1和GND_2的隔离。
[0028]以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种实用的电源电路，其特征在于，包括： 第一电阻(Rl)，其一端连接电源电压输入端(VCC)，其另一端连接第二电阻(R2)—端、第一 MOSFET (Ml)的栅极以及第二 MOSFET (M2)的栅极； 第二电阻（R2)，其一端连接第一电阻（Rl)—端、第一MOSFET(Ml)的栅极以及第二M0SFET(M2)的栅极，其另一端连接第一 M0SFET(M1)的源极以及第二 M0SFET(M2)的源极；第一MOSFET(Ml)，其栅极连接第二M0SFET(M2)的栅极、第一电阻(Rl)—端以及第二电阻(R2) —端，其源极连接第二 MOSFET (M2)的源极以及第二电阻(R2)另一端，其漏极连接第一接地端(GND_1); 第二 M0SFET(M2)，其栅极连接第一 MOSFET(Ml)的栅极、第一电阻(Rl)—端以及第二电阻(R2)—端，其源极连接第一 MOSFET(Ml)的源极以及第二电阻(R2)另一端，其漏极连接第二接地端(GND_2)； 第一二极管(Dl)，其正极连接第一M0SFET(M1)的源极，其负极连接第一M0SFET(M1)的漏极； 第二二极管(D2)，其正极连接第二M0SFET(M2)的源极，其负极连接第二M0SFET(M2)的漏极。
【专利摘要】本实用新型公开了一种实用的电源电路，包括两个第一电阻、两个MOSFET以及两个二极管。本实用新型首先导通第一电阻、第二电阻以及第一二极管，形成主回路；然后通过第二电阻导通第二MOSFET，形成负载回路，实现了单电源提供主回路与负载回路电能，且主回路与负载回路电源隔离。本实用新型与双电源方案相比，节省了成本；与单电源不具备隔离功能的方案相比，满足了电磁兼容性要求。经测试，本实用新型的电路设计可以符合工业控制领域各项功能的需要。
【IPC分类】H02M1/00
【公开号】CN205160351
【申请号】CN201520966183
【发明人】陆悦
【申请人】无锡量子空间科技有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年11月27日