一种基于mos管的新型直流电机驱动控制电路的制作方法

文档序号:10423952阅读:773来源:国知局
一种基于mos管的新型直流电机驱动控制电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电机控制技术,具体地说是一种基于MOS管的直流电机驱动技术。
【背景技术】
[0002]如今,在诸如智能水表,热量表等智能仪表的阀门控制中,绝大多数设计方案都采用三极管构建的驱动电路来驱动。三极管是电流控制型元器件,若要提高驱动能力,控制器必须提供更大的基极电流,然而控制器电流输出能力一般都比较小,即便选用放大倍数较大的三极管,其驱动能力的提高也并不明显,还增加了产品成本。
【实用新型内容】
[0003]为解决三极管电路驱动能力不足的难题,本实用新型的目的是提供一种基于MOS管(即金属氧化物半导体场效应晶体管)的直流电机驱动电路,以提高驱动能力。
[0004]本实用新型采用的技术方案是:
[0005]本实用新型有4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路,通过控制4个MOSFET—M0SFET1、M0SFET2、M0SFET3、M0SFET4的导通与截止,来控制电机的正转、反转和停止:
[0006]当M0SFET1 和 M0SFET4 导通,M0SFET2 和 M0SFET3 截止时,电机正转;
[0007]当M0SFET1 和 M0SFET4 截止,M0SFET2 和 M0SFET3 导通时,电机反转;
[0008]当M0SFET3和M0SFET4都截止时,电机停止。
[0009]所述M0SFET1和M0SFET2是P沟道;M0SFET3和M0SFET4是N沟道;N型和P型MOS管组成H桥驱动电路。
[0010]该智能仪表之阀门控制电路,采用4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路,具有低静态工作电流,较宽的电源电压范围2.5V?15v,连续1500mA的电流输出能力,TTL/CM0S输出电平兼容,可直接连CPU;内置钳位二极管,适用于感性负载。
[0011 ]下面结合附图和实施例,对本实用新型做进一步说明。
【附图说明】
[0012]图1是本实施例之基于MOS管的直流电机驱动控制电路的原理图;
[0013]图2是本实施例之基于MOS管的直流电机驱动控制电路的控制逻辑图。
【具体实施方式】
[0014]实施例一种基于MOS管的直流电机驱动控制电路
[0015]图1显示了本实施例之基于MOS管的直流电机驱动控制电路的原理。
[0016]如图1所示,QlOl和Q102分别是P沟道M0SFET1和M0SFET2;Q103和Q104是N沟道M0SFET3和MOSFETLMotor是直流电机,M+是电机正极接线端子,M-是电机负极接线端子。CTR_S-和CTR_S+是电机控制端子,兼容TTL/CM0S电平;VDD是2V?15V直流电源。
[0017]当CTR_S+为高电平,CTR_S-为低电平时,MOSFETl(QlOl)和 M0SFET4(Q104)导通,M0SFET2(Q102)和M0SFET3(Q103)截止;
[0018]当CTR_S+为低电平,CTR_S-为高电平时,MOSFETl(QlOl)和 M0SFET4(Q104)截止,M0SFET2(Q102)和M0SFET3(Q103)导通;
[0019]当CTR_S+和 CTR_S-都为低电平时,M0SFET3(Q103)和 M0SFET4(Q104)都截止;
[0020]当MOSFETl(QlOl)和 M0SFET4(Q104)导通,M0SFET2(Q102)和 M0SFET3(Q103)截止时,电机正转;
[0021]当MOSFETl(QlOl)和 M0SFET4(Q104)截止,M0SFET2(Q102)和 M0SFET3(Q103)导通时,电机反转;
[0022]当M0SFET3(Q103)和 M0SFET4(Q104)都截止时,电机停止。
[0023]图2显示了本实施例之基于MOS管的小型直流电机驱动电路的控制逻辑
[0024]如图2所示,当CTR_S+为低电平,CTR_S_为高电平时,M+为低电平,M-为高电平,电机反转;
[0025 ] 当CTR_S+为高电平,CTR_S_为低电平时,M+为高电平,M-为低电平,电机正转;
[0026]当CTR_S+和CTR_S_同为高电平时,M+和M-都为低电平,电机停止转动;
[0027]当CTR_S+和CTR_S_同为低电平时,M+和M-都为高电平,电机停止转动。
【主权项】
1.一种基于MOS管的新型直流电机驱动控制电路,其特征在于:有4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路,通过控制4个M0SFET,即M0SFET1、M0SFET2、M0SFET3、M0SFET4的导通与截止,来控制电机的正转、反转和停止: 当M0SFET1和M0SFET4导通,M0SFET2和M0SFET3截止时,电机正转; 当M0SFET1和M0SFET4截止,M0SFET2和M0SFET3导通时,电机反转; 当M0SFET3和M0SFET4都截止时,电机停止; 所述M0SFET1和M0SFET2是P沟道;M0SFET3和M0SFET4是N沟道;N型和P型MOS管组成H桥驱动电路。
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于MOS管的新型直流电机驱动控制电路,由4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路组成,通过控制4个MOSFET的导通与截止,来控制电机的正转、反转和停止。该驱动电路具有低静态工作电流,宽电源电压范围2.5V~15v,具有连续1500mA的电流输出能力,TTL/CMOS输出电平兼容,可直接连CPU。内置钳位二极管,适用于感性负载。
【IPC分类】H02P7/00
【公开号】CN205336166
【申请号】CN201520616406
【发明人】宁立红
【申请人】西安仓实电子科技有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年8月17日
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