有源吸收驱动电路以及开关电源的制作方法

文档序号:10443971阅读:785来源:国知局
有源吸收驱动电路以及开关电源的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及开关电源领域,特别是涉及一种有源吸收驱动电路以及开关电源。
【背景技术】
[0002]开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源产品广泛应用于工业自动化控制、军工设备、科研设备、LED照明、工控设备、通讯设备、电力设备、电子设备等领域。
[0003]在开关电源主功率电路中,由于实际电路中的固有或寄生电感,具有维持电流方向的特性,以及开关器件(例如二极管或MOS管的体二极管)存在反向恢复特性,所以在开关器件由导通转换为不导通的关断时刻,二极管和MOS管上会产生尖峰电压。当此尖峰电压大于二极管和MOS管的耐压值时会使其损坏。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的主要目的在于,提供一种新型结构的有源吸收驱动电路以及开关电源,使其能够利用开关器件上的尖峰电压作为驱动源,驱动吸收电路吸收关断时刻开关器件上产生的尖峰电压,从而更加适于实用。
[0005]本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种有源吸收驱动电路,其包括:
[0006]开关器件;
[0007]有源吸收电路,所述有源吸收电路包括第一电容和P型MOS管,所述有源吸收电路与所述开关器件并联;
[0008]有源驱动电路,所述有源驱动电路包括驱动信号采集电路、驱动信号反相电路、驱动信号增强电路、驱动电压负向平移电路;
[0009]所述有源驱动电路与所述有源吸收电路连接,用于采集开关器件上的电压信号,并驱动所述P型MOS管的通断,当开关器件关断产生尖峰电压时,所述有源驱动电路驱动所述有源吸收电路中的P型MOS管开通,所述第一电容吸收所述尖峰电压。
[0010]本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
[0011]优选的,前述的有源吸收驱动电路,其中所述的驱动信号采集电路的第一端与所述开关器件的高电位端连接,所述驱动信号采集电路的第二端与所述驱动信号反相电路的第一端连接,所述驱动信号反相电路第二端与所述驱动信号增强电路第一端连接,所述驱动信号反相电路第三端与所述开关器件低电位端连接,所述驱动信号增强电路的第二端与所述驱动电压负向平移电路第一端连接,所述驱动信号增强电路的第三端与所述P型MOS管的S极连接,所述驱动电压负向平移电路第二端与所述P型MOS管的G极连接,所述驱动电压负向平移电路第三端与所述P型MOS管的S极连接。
[0012]优选的,前述的有源吸收驱动电路,其中所述的开关器件为二极管或MOS管。
[0013]优选的,前述的有源吸收驱动电路,其中所述的第一电容的第一端与所述开关器件的高电位端连接,所述第一电容的第二端与所述P型MOS管的D极连接,所述P型MOS管的S极与所述开关器件的低电位端连接。
[0014]优选的,前述的有源吸收驱动电路,其中所述的驱动信号采集电路包括第二电容,所述第二电容第一端为所述驱动信号采集电路第一端,所述第二电容的第二端为所述驱动?目号米集电路第二端。
[0015]优选的,前述的有源吸收驱动电路,其中所述的驱动信号反相电路包括第一NPN型三极管、第一二极管;
[0016]所述第一二极管的正极与所述第一NPN型三极管的E极连接,所述第一二极管的负极与所述第一 NPN型三极管的B极连接,所述第一 NPN型三极管的E极为所述驱动信号反相电路第三端,所述第一 NPN型三极管B极为所述驱动信号反相电路第一端,所述第一 NPN型三极管C极为所述驱动信号反相电路第二端。
[0017]优选的,前述的有源吸收驱动电路,其中所述驱动信号反相电路包括第一NPN型三极管、第三电阻;
[0018]所述第三电阻的一端与所述第一NPN型三极管的E极连接,所述第三电阻的另一端与所述第一 NPN型三极管的B极连接,所述第一 NPN型三极管的E极为所述驱动信号反相电路第三端,所述第一 NPN型三极管B极为所述驱动信号反相电路第一端,所述第一 NPN型三极管C极为所述驱动信号反相电路第二端。
[0019]优选的,前述的有源吸收驱动电路,其中所述的驱动信号增强电路包括第二NPN型三极管、第一 PNP型三极管、第一电阻以及直流电源;
[0020]所述第一电阻的一端与所述第二 NPN型三极管的B极以及第一 PNP型三极管的B极连接,作为所述驱动信号增强电路的第一端,第二 NPN型三极管的C极、第一电阻的另一端共同连接于所述直流电源上,所述第二 NPN型三极管的E极与所述第一 PNP型三极管的E极连接,作为所述驱动信号增强电路的第二端,所述第一 PNP型三极管的C极为所述驱动信号增强电路的第三端;
[0021]所述直流电源用于给所述有源驱动电路供电。
[0022]优选的,前述的有源吸收驱动电路,其中所述的驱动电压负向平移电路包括:第三电容、第二二极管、第二电阻;
[0023]所述第三电容第一端为所述驱动电压负向平移电路第一端,所述第三电容第二端、第二二极管正极、第二电阻一端连接在一起,作为所述驱动电压负向平移电路第二端,所述第二二极管的负极与所述第二电阻另一端连接,作为所述驱动电压负向平移电路第三端。
[0024]本实用新型的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本实用新型提出的一种开关电源,其包括:
[0025]有源吸收驱动电路;
[0026]所述有源吸收驱动电路包括:
[0027]开关器件;
[0028]有源吸收电路,所述有源吸收电路包括第一电容和P型MOS管,所述有源吸收电路与所述开关器件并联;
[0029]有源驱动电路,所述有源驱动电路包括驱动信号采集电路、驱动信号反相电路、驱动信号增强电路、驱动电压负向平移电路;
[0030]所述有源驱动电路与所述有源吸收电路连接,用于采集开关器件上的电压信号,并驱动所述P型MOS管的通断,当开关器件关断产生尖峰电压时,所述有源驱动电路驱动所述有源吸收电路中的P型MOS管开通,所述第一电容吸收所述尖峰电压。
[0031]借由上述技术方案,本实用新型有源吸收驱动电路至少具有下列优点:
[0032]本实用新型技术方案中,设置有有源驱动电路,有源驱动电路利用开关器件的尖峰电压作为驱动源,同时有源吸收电路并联在开关器件上,有源驱动电路与有源吸收电路连接,有源驱动电路通过采集开关器件的电压信号,来驱动有源吸收电路的P型MOS管通断,当开关器件关断产生尖峰电压时,有源驱动电路驱动有源吸收电路中的P型MOS管导通,使有源吸收电路与开关器件连通形成一个回路,通过第一电容将开关器件上尖峰电压吸收,防止了尖峰电压对开关器件的损伤。
[0033]上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
【附图说明】
[0034]图1是本实用新型的实施例一提供的一种有源吸收驱动电路的电路图;
[0035]图2是本实用新型的实施例一提供的一种有源吸收驱动电路的时序图。
【具体实施方式】
[0036]为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本实用新型提出的有源吸收驱动电路以及开关电源其【具体实施方式】、结构、特征及其功效,详细说明如后。在下述说明中,不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外,一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。
[0037]实施例一
[0038]如图
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