一种基于led外置电源的高效防反接电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于LED外置电源的高效防反接电路，包括由MOS管组成的整流桥和所述MOS管的保护电路，所述保护电路连接所述MOS管，所述整流桥的输入端连接外置电源，所述整流桥的输出端连接LED；该电路采用低功耗的MOS管作为整流桥的开关器件，同时引入保障MOS管的正常工作的保护电路；本实用新型可以有效防止LED灯管因反接烧毁的问题，电路稳定可靠，功耗低，提高了电源的效率和LED的光效。
【专利说明】
一种基于LED外置电源的高效防反接电路
技术领域
[0001]本实用新型涉及防反接电路领域，尤其涉及一种基于LED外置电源的高效防反接电路。
【背景技术】
[0002]伴随着LED照明行业的兴起，各式各样参差不齐的LED照明工具不断出现，然而只有绿色、节能、环保、高效的LED灯才是符合社会可持续发展。目前，市场上几乎所有的LED灯的电源都是采用内置式，与内置电源相比，外置电源不仅效率高、寿命长，而且可以增加手动调光或者自动调光等功能，备受客户喜爱。然而，外置电源存在反接时烧毁灯管的问题，需要一些外加电路来防止的电源反接，常用的防反接电路一般采用整流桥、二极管等高损耗器件，这些元器件都有一个很致命的缺陷一一严重损失电源效率，LED光效严重丢失，造成电能和光能的白白浪费。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提出一种基于LED外置电源的高效防反接电路，该电路可以有效防止LED灯管因反接烧毁的问题，电路稳定可靠，功耗低，提高了电源的效率和LED的光效。
[0004]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0005]—种基于LED外置电源的高效防反接电路，包括由MOS管组成的整流桥和所述MOS管的保护电路，所述保护电路连接所述MOS管，所述整流桥的输入端连接外置电源，所述整流桥的输出端连接LED。
[0006]其中，所述整流桥包括两个PMOS管和两个匪OS管，分别为第一PMOS管、第二PMOS管、第一匪OS管和第二匪OS管，所述市电的正极连接所述第一PMOS管的漏极和所述第一WOS管的漏极，所述第一 PMOS管的源极连接所述第二 PMOS管的源极，所述第二 PMOS管的漏极连接所述第二匪OS管的漏极，所述二匪OS管的源极连接所述第一匪OS管的源极，所述市电的负极连接所述第二 NMOS管的漏极。
[0007]其中，所述保护电路包括每个所述MOS管的栅极和源极之间的栅源保护电路，以及漏极和源极之间的漏源保护电路。
[0008]其中，所述栅源保护电路分压电阻包括R2、R3、R8和R9，其中，R2的两端分别连接所述第一 PMOS管的源极和栅极、R3的两端分别连接所述第二 PMOS管的源极和栅极、R9的两端分别连接所述第一 NMOS管的源极和栅极，R8的两端分别连接所述第二 NMOS管的源极和栅极。
[0009]其中，所述漏源保护电路包括分压电阻Rl、R4、R5、R6、R7和RlO，Rl的一端分别连接所述外置电源的一端和所述第一 PMOS管的漏极，Rl的另一端分别连接所述第一 PMOS管的源极和所述第二 PMOS管的源极，R5的两端分别连接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管漏极，R4的一端连接所述第二 PMOS管的栅极，R4的另一端分别连接外置电源的两端，R6的两端分别连接所述第一 NMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，R7的一端连接所述第二 NMOS管的栅极，R7的另一端分别连接外置电源的两端，RlO的一端连接所述第一 NMOS管的漏极，Rl O的另一端连接所述市电的负极。
[0010]其中，所述第一PMOS管的源极连接所述LED的正极，所述第二NMOS管的源极连接所述LED的负极。
[0011 ]本实用新型提供的技术方案带来的有益效果:
[0012]本实用新型基于LED外置电源的高效防反接电路，包括由MOS管组成的整流桥和所述MOS管的保护电路，所述保护电路连接所述MOS管，所述整流桥的输入端连接外置电源，所述整流桥的输出端连接LED;该电路采用低功耗的MOS管作为整流桥的开关器件，同时引入保障MOS管的正常工作的保护电路;本实用新型可以有效防止LED灯管因反接烧毁的问题，电路稳定可靠，功耗低，提高了电源的效率和LED的光效。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型实施例提供的基于LED外置电源的高效防反接电路的功能原理图。
[0014]图2是本实用新型实施例提供的基于LED外置电源的高效防反接电路的电路结构图。
[0015]图3是本实用新型实施例提供的基于LED外置电源的高效防反接电路的电路图。
[0016]图4是本实用新型实施例提供的基于LED外置电源的高效防反接电路的集成电路图。
【具体实施方式】
[0017]参照图1至图4并通过【具体实施方式】来进一步说明本实用新型的技术方案。
[0018]一种基于LED外置电源的高效防反接电路，包括由MOS管组成的整流桥和所述MOS管的保护电路，所述保护电路连接所述MOS管，所述整流桥的输入端连接外置电源，所述整流桥的输出端连接LED。
[0019]LED灯的外置电源的输出端对应连接LED的正负极，若发生反接LED会被烧毁，在安装的过程中要注意极性的问题，LED灯作为一种家用必备品，经常是由用户自己来更换或安装，用户作为一般消费者可能对极性相接的基础常识并不清楚，这种情况下就有可能发生灯管反接的问题;本实用新型的实施例，通过在外置电源的输出端接入一个防反接电路，然后再给LED供电，可以有效的避免反接的发生。
[0020]该防反接电路由MOS管组成的整流桥构成，不论外置电源输出的交变电压的极性如何经整流桥处理之后均变成同一极性的电压输出，整流桥的输出端固定连接LED的输入端为其供电，该防反接电路设置在LED灯管内，用户在更换或安装LED灯管的过程中就不需要注意极性的问题了，避免了安全隐患；同时该整流桥中每个MOS管均设置有保护电路，保障其运行安全，MOS管的开关损耗小，有效提高了电源的效率和LED的光效。
[0021]所述整流桥包括两个PMOS管和两个匪OS管，分别为第一PMOS管Ql-1、第二PMOS管Q2-1、第一 NMOS管Q1-2和第二 NMOS管Q2-2，所述市电的正极连接所述第一 PMOS管Ql-1的漏极和所述第一 NMOS管Q1-2的漏极，所述第一 PMOS管Ql-1的源极连接所述第二 PMOS管Q2-1的源极，所述第二 PMOS管Q2-1的漏极连接所述第二 NMOS管Q2-2的漏极，所述二 NMOS管的源极连接所述第一 NMOS管Q1-2的源极，所述市电的负极连接所述第二 NMOS管Q2-2的漏极。
[0022]所述保护电路包括每个所述MOS管的栅极和源极之间的栅源保护电路，以及漏极和源极之间的漏源保护电路。
[0023]由于二极管的特性，MOS管的栅源电压Vgs和漏源电压Vds需要控制在一定的电压范围，本实用新型的实施例通过加入不同阻值的分压电阻来确保不同的MOS管可以正常工作。
[0024]所述栅源保护电路分压电阻包括R2、R3、R8和R9，其中，R2的两端分别连接所述第一 PMOS管Ql-1的源极和栅极，R3的两端分别连接所述第二 PMOS管Q2-1的源极和栅极，R9的两端分别连接所述第一匪OS管Q1-2的源极和栅极，R8的两端分别连接所述第二 NMOS管Q2-2的源极和栅极。
[0025]所述漏源保护电路包括分压电阻1?1、1?4、1?5、1?6、1?7和1?10，1?1的一端分别连接所述外置电源的一端和所述第一 PMOS管Ql-1的漏极，Rl的另一端分别连接所述第一 PMOS管Ql-1的源极和所述第二 PMOS管Q2-1的源极，R5的两端分别连接所述第一 PMOS管Ql-1的栅极和所述第二 PMOS管Q2-1漏极，R4的一端连接所述第二 PMOS管Q2-1的栅极，R4的另一端分别连接外置电源的两端，R6的两端分别连接所述第一 NMOS管Q1-2的栅极和所述第二 NMOS管Q2-2的漏极，R7的一端连接所述第二 NMOS管Q2-2的栅极，R7的另一端分别连接外置电源的两端，Rl O的一端连接所述第一 NMOS管Ql -2的漏极，Rl O的另一端连接所述市电的负极。
[0026]本实施例还可以通过集成电路来实现，如图4所示，其中芯片Ul和芯片U2均为集成了一个PMOS管和一个匪OS管的集成芯片。对应图3的MOS管的保护电路，芯片Ul集成了第一PMOS 管 Ql-1 和第一 NMOS 管 Q1-2，芯片 U2 集成了第二 PMOS 管 Q2-1 和第二 NMOS 管 Q2-2。
[0027]所述第一PMOS管Ql-1的源极连接所述LED的正极，所述第二匪OS管Q2-2的源极连接所述LED的负极。
[0028]综上，本实用新型基于LED外置电源的高效防反接电路，采用低功耗的MOS管作为整流桥的开关器件，同时引入保障MOS管的正常工作的分压保护电路;该电路可以有效防止LED灯管因反接烧毁的问题，电路稳定可靠，功耗低，体积小可集成，提高了电源的效率和LED的光效。
[0029]以上所述，仅为本实用新型较佳的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本实用新型所揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种基于LED外置电源的高效防反接电路，其特征在于，包括由MOS管组成的整流桥和所述MOS管的保护电路，所述保护电路连接所述MOS管，所述整流桥的输入端连接外置电源，所述整流桥的输出端连接LED。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述整流桥包括两个PMOS管和两个匪OS管，分别为第一 PMOS管、第二PMOS管、第一匪OS管和第二NMOS管，市电的正极连接所述第一PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的漏极，所述第一 PMOS管的源极连接所述第二 PMOS管的源极，所述第二 PMOS管的漏极连接所述第二匪OS管的漏极，所述二匪OS管的源极连接所述第一 NMOS管的源极，所述市电的负极连接所述第二 NMOS管的漏极。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述保护电路包括每个所述MOS管的栅极和源极之间的栅源保护电路，以及漏极和源极之间的漏源保护电路。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述栅源保护电路包括分压电阻R2、R3、R8和R9，其中，R2的两端分别连接所述第一 PMOS管的源极和栅极、R3的两端分别连接所述第二PMOS管的源极和栅极、R9的两端分别连接所述第一匪OS管的源极和栅极，R8的两端分别连接所述第二 NMOS管的源极和栅极。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述漏源保护电路包括分压电阻R1、R4、R5、R6、R7和RlO，R1的一端分别连接所述外置电源的一端和所述第一 PMOS管的漏极，Rl的另一端分别连接所述第一 PMOS管的源极和所述第二 PMOS管的源极，R5的两端分别连接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管漏极，R4的一端连接所述第二 PMOS管的栅极，R4的另一端分别连接外置电源的两端，R6的两端分别连接所述第一匪OS管的栅极和所述第二匪OS管的漏极，R7的一端连接所述第二 NMOS管的栅极，R7的另一端分别连接外置电源的两端，Rl O的一端连接所述第一 NMOS管的漏极，Rl O的另一端连接市电的负极。6.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一PMOS管的源极连接所述LED的正极，所述第二 NMOS管的源极连接所述LED的负极。
【文档编号】H02H11/00GK205490208SQ201620102868
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月1日
【发明人】刘俊杰, 罗杨洋, 罗吉国, 陈兴国, 杨海涛
【申请人】深圳市豪恩光电照明股份有限公司