一种输出过压保护电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种输出过压保护电路，包括：二极管D、可控硅电路、电阻R和电容C；可控硅电路包括单向可控硅U，二极管D的阴极连接电阻R的一端，电阻R的另一端连接输入电压源，二极管D的以你还连接电容C的一端，电容C的另一端接地；单向可控硅U的控制引脚连接二极管D的阳极，单向可控硅的阳极接地，单向可控硅的阴极连接输入电压源，并作为电路的输出电压。本实用新型在当电源失控输出电压大幅高于额定电压时能在微秒级的时间内使电压降到安全值，从而保护后端电路不会受到过电压的损坏，可以大大降低应电源故障对后端设备的损坏概率。本实用新型结构简单制作成本低，具有较强的实用性和适用性。
【专利说明】
一种输出过压保护电路
技术领域
[0001]本实用新型属于电路结构领域，具体涉及一种输出过压保护电路。
【背景技术】
[0002]目前，市面上的开关电源的输出都是在额定输出的±5%以内，但是在一些特殊情况下，如果电源的输出超出这个范围，就有可能造成后端设备的过电压损坏，因此需要一种输出过压保护电路防止这种情况的出现，通过其在电源系统中的应用，降低应电源故障对后端设备的损坏概率。
【实用新型内容】
[0003]为了克服上述【背景技术】的缺陷，本实用新型提供一种输出过压保护电路。
[0004]为了解决上述技术问题本实用新型的所采用的技术方案为:
[0005]—种输出过压保护电路，包括:二极管D、可控硅电路、电阻R和电容C;可控硅电路包括单向可控硅U，二极管D的阴极连接电阻R的一端，电阻R的另一端连接输入电压源，二极管D的以你还连接电容C的一端，电容C的另一端接地;单向可控硅U的控制引脚连接二极管D的阳极，单向可控硅的阳极接地，单向可控硅的阴极连接输入电压源，并作为电路的输出电压。
[0006]较佳地，电阻R的电阻率为10ΚΩ。
[0007]较佳地，电容C的电容率为I OOuF。
[0008]较佳地，二极管D为稳压二极管D。
[0009]较佳地，二极管D的型号为IN4743。
[0010]本实用新型的有益效果在于:在当电源失控输出电压大幅高于额定电压时能在微秒级的时间内使电压降到安全值，从而保护后端电路不会受到过电压的损坏，可以大大降低应电源故障对后端设备的损坏概率。本实用新型结构简单制作成本低，具有较强的实用性和适用性。
【附图说明】
[0011 ]图1为本实用新型实施例1的电路结构图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步的说明。
[0013]—种输出过压保护电路，包括:二极管D、可控硅电路、电阻R和电容C;可控硅电路包括单向可控硅U，二极管D的阴极连接电阻R的一端，电阻R的另一端连接输入电压源，二极管D的以你还连接电容C的一端，电容C的另一端接地;单向可控硅U的控制引脚连接二极管D的阳极，单向可控硅的阳极接地，单向可控硅的阴极连接输入电压源Vi η，并作为电路的输出电压Vout。
[0014]电阻R的电阻率为10ΚΩ，电容C的电容率为100uF，二极管D为稳压二极管D，二极管D的型号为IN4743。
[0015]当本电路的输出电压Vout超过额定保护电压后，稳压二极管D导通，可控硅控制引脚产生动作电流，从而使得可控硅导通，强制把输出电压Vout电压拉低到低电平。
[0016]通过稳压二级管确定保护启动电压，保护启动电压略高于电源的正常输出电压，当电源输出正常时电容C正端电压低于稳压二极管D的启动电压，二极管D不导通，单向可控硅U的控制引脚上没有电流流过，可控硅处于断开状态。输出电压Vout高于输出稳压管启动电压后稳压二极管D反向导通，在可控硅的控制管脚端就有电流流入，可控硅启动，使得可控硅的阳极和阴极导通，从而把电源输出电压Vout强行拉倒低电位。
[0017]若某一电源的输出电压为12V，则可以把保护电压设定为13V启动，则我们可以采用13V的稳压二极管D。
[0018]本实施例公开了一种输出过压保护电路，主要用途在于防止电源异常输出高电压时损坏后级被供电设备。
[0019]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种输出过压保护电路，其特征在于，包括:二极管D、可控硅电路、电阻R和电容C;所述可控硅电路包括单向可控硅U，所述二极管D的阴极连接所述电阻R的一端，所述电阻R的另一端连接输入电压源，所述二极管D的以你还连接所述电容C的一端，所述电容C的另一端接地;所述单向可控硅U的控制引脚连接所述二极管D的阳极，所述单向可控硅的阳极接地，所述单向可控硅的阴极连接所述输入电压源，并作为所述电路的输出电压。2.根据权利要求1所述的一种输出过压保护电路，其特征在于:所述电阻R的电阻率为1K Ω。3.根据权利要求1所述的一种输出过压保护电路，其特征在于:所述电容C的电容率为10uFo4.根据权利要求1所述的一种输出过压保护电路，其特征在于:所述二极管D为稳压二极管D。5.根据权利要求1或4所述的一种输出过压保护电路，其特征在于:所述二极管D的型号为IN4743。
【文档编号】H02H3/20GK205544201SQ201620139841
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年2月25日
【发明人】贺顺生, 樊海峰, 贺岺, 田洪滨, 唐永文, 黄秦军, 魏娜
【申请人】国网青海省电力公司海南供电公司, 国网青海省电力公司, 国家电网公司, 陕西佳润科技有限责任公司