一种电机驱动硬件自锁与复位电路的制作方法
【专利摘要】一种电机驱动硬件自锁与复位电路，包括：电流采样单元，与电机驱动电路连接，进行电流采样得到采样电流；硬件自锁单元，与所述电流采样单元连接，当所述采样电流过流时，在输出端输出自锁信号；硬件复位单元，与所述硬件自锁单元连接，且接入解锁电平，控制所述硬件自锁单元解锁停止输出所述自锁信号。上述的电机驱动硬件自锁与复位电路当需要复位锁定信号时，只需外部输入信号触发到硬件复位单元即可控制硬件自锁单元自解锁，无需为系统重复上下电。
【专利说明】
一种电机驱动硬件自锁与复位电路
技术领域
[0001]本实用新型涉及电机驱动领域，特别是涉及一种电机驱动硬件自锁与复位电路。
【背景技术】
[0002]在传统电机驱动电路中，当电机绕组过流时需要加入自锁电路，以防进一步烧坏功率器件。自锁电路工作后，始终输出某一电平信号，锁定驱动IC禁止输出。如需复位锁定信号，必须重新断电上电重启驱动器，为现场调试和客户使用带来不便。
【实用新型内容】
[0003]基于此，有必要提供一种简单可靠的能自动复位的电机驱动硬件自锁与复位电路。
[0004]本实用新型提供了一种电机驱动硬件自锁与复位电路，包括:
[0005 ]电流采样单元，与电机驱动电路连接，进行电流采样得到采样电流；
[0006]硬件自锁单元，与所述电流采样单元连接，当所述采样电流过流时，在输出端输出自锁信号；
[0007]硬件复位单元，与所述硬件自锁单元连接，且接入解锁电平，控制所述硬件自锁单元解锁停止输出所述自锁信号。
[0008]优选地，所述电流采样单元包括第一采样电阻和第二采样电阻，所述第一采样电阻的一端接所述电机驱动电路和所述电流采样单元的输入端，所述第一采样电阻的另一端接地，所述第二采样电阻与所述第一采样电阻并联。
[0009]优选地，所述硬件自锁单元包括高电平导通的第一功率开关管、低电平导通的第二功率开关管、第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻及上拉电阻，其中:
[0010]所述第一功率开关管的控制端通过所述第一限流电阻接所述第一采样电阻的一端，所述第一功率开关管的输入端通过所述第二限流电阻接所述第二功率开关管的控制端，所述第一功率开关管的输出端接地，且通过一电容接所述第一功率开关管的输入端；
[0011]所述第二功率开关管的控制端通过所述上拉电阻接电源，所述第二功率开关管的输入端接所述电源，所述第二功率开关管的输出端通过所述第三限流电阻接所述第一采样电阻的一端，且所述第二功率开关管的输出端作为所述硬件自锁单元的输出端。
[0012]优选地，所述第一功率开关管为NPN型三极管，所述第一功率开关管的控制端、输入端和输出端分别为NPN型三极管的基极、集电极和发射极。
[0013]优选地，所述第二功率开关管为PNP型三极管，所述第二功率开关管的控制端、输出端和输入端分别为PNP型三极管的基极、集电极和发射极。
[0014]优选地，所述硬件复位单元包括一开关元件，所述开关元件的控制端用于接入所述解锁电平，所述开关元件的输入端接所述第一功率开关管的控制端，所述开关元件的输出端接地。
[0015]优选地，所述开关元件为N型M0SFET，所述开关元件的控制端、输入端和输出端分别为N型MOSFET的栅极、漏极和源极。
[0016]上述的电机驱动硬件自锁与复位电路当需要复位锁定信号时，只需外部输入信号触发到硬件复位单元即可控制硬件自锁单元自解锁，无需为系统重复上下电，简单可靠。
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型较佳实施例中电机驱动硬件自锁与复位电路的电路原理图。
【具体实施方式】
[0018]为了使本实用新型要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0019]请参阅图1，本实用新型较佳实施例中电机驱动硬件自锁与复位电路包括电流采样单元1、硬件自锁单元20及硬件复位单元30。
[0020]电流采样单元10与电机驱动电路连接，进行电流采样得到采样电流Cl;硬件自锁单元20与所述电流采样单元10连接，当所述采样电流Cl过流时，硬件自锁单元20在输出端输出自锁信号FAULT;硬件复位单元30与所述硬件自锁单元20连接，且接入解锁电平RESET，控制所述硬件自锁单元20解锁停止输出所述自锁信号FAULT或报警信号。
[0021]本实施例中，所述电流采样单元10包括第一采样电阻Rl和第二采样电阻R2，所述第一采样电阻Rl的一端接所述电机驱动电路和所述电流采样单元10的输入端，所述第一采样电阻Rl的另一端接地，所述第二采样电阻R2与所述第一采样电阻Rl并联。
[0022]本实施例中，硬件自锁单元20包括高电平导通的第一功率开关管Q1、低电平导通的第二功率开关管Q2、第一限流电阻R3、第二限流电阻R4、第三限流电阻R6及上拉电阻R5。
[0023]所述第一功率开关管Ql的控制端通过所述第一限流电阻R3接所述第一采样电阻Rl的一端，所述第一功率开关管Ql的输入端通过所述第二限流电阻R4接所述第二功率开关管Q2的控制端，所述第一功率开关管Ql的输出端接地，且通过一电容接所述第一功率开关管Ql的输入端；
[0024]所述第二功率开关管Q2的控制端通过所述上拉电阻R5接电源VCC，所述第二功率开关管Q2的输入端接所述电源VCC，所述第二功率开关管Q2的输出端通过所述第三限流电阻R6接所述第一采样电阻Rl的一端，且所述第二功率开关管Q2的输出端作为所述硬件自锁单元20的输出端。
[0025]优选地，所述第一功率开关管Ql为NPN型三极管，所述第一功率开关管Ql的控制端、输入端和输出端分别为NPN型三极管的基极、集电极和发射极。所述第二功率开关管Q2为PNP型三极管，所述第二功率开关管Q2的控制端、输出端和输入端分别为PNP型三极管的基极、集电极和发射极。在其他实施方式中，第一功率开关管Ql和第二功率开关管Q2可以分别为N型MOSFET和P型MOSFET。
[0026]本实施例中，硬件复位单元30包括一开关元件Ml，所述开关元件Ml的控制端用于接入所述解锁电平RESET，所述开关元件Ml的输入端接所述第一功率开关管Ql的控制端，所述开关元件Ml的输出端接地。优选地，所述开关元件Ml为N型M0SFET，所述开关元件Ml的控制端、输入端和输出端分别为N型MOSFET的栅极、漏极和源极。在其他实施方式中，开关元件Ml可以以光电耦合器、光电继电器或P型MOSFET替换。
[0027]本方案以低值电阻进行电流采样，产生过流后触发三极管导通，进而自锁硬件输出。当需要复位锁定信号时，只需外部输入复位信号即可。
[0028]采用硬件触发第一级三极管Ql导通，利用第二级三极管Q2输出自锁信号FAULT并自锁硬件。当需要复位锁定信号时，只需外部输入信号RESET触发MOS管关闭第一级三极管Ql，无需为系统重复上下电，简单可靠。
[0029]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种电机驱动硬件自锁与复位电路，其特征在于，包括: 电流采样单元，与电机驱动电路连接，进行电流采样得到采样电流； 硬件自锁单元，与所述电流采样单元连接，当所述采样电流过流时，在输出端输出自锁信号； 硬件复位单元，与所述硬件自锁单元连接，且接入解锁电平，控制所述硬件自锁单元解锁停止输出所述自锁信号。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电流采样单元包括第一采样电阻和第二采样电阻，所述第一采样电阻的一端接所述电机驱动电路和所述电流采样单元的输入端，所述第一采样电阻的另一端接地，所述第二采样电阻与所述第一采样电阻并联。3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述硬件自锁单元包括高电平导通的第一功率开关管、低电平导通的第二功率开关管、第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻及上拉电阻，其中: 所述第一功率开关管的控制端通过所述第一限流电阻接所述第一采样电阻的一端，所述第一功率开关管的输入端通过所述第二限流电阻接所述第二功率开关管的控制端，所述第一功率开关管的输出端接地，且通过一电容接所述第一功率开关管的输入端； 所述第二功率开关管的控制端通过所述上拉电阻接电源，所述第二功率开关管的输入端接所述电源，所述第二功率开关管的输出端通过所述第三限流电阻接所述第一采样电阻的一端，且所述第二功率开关管的输出端作为所述硬件自锁单元的输出端。4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一功率开关管为NPN型三极管，所述第一功率开关管的控制端、输入端和输出端分别为NPN型三极管的基极、集电极和发射极。5.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第二功率开关管为PNP型三极管，所述第二功率开关管的控制端、输出端和输入端分别为PNP型三极管的基极、集电极和发射极。6.如权利要求3至5任一项所述的电路，其特征在于，所述硬件复位单元包括一开关元件，所述开关元件的控制端用于接入所述解锁电平，所述开关元件的输入端接所述第一功率开关管的控制端，所述开关元件的输出端接地。7.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述开关元件为N型MOSFET，所述开关元件的控制端、输入端和输出端分别为N型MOSFET的栅极、漏极和源极。
【文档编号】H02H7/085GK205622209SQ201620379658
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2016年4月28日
【发明人】熊青山
【申请人】深圳市智创电机有限公司