专利名称：具有集成传感器的有源限幅器的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有集成传感器的有源限幅器(active limiter)。
背景技术：
许多电子电路和组件如果暴露于高功率的输入信号或脉冲就会被损坏。例如，二极管、晶体管，或微型机电系统(“MEMS”)会被高功率射频(“RF”)信号、静电放电(“ESD”)事件，或通常任何形式的足够大的电过载(electrical overstress)所损坏或破坏。各种各样的技术被用来避免这样的损坏。
无源限幅器被用于许多电路中，例如在微波和RF的仪器和组件的输入处，以限制无源限幅器的输出处的功率量。无源限幅器通常是基于二极管的并被设计为这样操作，使得限幅器在选定的RF输入信号电平开始衰减，并且当RF输入信号电平增大时增大衰减。常常是二极管的无源限幅器中的组件根据RF信号功率电平从一个传导状态转换到另一个，术语“无源”限幅器因此得名。通常，不管限幅器的输入处的功率，只要输入功率不超过无源限幅器的功率处理能力，限幅器的输出处的功率电平就不上升超过最大值。
然而，无源限幅器的缺点在于无源限幅器开始衰减输入信号时所处的功率电平和无源限幅器给输入信号增加的失真量之间的折衷。例如，为了避免损坏可能被选择性地接入微波测试仪器的输入通道中的低噪声放大器，需要一瓦的最大功率。然而，因为相同的微波测试仪器测量高至一瓦的功率电平(例如当低噪声放大器不在输入信号通道中时)，无源衰减器的阈值功率电平被设为两瓦或更高以避免如果阈值功率电平被设得更低而将在一瓦的输入信号上出现的失真。即使当阈值功率电平被设为两瓦时，由于限幅器接通的“软”方式，一瓦输入信号上也可能加有显著的失真。对于更复杂的调制格式，功率限幅阈值和失真之间的折衷变得更加重要，这是因为复杂的调制格式更易受无源限幅器所引起的失真的影响，特别在高信号功率电平时。
一些限幅器让外加电压设置它们的限幅阈值(即限幅器开始衰减时所处的阈值功率电平)。这样的限幅器的示例已被作为集成电路(“IC”)制造。通过选择合适的外加电压来提供期望的限幅阈值，IC限幅器可被用于多种应用中。遗憾的是，当被使用在处于高功率电平的频域应用中时，这个类型的限幅器仍增加显著的失真。
另一个已被使用的技术是有源限幅。有源功率限幅是根据检测到的输入功率电平通过外部的控制电压或电流来启动限幅电路的过程。有源功率限幅器是使用印刷电路板(“PCB”)或其他基片上的分布的组件(例如限幅IC和二极管)构建的。在具体示例中，流经分布式限幅器的一个部分的二极管的电流被监测并被用来推断RF过功率情况。通过检测电流得到的信息被用来控制接通机械继电器的开关，从而防止下游组件的损坏。
有源限幅器使用无源二极管GaAs IC限幅器，其后面有许多表面安装技术(“SMT”)封装的无源二极管。SMT二极管和GaAs IC限幅器被安装在PCB上，以不仅控制机械继电器，还检测和限制RF过功率状态和ESD脉冲。这些组件保护下游电路以防高达50瓦的功率。
然而由于分布式组件的数目，这种有源限幅器物理上很大。主要由于机械继电器，这种有源限幅器具有6GHz左右的最大操作频率。此外，在机械继电器的触点劣化(degrade)之前，这个有源限幅器仅将可靠地限制高功率信号有限次。
因此，在更高频率工作、物理上小于传统的有源限幅器，并且可以更快地置成功率限幅状态的有源限幅器是理想的。
发明内容
集成电路包括第一RF端口和第二RF端口。限幅器部分被布置在所述第一RF端口和第二RF端口之间，并且设置为检测输入信号的功率电平并耦合到所述限幅器部分的检测器部分耦合到所述第一RF端口和第二RF端口之间的RF信号通道。
图1A示出了根据本发明一个实施例的有源限幅器的电路图。
图1B示出了根据本发明另一个实施例的在检测器之后有集成的差分放大器的图1A的有源限幅器的电路图。
图2示出了根据本发明另一个实施例的在检测器之前有集成的放大器的有源限幅器的电路图。
图3示出了根据本发明另一个实施例的有源限幅器的电路图。
图4是根据本发明另一个实施例的具有芯片上的方向耦合器或电桥的有源限幅器。
图5是根据本发明一个实施例的操作限幅电路的方法的流程图。
具体实施例方式
图1A示出了根据本发明实施例的有源限幅器100的电路图。有源限幅器100包括与多个可偏压开关器件一起集成在IC 103上的检测器部分102，所述多个可偏压开关器件形成限幅器部分105。在本实施例中，例如PIN二极管、肖特基二极管或改进型势垒二极管的二极管104、106、108、110、112、114、116、118被用作可偏压开关器件。在可替换的实施例中，使用了其他可偏压开关器件，例如场效应晶体管(“FET”)，双极结晶体管(BJT)，或光电导器件。二极管104、106、108、110、112、114、116、118能够在其高衰减(high-attenuation)状态下以高可靠性限制例如高RF功率和ESD事件的电过载事件，并且能够被热开关(即当外加RF功率时被开关)许多个周期(通常至少数十亿个周期)。IC103被制造在砷化镓(GaAs)芯片上。半绝缘型GaAs是特别理想的，因为使用半绝缘型GaAs基片可以制造低损耗的50欧姆传输线和非常快的二极管。可替换地，有源限幅器100被制造在硅、氮化镓或其他半导体的芯片上。在一些实施例中，氮化硅具有良好的热导率并更好地耐受高功率信号。
电容器120、122提供直流阻隔。电容器124、126为二极管104、106、108、110、112、114、116、118提供良好的芯片上(on-chip)RF接地，并且虽然仅两个电容器被示出，但是更多的电容器也可被使用。可替换的，用于二极管的RF接地电容器中的一些或全部是位于IC之外的并且通过很短的焊线(bond wire)连接到IC以允许相对便宜、提供高电容值并节省GaAs IC上昂贵单位面积的空间的片式电容器的使用。在进一步或可替换的实施例中，当需要时，提供甚至更大的电容值的表面安装(“SMT”)电容器与通过焊线连接到GaAs IC的片式电容器同时被添加且电容器之间具有合适的共振抑制电阻器，以允许扩展本器件的低频性能。用于二极管的RF接地的芯片上电容器和芯片外(off-chip)电容器的组合被可替换地使用。
二极管是按每堆两个二极管的“堆(stack)”布置的。例如，二极管104、106形成二极管堆。在可替换的实施例中，每个堆中有更多或更少的二极管，并且可替换的实施例具有更多或更少的堆。电感器128、130、132与处于关断(反向偏压)状态的二极管104、106、108、110、112、114、116、118的电容相配合，以形成具有选定的特性阻抗的传输线。
通常使特性阻抗与被耦合到为了讨论的方便将被称为“RF输入端口”的第一RF端口134的输入传输线或器件(未示出)的特性阻抗相匹配，且/或使特性阻抗与被耦合到为了讨论的方便将被称为“RF输出端口”的第二RF端口136的输出传输线或器件(未示出)的特性阻抗相匹配。50欧姆是常见特性阻抗的示例。RF端口134、136是阻抗匹配的(impedance-matched)，以避免当RF功率处于安全电平时反射RF功率。
从RF输入端口134到RF输出端口136的通道通常被称为RF信号线或RF信号通道。使用术语“输入端口”和“输出端口”只是为了讨论的方便。例如在一种应用中，“输入”可能被连接到信号发生器或其他信号源的输出，而在另一种应用中“输入”可能被连接到接收器的输入。当通过改变通过限幅器部分的信号通道的阻抗来使二极管104、106、108、110、112、114、116、118偏压导通时，二极管104、106、108、110、112、114、116、118限制了经限幅器传输的RF功率。通常，增加更多的二极管堆增加限幅器部分的功率操纵和功率限幅特性。
检测器102包括被布置成反并联对以监测节点146(即限幅器部分的输入)处的RF功率电平或ESD电压的检测器二极管138、140。将二极管138、140布置为反并联的配置抵消了可能耦合回RF信号线(节点146)上的偶次谐波，并且还使可被输送到限幅器驱动电路147的有效电压加倍。
在“输入”134和限幅器部分105之间检测到RF功率/ESD电压指示出电过载事件到达有源限幅器100。可替换地，可以在“输出”136和限幅器部分105之间检测RF功率/ESD电压。这样将提供正耦合到下游器件的功率的指示。如果限幅器部分接通，后种配置将不指示是否功率电平已降低到适当的电平，如果限幅器仍是完全接通的话。然而，如果在最初的过载事件之后将限幅器部分逐渐地变成低衰减状态，可以检查继续的过载事件同时仍为下游器件维持安全的操作电平。因此，每个配置在特定情况下具有优势，并且有源限幅器可在(两者中的)任一方向中使用。根据一些实施例，将检测器部分和限幅器部分集成在单个IC上有助在(两者中的)任一方向中使用IC，因为与GaAs IC中的载流子迁移率与短线路长度结合起来，避免了沿着RF通道形成驻波直到非常高的频率。在具体实施例中，限幅器不是前后对称的。换言之，限幅二极管不是完全可互换的。在这样的一个实施例中，有源限幅器通常以选定的方向安装，例如，“输入”端口是上游端口。
检测器102具有被耦合到限幅器驱动电路147以生成限幅器驱动信号149、151的两个检测器输出139、141，所述限幅器驱动信号149、151被耦合到限幅器偏压输入端口145、148。在可替换的实施例中，限幅器部分的一个端口被接地；然而，信号线将于是具有等于将限幅二极管偏压的总电压的一半的直流分量，并且额外的二极管将通常被增加以阻止直流分量传播出限幅器部分。当电过载事件被检测到时，限幅器驱动信号149、151将限幅二极管104、106、108、110、112、114、116、118正向偏压。
例如，限幅器驱动电路在偏压输入端口145、148之间提供-15V的偏压来使二极管关断(低衰减状态)，并且在偏压输入端口145、148之间提供通常每个二极管0.6到0.9V的偏压来使二极管导通(高衰减状态)。从导通到关断的开关发生得非常快，这避免了软限幅。以足够高的电压使限幅器部分偏压关断避免了让低于检测器阈值(即预期的高功率信号)的高功率RF信号较大地改变二极管的偏压点。这样在限幅器起作用之前为处于更高RF信号电平的RF信号通道提供了稳定的阻抗。
电阻器142、144形成分压器。节点143处的电压决定检测器二极管138、140处的信号电平。这样选择电阻器142、144的值，使得有足够的信号强度被传送到所在之处存在电过载事件的检测器二极管138、140以便使检测器二极管138、140快速地导通，但是功率电平足够低，使得在处于需要进行有效测量的最大无衰减RF功率电平的信号线上增加的失真可忽略。在具体实施例中，希望测量具有大约一瓦的功率电平的RF信号(即当RF功率电平超过大约一瓦时接通衰减器部分)，并且这样选择电阻器142、144的值，使得加回到信号线上的失真小于该应用所允许的最大失真。
电阻器150、152为检测器二极管138、140提供负载和到地的DC通道。电阻器150、152与电阻器142、144相配合以设置检测器二极管138、140的工作点。如果电阻器142具有高电阻，那么电阻器142还在检测器二极管138、140和节点146之间提供衰减，以降低检测器二极管138、140中由于耦合到信号线上而发生的失真。电容器154、156为通过检测器二极管138、140的AC电流提供到地的低阻抗通道。
人们希望检测器部分102与限幅器部分105集成在一起，使得实现电过载事件的快速检测。例如，IC方案上将从检测器到有源限幅器的反馈回路的线路长度缩短，较之PCB类型的限幅器，在更快地将限幅器设置为其高衰减状态的能力上提供显著的优势，并且从而更好地保护下游电路以防电过载情况。并且，PCB类型的限幅器使用通过其PIN二极管的电流的开端来检测高功率RF信号，并且这样在更高的信号电平处增加失真。
使检测器部分和限幅器部分之间的线路长度保持短的另一个优势是它们之间将没有足够的线路长度来支持它们之间的驻波直到大约20GHz或更高频率，使得正被检测器所监测的电压与正被施加到限幅器的电压相同。具有单独的检测器部分102而非依靠无源限幅，这允许二极管104、106、108、110、112、114、116、118快速地从第一偏压状态(例如高反向偏压)切换到第二偏压状态(例如高正向偏压)。
比较起来，在传统的无源限幅器或外部设置(externally-set)的限幅器中，随着RF功率电平或ESD电压超过阈值，限幅二极管缓慢地开始导通，但只有RF功率电平足够高才完全地导通。这样在二极管开始导通时和二极管被完全导通时之间导致高于阈值的RF信号中的失真和不完全的限幅。这个工作区域一般被称为“软”限幅。
然而，根据本发明实施例的有源限幅器这样操作，使得处于稳定反向偏压状态的限幅二极管104、106、108、110、112、114、116、118与电感器128、130、132相配合以形成在期望的功率范围内具有选定特性阻抗的表现良好的传输线。这样允许沿着信号通道传输较高功率的RF信号且不显著地改变限幅二极管104、106、108、110、112、114、116、118的工作(即偏压)点。如果电过载事件被检测器部分102检测到，则限幅二极管104、106、108、110、112、114、116、118被有效地驱动到正向偏压状态，从而改变信号通道的阻抗并反射功率使之不被耦合到输出端口136。这样避免了软限幅状态，以及无源限幅器中由之产生的期望的高功率RF信号的失真。
限幅器驱动电路147包括差分放大器160。当差分放大器的输入(即来自检测器输出139、141的信号)在电压上的差异足够大到指示电过载事件时，差分放大器的输出149、151快速地将限幅二极管104、106、108、110、112、114、116、118切换到强正向偏压、低阻抗状态。这样使大部分的输入信号将被限幅器部分105反射，从而保护被连接到RF输出136的电路或器件，或反之亦然。
在具体实施例中，限幅器驱动电路中或别处包括锁存器(未示出)以在检测到过功率或过电压事件时保持正向偏压(高衰减状态)。否则，当限幅器被启动时被反射的信号可以在检测器处引起零电压发生，这对检测器将看起来像是过功率状态已经过去。在可替换的实施例中，限幅器驱动电路是将检测器输出信号与参考电压相比较的比较器。参考电压在芯片外生成并且在特定实施例中是可由用户选择的，使得限幅器在可选择的功率电平接通。
有源限幅器100用下述用户重置信号回到低衰减状态，所述用户重置信号设置限幅器驱动电路147以使限幅二极管反向偏压。可替换地，检测器位于有源限幅器的输出处，并且在限幅器接通之后，发生短的等待状态，这为过载情况被校正留出了时间。限幅器的偏压然后被逐渐改变以降低衰减并继续检查过载。如果在限幅器偏压已斜变到其低损耗状态之后未发现过载，则可以再次恢复正常测量。如果电过载仍然存在，那么可以重复该过程，或者可以将限幅器留在其高衰减偏压状态。第三实施例使用方向检测器，例如在必要的节点146处提供方向耦合器或电桥，使得检测器部分102主要检测从第一端口134传播到第二端口136的信号。
限幅器驱动电路147是第二IC，或第二IC的一部分，并且通常是在硅片上制造的。微波半导体器件由于RF过功率状态的损坏经常是因为热效应，不是因为结击穿(junction breakdown)或其他电压相关的效应。因此，有源限幅器的限幅动作并非必须是即时的，而是仅需快到足以在高功率信号造成下游组件或电路的破坏性加热之前使该高功率信号衰减。即使有源限幅器将在高功率事件的初始部分处于低衰减状态，但是通过将检测器部分和限幅器部分集成在一个IC上，特别是使用具有非常快的响应时间的器件，以及通过让高速驱动电路(例如限幅器驱动电路147)物理上接近于有源限幅器IC，有源限幅器也可以足够快速地切换到其高衰减状态以避免对下游器件的损坏。
在第二IC上提供限幅器驱动电路147使有源限幅IC 103的布图简化。GaAs较昂贵，而嵌入在硅IC中的差分放大器和比较器较便宜。通常，GaAs IC中的功能越多，成品率就越低。类似地，每个基片上物理上更大的IC产出更少的器件。可替换地，提供有芯片上的限幅器驱动电路。
图1B示出了具有集成差分放大器172的有源限幅器170。有源限幅器在GaAs或其他半导体的芯片上制造成IC 173。检测器部分174和限幅器部分操作基本上如上面参照图1A所述。由于至少两个原因，将差分放大器172集成在IC 173上比图1A的实施例提供了更快的切换。第一，以GaAs而非Si来制造差分放大器产生工作更快的放大器。第二，检测器和限幅二极管之间的电通道非常短，从而避免了否则可能减缓响应的寄生效应。在可替换的实施例中，比较器(见图2，标号260)而非差分放大器被集成在IC 173上。参考电压(见图2，VREF)生成在IC 173之外并耦合到差分放大器。在具体实施例中，参考电压是可由用户选择的，这样允许用户取决于下游组件将功率限幅在不同的阈值。
图2示出了根据本发明另一个实施例的在检测器部分204之前具有集成放大器202的有源限幅器200的电路图。在具体实施例中，放大器202是基于异质结双极晶体管(“HBT”)的放大器，并且检测器部分204使用反并联二极管对。在可替换的实施例中，其他类型的放大器和检测器在GaAs IC或其他半导体IC中使用。
在具体实施例中，放大器202是共发射极配置的基于晶体管的放大器。射极负反馈(emitter degeneration)通常将在晶体管的基极端具有高于电阻器206的RF阻抗的阻抗。电阻器206与电阻器208形成电阻器电桥，使得由于热变化而引起的晶体管的输入阻抗的变化对电阻器208比电阻器206的分压比仅有小的影响。这样使所检测的RF电压在给定温度范围保持更稳定。
在具体实施例中，放大器202包括第二增益级(未示出)。第二增益级给第一增益级的输出提供电压增益。第二增益级的输出提供较低的阻抗和较高的电压摆动。因此，第二增益级被使用在某些实施例中以驱动处于高电平(相对于节点210处存在的电平)的检测器二极管或其他功率检测器件，使得一个或多个检测器器件可以快速地响应过功率或过电压状态。检测器输出被反馈给有源限幅器200的限幅器偏压端口212、214以将限幅二极管快速地设为其高衰减状态并且保护输出端口216下游的电路。
在具体的实施例中，检测器输出246耦合到包括比较器260的限幅器驱动电路247。比较器260将检测器输出246与参考电压VREF相比较，以确定过电压或过功率事件是否正在发生。限幅器驱动电路247生成耦合到限幅器偏压端口212、214的限幅器驱动信号。参考电压VREF在IC 203之外生成并耦合到比较器260。在具体实施例中，参考电压是可由用户选择的，这样允许用户取决于下游组件将功率限幅在不同的阈值。
基于晶体管的放大器可以使用其增益来将检测器二极管驱动到足够的幅度，以快速地提供指示过功率或过电压事件的可测量的信号。更小的信号被从由电阻器206、208形成的电阻分路器取得，并且这个更小的信号造成更少的失真，该失真源于晶体管的基极端中的非线性。这样允许电阻器208具有大电阻，从而在失真产物被反馈给RF信号线之前将其衰减。
图3示出了根据本发明另一个实施例的有源限幅器300的电路图。放大器302、检测器304和限幅器驱动电路347被集成在GaAs IC 303上。其他类型的半导体材料和基片被使用在可替换的实施例中。限幅器驱动电路347包括将检测器304的输出与代表最大RF功率或ESD电压限幅电平的参考电压VREF相比较的比较器360。
限幅器驱动电路347包括可选的向仪器显示板、系统控制器，或例如指示灯的其他端点(end point)指示出过功率或过电压事件已经发生以及限幅器部分305部分已被接通的过功率指示器输出信号DETOUT。在具体实施例中，限幅器部分305(以及过功率指示器输出信号)被锁定在接通状态，直到用户或系统控制器将限幅器驱动电路347重置以将限幅器部分(以及过功率指示器输出信号)关断。将限幅器锁定在接通状态防止了被反射的功率与输入功率加起来(“定相”(phasing))产生检测器理解为过功率事件已经停止的零状态(null condition)。
过功率指示器输出信号被可选地提供在其他实施例中，例如图1A、1B和2的实施例。例如在一些实施例中，例如图1A和2的实施例，过功率指示器输出信号可以由限幅器驱动电路147、247分别提供，或者可以经缓冲器耦合到偏压输入端口。类似地，在其他实施例中提供有衰减器部分的闩锁(latching)。
在IC 303上具有检测器和限幅器驱动电路的一个优势是有源限幅器更小并且更快响应电过载事件。在具有非常灵敏的下游器件的应用中具有更快响应时间的有源限幅器是特别理想的。
图4是根据本发明另一个实施例的具有例如方向耦合器或方向电桥的芯片上方向器件401的有源限幅器400。有源限幅器400被制造在例如GaAs IC或其他半导体基片的IC 403上。虽然如果RF功率或ESD事件从RF输入端口434传播到RF输出端口436，则方向器件401将功率耦合到检测器部分404，但是基本上不耦合反向传播的RF功率。检测器部分耦合到分压器406的节点407。检测器部分404从而作为方向检测器工作并且检测器输出446指示的是从输入端口434传播到输出端口436的功率，而不是沿着RF信号线向每个方向传播的功率的瞬时之和。这避免了限幅器部分405反射掉的功率(例如当限幅器部分是接通的时)与输入功率加起来产生检测器404理解为安全输入状态的零(null)。
图5是根据本发明实施例的操作限幅电路的方法500的流程图。限幅电路让限幅器部分中的一个或多个二极管有源偏置在关断状态，以允许RF信号以相对小的衰减从限幅电路的RF输入端口传播到RF输出端口(步骤502)。当与限幅器部分集成在IC上的检测器检测到RF信号上的过功率状态时(步骤504)，限幅器驱动电路将一个或多个二极管偏置为导通状态(步骤506)以衰减RF信号。在另一个实施例中，限幅器部分被偏置在导通状态直到限幅器驱动电路被重置。在另一个实施例中，当限幅器部分被偏置为接通状态时或当过功率/过电压状态被检测到时，指示器信号被生成。
实施例提供了紧凑IC中的有源限幅器，其在高达20GHz时仍具有良好性能。一些实施例可以限制高达10瓦的高功率RF信号和ESD事件数十亿次且不损坏有源限幅器。检测器、限幅器驱动电路(其可以是芯片上或芯片外的)和限幅器部分的组合可以在高功率或ESD事件被检测到时允许限幅器部分从完全关断状态转换到完全接通状态。这样避免了在否则可引起期望的RF信号上的失真的软限幅区域中操作，并且在工作功率范围上为RF信号通道提供稳定的阻抗。
虽然已经详细说明了本发明的优选实施例，但是应当明白，本领域的技术人员可以想到对这些实施例的修改和调整，而不脱离如所附权利要求所提出的本发明的范围。
权利要求
1.一种集成电路，包括第一射频端口；第二射频端口；布置在所述第一射频端口和第二射频输出端口之间的限幅器部分；以及检测器部分，其耦合到限幅器部分并耦合到所述第一射频端口和第二射频端口之间的射频信号通道，所述检测器部分被设置为检测输入信号的功率电平。
2.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述集成电路包括砷化镓集成电路。
3.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述限幅器部分包括多个根据来自所述检测器部分的检测器输出进行开关的可偏压开关器件。
4.如权利要求3所述的集成电路，其中，所述多个可偏压开关器件包括二极管。
5.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述限幅器部分包括多个二极管堆。
6.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述输入信号包括高达至少20GHz的射频输入信号并且所述检测器部分检测所述射频输入信号的射频功率电平。
7.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述输入信号包括电过载事件。
8.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述输入信号包括静电放电事件并且所述检测器部分检测所述静电放电事件。
9.如权利要求1所述的集成电路，还包括布置在所述输入端口和所述检测器部分之间的第一电阻器，以及布置在所述检测器部分和地电势之间的第二电阻器。
10.如权利要求1所述的集成电路，还包括第一限幅器偏压输入端口；以及第二限幅器偏压输入端口，其中所述限幅器部分至少包括布置在所述第一限幅器偏压输入端口和所述射频信号通道之间的第一二极管以及布置在所述第二限幅器偏压输入端口和所述射频信号通道之间的第二二极管。
11.如权利要求1所述的集成电路，还包括布置在所述检测器部分和所述限幅器部分之间的差分放大器。
12.如权利要求1所述的集成电路，还包括耦合到地电势的第一电阻器；布置在所述第一电阻器和所述第一端口之间的第二电阻器；所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的节点；以及布置在所述节点和所述检测器部分之间的放大器。
13.如权利要求12所述的集成电路，还包括限幅器驱动电路。
14.如权利要求13所述的集成电路，还包括过功率指示器输出信号。
15.如权利要求1所述的集成电路，还包括方向器件。
16.如权利要求15所述的集成电路，其中，所述方向器件是方向耦合器和方向电桥中的一个。
全文摘要
本发明公开了一种具有集成传感器的有源限幅器。集成电路包括第一RF端口和第二RF端口。限幅器部分被布置在所述第一RF端口和第二RF端口之间，并且设置为检测输入信号的功率电平并耦合到所述限幅器部分的检测器部分耦合到所述第一RF端口和第二RF端口之间的RF信号通道。
文档编号H03G11/02GK1870424SQ20061000820
公开日2006年11月29日 申请日期2006年2月16日 优先权日2005年5月26日
发明者迪安·尼克尔森, 埃里克·R·埃勒斯, 斯蒂芬·韦斯特曼 申请人:安捷伦科技有限公司