专利名称：一种超低噪声前置放大器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种超低噪声前置放大器。 背景纟支术目前在微弱信号检测中，低噪声前置放大器是不可或缺的部件。尽管现有 许多种低噪声集成运算放大器可供选择，但通常低噪声的特性明显差于釆用分 立元件构成的前置放大器，不适用于诸如锁相放大器等对噪声特性要求很高的微弱信号测试仪器中；此外，通常电路中的待测信号源内阻较低，故应通过选 用分立元件设计制作成一款超低噪声的前置放大器。实用新型内容本实用新型的目的是提供一种超低噪声前置放大器，以克服现有放大器的 低噪声特性较差、不适用于信号源内阻较低场合的不足。本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现一种超低噪声前置放大器，其电路中包括PNP型双极型晶体管Tl、 T2、 T3,所述的三个双极型晶体管Tl、 T2、 T3组成直接耦合的电压串联负反馈放 大器电路，晶体管Tl的发射极分别连接1K的电阻Rel与9K的电阻Re3，使 得电路的电压放大倍数为10倍；晶体管Tl的集电极分别与100K的电阻Rel 及晶体管T2的基极相连接，晶体管T2的集电极连接晶体管T3的基极，阻值 为10K的电阻Re2的一端分别并联连接T3的集电极、电容C4、电容C5的正 极及电阻R5。 Rcl为IOOKD，同时T2的发射极下串联了 Re2， C2下端接到 Tl的发射极，Rbl产生的噪声电压被短接到该点，Rbl，的噪声电压接到Tl的 基极；Rcl采用金属膜电阻，Cl、 C2采用漏电阻很大的钽电容。本实用新型所述的超低噪声前置放大器的有益效果为其等效输入噪声电 压为0.12"K/V^，具有良好的超低噪声特性，可广泛应用于诸如锁相放大器等对噪声特性要求很高的微弱信号测试仪器中；采用PNP型双极型晶体管设计， 解决了待测信号源内阻较低的问题。
下面根据附图对本实用新型作进一步详细说明。 图1是本实用新型实施例所述的超低噪声前置放大器的电路元件图； 图2是本实用新型实施例所述的超低噪声前置放大器的线性检波电路图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型实施例所述的超低噪声前置放大器，其电路中包 括PNP型双极型晶体管Tl、 T2、 T3，所述的三个双极型晶体管Tl、 T2、 T3 组成直接耦合的电压串联负反馈放大器电路，其电压放大倍数Ku为 ^^/^/^+l,晶体管Tl的发射极分别连接lK的电阻Rel与9K的电阻Re3, 使得电路的电压放大倍数为IO倍；晶体管Tl的集电极分别与100K的电阻Rel 及晶体管T2的基极相连接，晶体管T2的集电极连接晶体管T3的基极，阻值 为10K的电阻Re2的一端分别并联连接T3的集电极、电容C4、电容C5的正 极及电阻R5;电路在无反馈条件下，Tl、 T2均起到放大作用，可视为两级级 联放大器，由于PNP型晶体管基区载流子迁移率高，/fl 100/^， " ,"r， Tl工作在微功耗状态；而PNP管为超p低噪声晶体管，Ibl较小，有效地降低 了 PN结的散弹噪声及1/f噪声，Rcl取100KQ,有效的增加了 Kl;同时T2 的发射极下串联了 Re2,增加了 T2的输入阻抗，从而减小T2输入阻抗对Kl 的下降作用。C2下端接到Tl的发射极，Rbl产生的噪声电压被短接到该点， 仅Rbl，的噪声电压接到Tl的基极；减小Rel与Re3的等效并联电阻，可减 小电路中加上反馈后所增加的噪声。采用低噪声电阻、电容元件，Rcl等电阻 采用金属膜电阻，Cl、 C2采用漏电阻很大的钽电容，既有利于降低噪声，又有 利于工作点的稳定。
如图2所示，本实用新型实施例所述的超低噪声前置放大器，为了避免引入220V/50Hz交流电源对测试仪器的噪声干扰，故测试仪表及工作电源均选用 化学直流电源，各个低噪声前置放大器单元电路的外部均设置电磁屏蔽外壳。 在线性检波电路中连接晶体管Tl与T2，晶体管Tl的发射极连接电容C3的正 极，C3的负极端并联接入二极管Dl的正极端与二极管D2的负极端。
权利要求1、一种超低噪声前置放大器，其特征在于包括PNP型双极型晶体管T1、T2、T3，所述的三个双极型晶体管T1、T2、T3组成直接耦合的电压串联负反馈放大器电路，晶体管T1的发射极分别连接1K的电阻Re1与9K的电阻Re3；晶体管T1的集电极分别与100K的电阻Re1及晶体管T2的基极相连接，晶体管T2的集电极连接晶体管T3的基极，阻值为10K的电阻Re2的一端分别并联连接T3的集电极、电容C4、电容C5的正极及电阻R5，C2下端接T1的发射极。
专利摘要本实用新型涉及一种超低噪声前置放大器，其特征在于包括PNP型双极型晶体管T1、T2、T3，所述的三个双极型晶体管T1、T2、T3组成直接耦合的电压串联负反馈放大器电路，晶体管T1的发射极分别连接1K的电阻Re1与9K的电阻Re3；晶体管T1的集电极分别与100K的电阻Re1及晶体管T2的基极相连接，晶体管T2的集电极连接晶体管T3的基极，阻值为10K的电阻Re2的一端分别并联接T3的集电极、电容C4、电容C5的正极及电阻R5；T2的发射极下串联Re2，C2下端接到T1的发射极，C1、C2采用漏电阻很大的钽电容。本实用新型有益效果为具有良好的超低噪声特性，可广泛应用于微弱信号测试仪器。
文档编号H03F1/26GK201167298SQ20082000545
公开日2008年12月17日 申请日期2008年2月29日 优先权日2008年2月29日
发明者梁庆九, 鲁永康 申请人:梁庆九