专利名称：振荡电路及半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种振荡电路及半导体装置，尤其涉及可以改变振荡频率的共振型振 荡电路以及在半导体基板上形成有该振荡电路的半导体装置。
背景技术：
近年来，手机、无线LAN、蓝牙、地面波数字TV等各种高速数字无线方式已经得到 实际应用。并且，在进行数字信号处理的半导体集成电路中尤其要进行GHz以上的高速动 作，因而采用与无线电路相同的模拟技术。在这种电路中，无源元件采用形成于半导体基板 上的片上电感器。该电感器形成为将半导体上的金属布线绕成旋涡状的形状。这种片上电感器在模拟电路中被用作共振电路的一部分。共振电路将电感器和电 容器串联或者并联连接使进行共振。其共振频率fo如式(1)所示，根据电感器的电感值L 和电容器的电容值C确定。
权利要求
1.一种共振型振荡电路，其特征在于，包括 电感元件，连接在第1端子与第2端子之间；放大电路，与所述电感元件并联地连接在所述第1端子与第2端子之间； 第1电容元件，连接在所述第1端子与第2端子之间； 一对引出部，被设置在所述电感元件的一端和另一端的中途； 开关元件，连接在所述一对引出部之间，在导通时使所述一对引出部之间短路；以及 第2电容元件，在所述一对引出部之间与所述开关元件并联连接。
2.根据权利要求1所述的共振型振荡电路，其特征在于，所述电感元件包括在所述第1端子与所述第2端子之间并联连接的第1部分和第2部分。
3.根据权利要求1所述的共振型振荡电路，其特征在于，所述电感元件和所述一对引出部被对称配置，以与所述开关元件是否导通无关地，从 所述第1端子观察时的电特性和从所述第2端子观察时的电特性相互相同。
4.根据权利要求1所述的共振型振荡电路，其特征在于， 所述共振型振荡电路还包括多对引出部，分别成对的引出部被设置在所述电感元件的一端和另一端的中途； 多个开关元件，与所述多对引出部分别对应地设置，连接在分别对应的成对的引出部 之间；以及多个第2电容元件，与所述多对引出部及所述多个开关元件分别对应地设置，在分别 对应的成对的引出部之间与对应的开关元件并联连接，所述电感元件和所述多对引出部分别被对称配置，以与所述多个开关元件中的任一个 是否导通无关地，从所述第1端子观察时的电特性和从所述第2端子观察时的电特性相互 相同。
5.根据权利要求1所述的共振型振荡电路，其特征在于，所述一对引出部中的一个引出部被设置于所述电感元件的末端。
6.根据权利要求2所述的共振型振荡电路，其特征在于， 所述一对引出部包括第1引出部，被设置在所述电感元件的所述第1部分的一端与另一端的中途；和 第2引出部，被设置在所述电感元件的所述第2部分的一端与另一端的中途。
7.根据权利要求2所述的共振型振荡电路，其特征在于， 所述共振型振荡电路还包括多对引出部，各成对的引出部具有被设置在所述电感元件的所述第1部分的一端与另 一端的中途的第1引出部、和被设置在所述电感元件的所述第2部分的一端与另一端的中 途的第2引出部；多个开关元件，与所述多对引出部分别对应地设置，连接在分别对应的成对的引出部 之间；以及多个第2电容元件，与所述多对引出部及所述多个开关元件分别对应地设置，在分别 对应的成对的引出部之间与对应的开关元件并联连接。
8.根据权利要求1所述的共振型振荡电路，其特征在于，所述第1电容元件和第2电容元件中的至少一个电容元件的电容值可以改变。
9.一种半导体装置，其特征在于，在半导体基板上形成有所述权利要求1 8中任一项所述的共振型振荡电路。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于， 所述第2电容元件是形成于所述半导体基板的pn结电容。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于， 所述开关元件是MISFET。
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第2电容元件是形成于MISFET的源极漏极部的pn结电容。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，在半导体基板的表面上所设置的阱的表面形成所述MISFET，控制所述阱的电位，从而 改变所述第2电容元件的电容值。
全文摘要
提供一种振荡电路及半导体装置，该振荡电路的频率可变范围较宽。振荡电路是共振型振荡电路，包括电感元件，连接在第1端子与第2端子之间；放大电路，与电感元件并联连接在第1端子与第2端子之间；以及第1电容元件，连接在第1端子与第2端子之间，在电感元件的布线的中途设置两处以上的引出部，在两处以上所设置的引出部之间并联连接有导通时使该引出部之间短路的开关元件和第2电容元件。
文档编号H03B5/12GK102098003SQ20101054180
公开日2011年6月15日 申请日期2010年11月8日 优先权日2009年11月9日
发明者田边昭 申请人:瑞萨电子株式会社