低失调、低噪声功率运算放大器的制作方法

文档序号:7519178阅读:318来源:国知局
专利名称:低失调、低噪声功率运算放大器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种运算放大器,尤其涉及一种低失调、低噪声功率运算放大器。
背景技术
目前,国内的通用型大功率运算放大器都有较好的功率参数,但由于材料选择和 工艺等方面的原因,在失调参数和噪声参数以及散热效果方面都有待提高。特别是对一些 恶劣的使用环境,比如高温、高湿、高粉尘、超低温,以及要求在高可靠、连续运行工作的环 境中,普通的功率运算放大器显然不是合适的选择。由于大功率运算放大器的失调参数和 噪声参数都较大,而散热效果的优劣可以直接影响晶体管的稳定性。所以,开发一种通用的 低失调、低噪声并具有良好散热效果的大功率运算放大器显得尤为重要。

实用新型内容本实用新型解决的技术问题是提供一种失调参数和噪声参数较小、散热效果好的 的低失调、低噪声大功率运算放大器。本实用新型涉及的低失调、低噪声功率运算放大器,包括管座、管壳,其特殊之处 是在管座上粘接有微晶玻璃基片,在基片上直接粘接有精密运算放大器、大功率三极管 对管和保护三极管对管,在基片上面设有金导带层和电阻层,所述的电阻层形成第一 第 四电阻,在精密运算放大器、大功率三极管对管和保护三极管对管与基片、基片与管座的管 脚之间设有引线,所述的精密运算放大器输入端作为该低失调、低噪声功率运算放大器的 输入端,精密运算放大器输出端输出电流信号经过第一、第二电阻转为电压信号并与大功 率三极管对管的基极连接,大功率三极管对管的集电极即为该低失调、低噪声功率运算放 大器的输出端,精密运算放大器的另一个输出端分别通过第三电阻与该低失调、低噪声功 率运算放大器的输出端连接以及通过第四电阻接地,第三电阻和第四电阻的结点引出补偿 端,保护三极管对管的基极和发射极引出外接保护电阻接线端,保护三极管对管的集电极 接在大功率三极管对管的基极。上述的低失调、低噪声功率运算放大器,所述的基片厚度为0. 3 0. 7mm,以降低 安装热阻。上述的低失调、低噪声功率运算放大器,所述的精密运算放大器的型号为0P07。本实用新型的优点是由于采用精密运算放大器与大功率三极管对管相结合,既 有较好的功率参数,又保证了低失调、低噪声的电参数;采用微晶玻璃基片作为芯片的载 体,基片直接粘接在管座上,结构紧凑,并且保证了良好的导热性,散热效果好;可采用薄膜 工艺制作,将安装热阻降至最低,最大限度的提高了器件的散热能力,同时也给安装工艺带 来了极大的方便。

图1是本实用新型的结构示意图;[0009]图2是图1 (去掉管壳)的俯视图;图3是本实用新型的电路原理图。图中管座1,基片2,金导带层201,电阻层202,精密运算放大器3,保护三极管对管4,大功率三极管对管5和6,保护三极管对管7,引线8,管壳9,输入端10、11,输出端12, 补偿端13,电阻Rl R4,保护电阻Rsc+、Rsc-。
具体实施方式
如图1、图2所示,本实用新型包括十二线管座1和管壳9,在管座1表面通过粘接 膜粘接有微晶玻璃基片2,所述的基片2厚度为0. 3 0. 7mm,在基片2表面通过金属溅射 工艺制作金导带层201和电阻层202,相应的电阻层202分别形成第一电阻Rl 第四电阻 R4,在基片2表面通过导电胶直接粘接有精密运算放大器3、大功率三极管对管5和6以及 保护三极管对管4、7,所述的精密运算放大器3、大功率三极管对管5和6以及保护三极管 对管4和7的型号分别为0P07、2SD526、2SB596、3DG12和3CG2,在基片2上各芯片与金导带 201之间以及金导带201与管座1的管脚之间键合有引线8。如图3所示,所述的精密运算放大器3的输入端10、11作为该低失调、低噪声功率 运算放大器的输入端,精密运算放大器3输出端输出电流信号经过第一、第二电阻R1、R2转 化为电压信号并与大功率三极管对管5和6的基极连接,大功率三极管对管5和6的集电 极即为该低失调、低噪声功率运算放大器的输出端12,精密运算放大器3的另一个输出端 分别通过第三电阻R3与该低失调、低噪声功率运算放大器的输出端12连接以及通过第四 电阻R4接地,第三电阻R3和第四电阻R4的结点引出补偿端13,保护三极管对管4和7的 基极和发射极引出外接保护电阻接线端,保护三极管对管4和7的集电极接在大功率三极 管对管5和6的基极。该低失调、低噪声功率运算放大器是由精密运算放大器3的输入端10、11接受输 入信号,信号输入后精密运算放大器3输出级的电流变化通过电阻Rl、R2转换成变化的电 压送到大功率三极管对管5、6的基极,于是在输出端12获得较大的电压和电流。保护三极管对管4、7与外接保护电阻RSC+、RSC-构成过流保护电路,在该低失调、 低噪声功率运算放大器正常工作时不起作用,当该低失调、低噪声功率运算放大器处于过 压或过流的非正常工作状态时,保护三极管对管4、7导通,使大功率三极管对管5、6截止。
权利要求一种低失调、低噪声功率运算放大器,包括管座、管壳,其特征是在管座上粘接有微晶玻璃基片,在基片上直接粘接有精密运算放大器、大功率三极管对管和保护三极管对管,在基片上面设有金导带层和电阻层,所述的电阻层形成第一~第四电阻,在精密运算放大器、大功率三极管对管和保护三极管对管与基片、基片与管座的管脚之间设有引线,所述的精密运算放大器输入端作为该低失调、低噪声功率运算放大器的输入端,精密运算放大器输出端输出电流信号经过第一、第二电阻转为电压信号并与大功率三极管对管的基极连接,大功率三极管对管的集电极即为该低失调、低噪声功率运算放大器的输出端,精密运算放大器的另一个输出端分别通过第三电阻与该低失调、低噪声功率运算放大器的输出端连接以及通过第四电阻接地,第三电阻和第四电阻的结点引出补偿端,保护三极管对管的基极和发射极引出外接保护电阻接线端,保护三极管对管的集电极接在大功率三极管对管的基极。
2.根据权利要求1所述的低失调、低噪声功率运算放大器,其特征是所述的基片厚度 为 0. 3 0. 7mmο
3.根据权利要求1所述的低失调、低噪声功率运算放大器,其特征是所述的精密运算 放大器的型号为OP07。
专利摘要一种低失调、低噪声功率运算放大器,包括管座、管壳,其特殊之处是在管座上粘接有微晶玻璃基片,所述的基片厚度为0.3~0.7mm,在基片上直接粘接有精密运算放大器、大功率三极管对管和保护三极管对管,在基片上面设有金导带层和电阻层,在精密运算放大器、大功率三极管对管和保护三极管对管与基片、基片与管座的管脚之间设有引线。优点是结构紧凑、噪声低、失调低,同时也给安装工艺带来了极大的方便。
文档编号H03F1/26GK201577065SQ20102015006
公开日2010年9月8日 申请日期2010年4月1日 优先权日2010年4月1日
发明者田 健, 薛晓东 申请人:锦州七七七微电子有限责任公司
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