专利名称：串联可控硅同步触发装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电力设备领域，特别涉及到用于电力系统中的一种串联可控硅的 同步触发装置。
背景技术：
本实用新型主要应用于6-35KV范围及以上电压等级的串联可控硅的电力系统中 同步触发。目前，可控硅的同步触发有两种方式第一种电磁触发方式，采用电流互感器 方式，这种触发方式的设备比较庞大，它采用绝缘套管贯穿信号电缆，套管外安排相当数量 的环形铁芯，这样，信号电缆是环形铁芯的公共一次绕组，每个环形铁芯上的绕组是它的二 次绕组，它将感应来的触发信号传递到相应的晶闸管阀如图1所示。这套管要做成电容式 套管，使相邻铁芯之间的电位梯度均等，以免因电位集中而击穿。而且电磁触发系统易受 电磁干扰，脉冲放大需要用高强度的隔离变压器，这就使设备结构庞大，使用不方便。第二 种.光电触发方式，这种方式的相应设备比前者小，它采用光导纤维传递信号，该方法可避 免电磁干扰，而且绝缘性能良好，因而可靠性比电磁触发方式高。光电触发系统如图2所 示，由控制室来的信号经过发送器处理后，采用光导纤维传送到接收器触发可控硅。采用光 电触发方式虽可避免电磁干扰，但仍旧由于结构较复杂，成本较高。所以，这两种传统的方 式都存在固有的缺陷。
发明内容本实用新型需要解决的技术问题是，针对已有技术中存在着或是易受电磁干扰， 离不开高强度隔离变压器导致体积庞大；或是由于结构复杂、成本高等诸多不利因素，使两 种现有的装置结构都不宜于推广使用，为了克服这些弊端，就需要重新设计一种用来触发 的装置，本实用新型的目的是提供一种串联可控硅同步触发装置，使其既能克服电磁干扰， 又避免了结构复杂体积庞大的缺陷，本实用新型的目的是采用以下技术方案来实现的，一 种串联可控硅同步触发装置，包含一个完整的机柜，机柜内部装置有光电耦合电路、变压器 串联或电流互感器耦合的供电电路，其特征在于所述电路中的元件采用触发响应时间很 短的高速光耦可控硅，将η级可控硅光耦合触发电路进行串联连接，最后一级连接输出端 口。每当前一级可控硅触发导通后，开关接通其下一级可控硅触发，之后再接通第三级可控 硅触发，依次顺序触发，直到所串联的η级可控硅全部触发导通。所述串联的η级可控硅光耦合触发电路，η的范围为2至50以上。从第一级触发导通到最后一级所用时间为光耦的传输延迟时间大的η倍，工作中 一般选用IOns的光耦，也可以是其他数值光耦。由于采用高速光耦可控硅，触发响应时间很短，串联了 η级可控硅从第一级触发 导通到最后一级所用时间仅为光耦的传输延迟时间nXt(t为光耦的传输延迟时间，一般 可选速度为IOns左右的光耦可控硅)，如果总级数在50级，总传输时间也不过500ns，响应 速度较快，完全可以满足对整串可控硅的导通一致性的要求。可控硅触发导通时间在10 μ s左右。每一级光耦的工作电源可采用变压器串联或电流互感器耦合供电等方式。本图只 画出可控硅的正向触发方式，可控硅反向触发方式与此相同。本实用新型的有益效果是，该串联可控硅同步触发装置提高了系统的可靠性、安 全性，克服了传统方法中易受电磁干扰的缺陷，电路中也勿需设置高强度的隔离变压器，体 积不再庞大，总体结构简单，成本低廉。
图1为传统的电磁触发方式原理示意图；图2为光电触发方式原理示意图；图3为本实用新型的快速光耦可控硅串联触发装置原理示意图；图4为上述装置的外貌示意图。
具体实施方式
参照图1、图2，表示在已知技术中常用到的可控硅的同步触发的两种方式，图1表 示电磁触发方式，其中信号电缆1是环形铁芯2的公共一次绕组，信号电缆外面套有一层绝 缘套管3，在图2中，表示了另一种同步触发方式，即光电触发方式，图中发送器4连接到控 制室的出口，通过光导纤维5的传输连接着阀高位电子设备处的接收器6。参照图3、图4表示本实用新型的快速光耦合可控硅串联触发装置原理及外貌示 意图，图3中共有η级可控硅串联在总电路中，其中7为一级串联的可控硅，串联总级数η 可以选择50级(或其他)，从第一级光耦触发导通后，触发与此相连的可控硅导通，同时触 发第二级光耦导通，第二级光耦导通后触发与此相连的可控硅，同时触发第三级光耦导通， 依次触发下去，直到所串联的第η级光耦触发导通以及可控硅导通，图4表示一个整体机柜 8，其对外的输出端口连接着电路中串联总级数50级的末端。由于采用快速光耦，触发响应 时间很短，从第一级触发导通到最后一级所用时间仅为光耦的传输延迟时间nXt(t为光 耦的传输延迟时间，一般可选IOns左右的光耦)，如果总级数在50级，总传输时间也不过 500ns，响应速度较快。
权利要求一种串联可控硅同步触发装置，包含一个完整的机柜，机柜内部装置有光电耦合电路、变压器串联或电流互感器耦合的供电电路，其特征在于，所述电路中的元件采用触发响应时间很短的高速光耦可控硅，将n级可控硅光耦合触发电路进行串联连接，最后一级连接输出端口。
2.根据权利要求1所述的串联可控硅同步触发装置，其特征在于，所述串联连接的η级 可控硅光耦合触发电路，η的范围为2至50或50以上。
3.根据权利要求1所述的串联可控硅同步触发装置，其特征在于，选用导通延迟时间 为IOns的光耦。
专利摘要一种串联可控硅同步触发装置，属于电力设备领域，该装置包含一个完整的机柜，机柜内部装置有光电耦合电路、变压器串联或电流互感器耦合的供电电路，所述电路中的元件采用触发响应时间很短的高速光耦可控硅，将n级可控硅光耦合触发电路进行串联连接，最后一级连接输出端口。该串联可控硅同步触发方法提高了系统的可靠性、安全性，克服了传统方法中易受电磁干扰的缺陷，电路中也勿需设置高强度的隔离变压器，结构简单，成本低廉。
文档编号H03K17/78GK201682476SQ201020170389
公开日2010年12月22日 申请日期2010年4月22日 优先权日2010年4月22日
发明者乔云庭, 赵世红 申请人:赵世红;乔云庭