专利名称：一种GaAs微波功率放大器保护控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电路，特别是一种GaAs (砷化镓)微波功率放大器保护控制 电路。
背景技术：
发射机的主要功能就是将携带有用PCM信号的射频信号功率放大到一定的功率 后输出，通过天线传回地面，供地面设备接收处理分析。目前发射机普遍选用GaAs微波功 率放大器来实现射频信号的功率放大，而GaAs微波功率放大器要安全正常工作，就必须满 足以下条件提供负极性的栅极偏置电压，同时还须保证栅极负电压比给放大器供电源级 正电压先建立的特性。现今DC/DC 二次电源模块设计时没有考虑负电压比正电压先建立的 功能，因此需要设计一种电路来实现负电源比正电源先建立的功能，以达到保护GaAs微波 功率放大器安全工作的目的。
发明内容本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种GaAs微波功率放大器保护控制电 路。该电路利用负电压控制正电压的输出，只有负电压建立以后正电压才能加载到功率放 大器的电源输入端，最终实现对功率放大器的供电保护功能，保证其安全正常工作。为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案=GaAs微波功率放大器保护控制电 路。包括高速光电耦合器、开关三极管和PMOS晶体管，所述高速光电耦合器内部的发光三 极管的输入端连接负电压；高速光电耦合器内部的光敏三极管的输入端连接正电压，光敏 三极管的输出端串接开关三极管；开关三极管串接PMOS晶体管。上述的GaAs微波功率放大器保护控制电路中，具体的说是这样的所述高速光电 耦合器的输出端连接到开关三极管的基极，开关三极管的发射极接地，开关三极管的集电 极连接到PMOS晶体管的栅极，PMOS晶体管的漏极接电源输出的直流正电压，PMOS晶体管的 源极输出直接接功率放大器的供电管脚。本实用新型的有益效果与现有技术相比，本实用新型利用负电压控制正电压的 输出，只有负电压建立以后正电压才能加载到功率放大器的电源输入端，最终实现对功率 放大器的供电保护功能，为产品中的关键件(功率放大器)的安全正常可靠工作提供了保 证。本实用新型是目前GaAs功率放大器安全正常工作必须的保护电路，在使用GaAs功率 放大器的设备中可以普遍采用，具有广泛的设计参考价值。
图1是本实用新型的原理图。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步的说明。
具体实施方式
实施例。如图1所示，包括高速光电耦合器1、开关三极管2和PMOS晶体管3，本 例中高速光电耦合器1的型号为HSSR-7111，开关三极管2的型号为BT2369，PM0S晶体管3 的型号为IRF4905S。高速光电耦合器1内部的发光三极管4的输入端连接负电压VSS ；光 电耦合器1内部的光敏三极管5的输入端连接正电压VCC，光敏三极管5的输出端串接开关 三极管2 ；开关三极管2串接PMOS晶体管3。高速光电耦合器1的输出端连接到开关三极 管2的基极，开关三极管2的发射极接地，开关三极管2的集电极连接到PMOS晶体管3的 栅极，PMOS晶体管3的漏极接电源输出的直流正电压VCC，PMOS晶体管3的源极输出VCC’ 直接接功率放大器的供电管脚。工作原理当负电压VSS (-5V)未加在光电耦合器1的输入端6时，光电耦合器1 内部的发光三极管4不能打开，正电压VCC无法通过，开关三极管2无法导通，PMOS晶体管 3的栅极与漏极电压相同，无电压差，PMOS晶体管3不能打开，VCC'无输出电压(VCC’为功 率放大器的供电电压)，此时功率放大器不会工作，避免了功率放大器在栅极没有-5V偏置 电压的情况下直接加载正电压而导致功率放大器烧毁失效，实现了对功率放大器的保护。当负电压VSS (-5V)加在光电耦合器1的输入端6时，光电耦合器1内部的发光 三极管4打开，正电压VCC通过，开关三极管2导通，PMOS晶体管3的栅极电压约为0V，栅 极与漏级的电压差小于_4V，PM0S晶体管3打开，正电压通过PMOS晶体管3后为功率放大 器供电。本实用新型的实施方式不限于上述实施例，在不脱离本实用新型宗旨的前提下做 出的各种变化均属于本实用新型的保护范围之内。
权利要求一种GaAs微波功率放大器保护控制电路，包括高速光电耦合器(1)、开关三极管(2)和PMOS晶体管(3)，其特征在于所述高速光电耦合器(1)内部的发光三极管(4)的输入端连接负电压(VSS)；高速光电耦合器(1)内部的光敏三极管(5)的输入端连接正电压(VCC)，光敏三极管(5)的输出端串接开关三极管(2)；开关三极管(2)串接PMOS晶体管(3)。
2.根据权利要求1所述的GaAs微波功率放大器保护控制电路，其特征在于所述高速 光电耦合器(1)的输出端连接到开关三极管(2)的基极，开关三极管(2)的发射极接地，开 关三极管(2)的集电极连接到PMOS晶体管(3)的栅极，PMOS晶体管(3)的漏极接电源输出 的直流正电压(VCC)，PMOS晶体管(3)的源极输出(VCC’ )直接接功率放大器的供电管脚。
专利摘要本实用新型公开了一种GaAs微波功率放大器保护控制电路，包括高速光电耦合器(1)、开关三极管(2)和PMOS晶体管(3)，所述光电耦合器(1)内部的发光三极管(4)的输入端连接负电压；高速光电耦合器(1)内部的光敏三极管(5)的输入端连接正电压，其输出端串接开关三极管(2)；开关三极管(2)串接PMOS晶体管(3)。本实用新型利用负电压控制正电压的输出，实现对功率放大器的供电保护功能，为产品中的关键件(功率放大器)的安全正常可靠工作提供了保证。
文档编号H03F1/52GK201656917SQ20102020876
公开日2010年11月24日 申请日期2010年5月31日 优先权日2010年5月31日
发明者杨亚宁 申请人:中国江南航天工业集团林泉电机厂