新型窄带二次陷波器的制作方法

文档序号:7519795阅读:499来源:国知局
专利名称:新型窄带二次陷波器的制作方法
技术领域
本实用新型属于电子技术领域,涉及一种陷波器,具体涉及一种新型窄带二次陷 波器。
背景技术
在电子系统中,往往需要消除某些无用信号,以减小对有用信号的干扰,这些无用 信号存在于某个或多个频率点上,而有用信号覆盖的频率很宽,使得带通滤波器难于消除 某些无用信号。因此,带阻滤波器应运而生,例如噪声测试中需要检测微安级的信号,如果 不增加带阻滤波器,则电源噪声很可能就会将待检测的信号湮没。作为带阻滤波器的一种, 陷波器主要用于无线电接收机,以消除无用信号。但目前使用的陷波器,大多采用PCB工艺 制造,体积较大,应用于对体积有严格要求的环境时,受到限制。而且精度、一致性及阻带宽 度都不够理想。
发明内容为了克服上述现有技术中存在的问题,本实用新型的目的是提供一种新型窄带二 次陷波器,体积较小,能应用于对体积有严格要求的环境中,且提高了精度、一致性,减小了 阻带宽度。为实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是,新型窄带二次陷波器,包括串 联的一级陷波器电路1和二级陷波器电路2,一级陷波器电路1的结构和二级陷波器电路2 的结构相同。一级陷波器电路1包括依次串联的第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容Cl,一级 陷波器电路1还包括串联的第三电阻R3和第四电阻R4,第一电阻Rl的另一端与第三电阻 R3的另一端相连接,第一电容Cl的另一端分别与第五电阻R5的一端、第二电容C2的一端 和第一运算放大器Al的正相输入端相连接,第四电阻R4的另一端分别与第一运算放大器 Al的反相输入端、第六电阻R6的一端和第七电阻R7的一端相连接,第六电阻R6的另一端 接地,第七电阻R7的另一端与第八电阻R8的一端相连接;第五电阻R5的另一端、第二电容 C2的另一端、第一运算放大器Al的输出端和第八电阻R8的另一端分别与第二陷波器电路 2相连接。第一运算放大器Al采用LF442单运算放大器。二级陷波器电路2包括依次串联的第九电阻R9、第十电阻RlO和第三电容C3,二 级陷波器电路2还包括串联的第十一电阻Rll和第十二电阻R12,第九电阻R9的另一端和 第十一电阻Rll的另一端分别与一级陷波器电路1相连接,第三电容C3的另一端分别与第 十三电阻R13的一端、第四电容C4的一端和第二运算放大器A2的正相输入端相连接,第 十二电阻R12的另一端分别与第二运算放大器A2的反相输入端、第十四电阻R14的一端和 第十五电阻R15的一端相连接,第十四电阻R14的另一端接地,第十五电阻R15的另一端与 第十六电阻R16的一端相接,第十三电阻R13的另一端、第四电容C4的另一端、第二运算放大器A2的输出端和第十六电阻R16的另一端相接。第二运算放大器A2采用LF442单运算放大器。本实用新型窄带二次陷波器采用两级陷波器电路结构,同时对输入信号进行两个 频率点的带阻滤波;每级陷波器电路只需分别调整一个电阻,就能设置不同的Q值及频率 点,生产和使用极为方便;内部电阻均采用厚膜工艺印刷,减小了电路面积。使得该窄带二 次陷波器具有体积小、重量轻、精度高、可靠性高及阻带带宽小等优点,实用价值很高。

图1是本实用新型二次陷波器的结构示意图。图2是本实用新型二次陷波器中一级陷波器电路的结构示意图。图3是本实用新型二次陷波器中二级陷波器电路的结构示意图。图1中,1. 一级陷波器电路,2. 二级陷波器电路。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型进行详细说明。如图1所示,本实用新型二次陷波器的结构,包括串联的一级陷波器电路1和二级 陷波器电路2,一级陷波器电路1的结构和二级陷波器电路2的结构相同。如图2所示,本实用新型二次陷波器中一级陷波器电路1的结构,包括由依次串联 的第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容Cl组成的第一串联电路,还包括由串联的第三电阻 R3和第四电阻R4组成的第二串联电路,第一串联电路的一端与第二串联电路的一端相连 接,即第一电阻Rl与第三电阻R3相连接,第一电容Cl的另一端分别与第五电阻R5的一端、 第二电容C2的一端和第一运算放大器Al的正相输入端相连接,第四电阻R4的另一端分别 与第一运算放大器Al的反相输入端、第六电阻R6的一端和第七电阻R7的一端相连接,第 六电阻R6的另一端接地,第七电阻R7的另一端与第八电阻R8的一端相连接;第五电阻R5 的另一端、第二电容C2的另一端、第一运算放大器Al的输出端和第八电阻R8的另一端相 接,并与第二陷波器电路2相连接。第一电阻Rl、第二电阻R2、第五电阻R5、第一电容Cl和第二电容C2构成第一陷波 器电路1的基本电路;第三电阻R3、第四电阻R4、第六电阻R6、第七电阻R7和第八电阻R8 构成第一陷波器电路1的反馈电路;调整第五电阻R5的阻值可改变一级陷波电路1的陷波 频率点;调整第七电阻R7的阻值和第八电阻R8的阻值可改变该陷波频率点处的信号衰减值。如图3所示,本实用新型窄带二次陷波器中二次陷波器电路2的结构,包括依次串 联的第九电阻R9、第十电阻RlO和第三电容C3,还包括串联的第十一电阻Rll和第十二电 阻R12,第九电阻R9的另一端和第十一电阻Rll的另一端相接,并与第一陷波器电路1相连 接;第三电容C3的另一端分别与第十三电阻R13的一端、第四电容C4的一端和第二运算放 大器A2的正相输入端相连接;第十二电阻R12的另一端分别与第二运算放大器A2的反相 输入端、第十四电阻R14的一端和第十五电阻R15的一端相连接,第十四电阻R14的另一端 接地,第十五电阻R15的另一端与第十六电阻R16的一端相接;第十三电阻R13的另一端、 第四电容C4的另一端、第二运算放大器A2的输出端和第十六电阻R16的另一端相接。
4[0019]第九电阻R9、第十电阻R10、第十三电阻R13、第三电容C3和第四电容C4构成第 二陷波器电路2的基本电路;第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十四电阻R14、第十五电 阻R15和第十六电阻R16构成第二陷波器电路2的反馈电路;调整第十三电阻R13的阻值 可改变二级器电路2的陷波频率点;调整第十五电阻R15和第十六电阻R16可改变该陷波 频率点处的信号衰减值。第一运算放大器Al和第二运算放大器A2均采用LF442单运算放大器。一级陷波器电路1和二级陷波器电路2的基本电路结构虽然相同,但两个电路中 所用电阻的阻值完全不同,使得一级陷波器电路1和二级陷波器电路2所实现的功能不同。第一电阻R1、第三电阻R3相连接的一端接输入信号IN ;—级陷波器电路1对输入 信号IN进行第一次滤波,然后,第一次滤波后的信号送入二级陷波器电路2,二级陷波器电 路2对输入的信号进行第二次滤波,经第二运算放大器A2的输出端产生输出信号OUT,并将 该输出信号OUT最后输出。本实用新型陷波器采用多芯片集成电路设计、热设计及可靠性设计,利用厚膜混 合集成电路工艺制成;采用由外引脚、壳体和盖板构成的双列直插全密封金属结构;外引 脚镀金、壳体镀镍,采用平行缝焊密封,并在壳体内充氮气保护。内部贴片元件包括裸芯片 和其他片式元件,内部裸芯片采用金丝球焊键合,瓷片为Al2O3陶瓷基板、导带和电阻采用 厚膜丝网印刷工艺。能够对内部电阻进行激光微调,从而达到电路体积与性能的完美结合, 具有体积小、重量轻、精度高、可靠性高及阻带带宽小等优点。
权利要求1.新型窄带二次陷波器,其特征在于,包括串联的一级陷波器电路(1)和二级陷波器 电路(2),一级陷波器电路(1)的结构和二级陷波器电路(2)的结构相同。
2.按照权利要求1所述的窄带二次陷波器,其特征在于,所述的一级陷波器电路(1)包 括依次串联的第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第一电容(Cl),一级陷波器电路(1)还包括 串联的第三电阻(R3)和第四电阻(R4),第一电阻(Rl)的另一端与第三电阻(R3)的另一端 相连接,第一电容(Cl)的另一端分别与第五电阻(R5)的一端、第二电容(C2)的一端和第 一运算放大器(Al)的正相输入端相连接,第四电阻(R4)的另一端分别与第一运算放大器 (Al)的反相输入端、第六电阻(R6)的一端和第七电阻(R7)的一端相连接,第六电阻(R6)的 另一端接地,第七电阻(R7)的另一端与第八电阻(R8)的一端相连接;第五电阻(R5)的另一 端、第二电容(C2)的另一端、第一运算放大器(Al)的输出端和第八电阻(R8)的另一端分别 与第二陷波器电路(2)相连接。
3.按照权利要求2所述的窄带二次陷波器,其特征在于,所述的第一运算放大器(Al) 采用LF442单运算放大器。
4.按照权利要求1所述的窄带二次陷波器,其特征在于,所述的二级陷波器电路(2)包 括依次串联的第九电阻(R9)、第十电阻(RlO)和第三电容(C3),二级陷波器电路(2)还包括 串联的第i^一电阻(Rll)和第十二电阻(R12),第九电阻(R9)的另一端和第i^一电阻(Rll) 的另一端分别与一级陷波器电路(1)相连接,第三电容(C3)的另一端分别与第十三电阻 (R13)的一端、第四电容(C4)的一端和第二运算放大器(A2)的正相输入端相连接,第十二 电阻(R12)的另一端分别与第二运算放大器(A2)的反相输入端、第十四电阻(R14)的一端 和第十五电阻(R15)的一端相连接,第十四电阻(R14)的另一端接地,第十五电阻(R15)的 另一端与第十六电阻(R16)的一端相接,第十三电阻(R13)的另一端、第四电容(C4)的另一 端、第二运算放大器(A2)的输出端和第十六电阻(R16)的另一端相接。
5.按照权利要求2所述的窄带二次陷波器,其特征在于,所述的第二运算放大器(A2) 采用LF442单运算放大器。
专利摘要新型窄带二次陷波器,包括串联的一级陷波器电路和二级陷波器电路,一级陷波器电路的结构和二级陷波器电路的结构相同。本实用新型窄带二次陷波器体积较小,能应用于对体积有严格要求的环境中,且重量轻,精度和可靠性,阻带带宽小,实用价值很高。
文档编号H03H7/06GK201854246SQ20102058486
公开日2011年6月1日 申请日期2010年11月1日 优先权日2010年11月1日
发明者刘豫, 同军军, 郑江信 申请人:天水华天微电子股份有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1