专利名称：调速开关的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及到一种调速开关。
背景技术：
如图1所示，调速开关结构通常包括变速触点开关K1、全速触点开关K2和MOS管 (金属一氧化物一半导体场效应晶体管)。全速触点开关K2和MOS管并联后整体与变速触点开关Kl串联。上述结构的调速开关的缺点是当需要调速开关控制为全速时，需要合上全速触点开关K2，而全速触点开关K2通断时，开关电流比较大，容易产生电弧而损伤全速触点开关K2的触点，导致即使合上全速触点开关K2时也无法实现全速。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种不会产生电弧的调速开关。为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为一种调速开关，包括触点开关和MOS管及连接触点开关和MOS管的单片机。所述单片机设置在调速控制板上。本实用新型的有益效果是利用单片机控制电子元件MOS管，从而实现调速开关的变速和通断，在开关变速和通断过程中不会产生电弧，避免调速开关受到损坏。
图1是背景技术中调速开关的电路框图；图2是本实用新型调速开关的电路图。
具体实施方式
以下结合附图，详细描述本实用新型的具体实施方案。如图2所示，本实用新型所述的调速开关，包括触点开关Kl和MOS管及连接触点开关Kl和MOS管的单片机1。单片机1设置在调速控制板2上，且单片机内设定好程序，可实现调速开关的变速和通断。本实用新型的优点是利用单片机1控制电子元件MOS管，从而实现调速开关的变速和通断，在开关变速和通断过程中不会产生电弧，避免调速开关受到损坏。
权利要求1.调速开关，包括触点开关和MOS管，其特征在于还包括连接触点开关和MOS管的单片机。
2.根据权利要求1所述的调速开关，其特征在于所述单片机设置在调速控制板上。
专利摘要本实用新型公开了一种不会产生电弧的调速开关，包括触点开关和MOS管及连接触点开关和MOS管的单片机。本实用新型的优点是利用单片机控制电子元件MOS管，从而实现调速开关的变速和通断，在开关变速和通断过程中不会产生电弧，避免调速开关受到损坏。
文档编号H03K17/04GK202127387SQ201120178800
公开日2012年1月25日 申请日期2011年5月31日 优先权日2011年5月31日
发明者王金峰, 陆亚洲 申请人:张家港华捷电子有限公司