一种用于LTE系统基站中50w大功率放大器的制作方法

文档序号:7524190阅读:265来源:国知局
专利名称:一种用于LTE系统基站中50w大功率放大器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及到一种功率放大器,尤其是涉及一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器。
背景技术
射频功率放大器是LTE基站系统中的关键部件。目前用于LTE基站系统的功率放大器正在向高功率,高效率,高线性发展。因此50w的功率放大器,既要做到满足邻信道抑制的设计要求,又要做到高效率的要求,在众多的功率放大器中选择合适的各级管子,采用适当的高效率技术,将是一个漫长而又艰巨的设计过程。基于现有功率放大器的不足之处,本发明人设计了本实用新型“一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器”。

实用新型内容本实用新型针对上述现有技术的不足所要解决的技术问题是提供一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大,它既满足邻信道抑制的要求,又能做到很高的效率,还能实现50w的大功率输出。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是—种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器,输入端(10)通过微带线与第一级放大器连接,然后与一个自动增益控制电路连接,再与第二级放大器连接后,与第三级放大器连接,然后与电桥连接,与第四级放大器连接,再与四分之一波长线连接,与一个耦合器连接后,再与大功率隔离器连接,与微带线连接,最后通过输出接头输出。电桥为Anaren 公司的 3dB 电桥 XC2500E-03P。所述的微带线为50欧姆微带线。所述的四分之一波长线为35欧姆的四分之一波长线。本实用新型一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器的有益效果是配合外部DPD (数字预失真)补偿电路,满足了邻信道抑制的要求并且有一定的富余量,临道抑制比(ACPR)指标很好,ACPR 值为-53/-53. 5dBc@±5MHz, -59/_59dBc@± IOMHz0由于电路以及各级放大器选择合适,而且末级采用了 doherty的电路结构,从而实现了LTE的50w技术条件要求,功率放大器功率效率高达25%以上。它除了能够满足邻信道抑制和功耗小的设计要求,其他技术指标也很好,能够非常好的在LTE基站系统中应用。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。图I为本实用新型的电气原理图。附图标记说明10、输入端20、输出接头具体实施方式
参照

图1,本实用新型是这样实施的在图I中,一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器,其特征在于输入端10通过微带线与第一级放大器连接,然后与一个自动增益控制电路连接,再与第二级放大器连接后,与第三级放大器连接,然后与电桥连接,与第四级放大器连接,再与四分之一波长线连接,与一个耦合器连接后,再与大功率隔离器连接,与微带线连接,最后通过输出接头20输出。在本实施例中,第一级放大器采用NXP公司的BGA6589,第二级放大器采用NXP公司的BGA7027,第三级放大器采用Freescale公司的MW7IC2725,第四级放大器采用NXP公司的BLF6G27LS-140的doherty电路形式。30dB耦合器的输出端口与外部DPD (数字预失真)连接,用来进行功率采样。 以上所述,仅是本实用新型一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器的较佳 实施例而已,并非对本实用新型的技术范围作任何限制,凡是依据本实用新型的技术实质对上面实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术的范围内。
权利要求1.一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器,其特征在于输入端(10)通过微带线与第一级放大器连接,然后与一个自动增益控制电路连接,再与第二级放大器连接后,与第三级放大器连接,然后与电桥连接,与第四级放大器连接,再与四分之一波长线连接,与一个耦合器连接后,再与大功率隔离器连接,与微带线连接,最后通过输出接头(20)输出。
2.根据权利要求I所述的一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器,其特征在于所述的微带线为50欧姆微带线。
3.根据权利要求I所述的一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器,其特征在于所述的四分之一波长线为35欧姆的四分之一波长线。
4.根据权利要求I所述的一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器,其特征在于所述的耦合器为30dB耦合器。
专利摘要本实用新型涉及到一种功率放大器,尤其涉及一种用于LTE系统基站中的50w大功率放大器。输入端(10)通过微带线与第一级放大器连接,然后与一个自动增益控制电路连接,再与第二级放大器连接后,与第三级放大器连接,然后与电桥连接,与第四级放大器连接,再与四分之一波长线连接,与一个耦合器连接后,再与大功率隔离器连接,与微带线连接,最后通过输出接头(20)输出。本实用新型的有益效果是实现了LTE的50w技术条件要求,功率放大器功率效率高达25%以上。它除了能够满足邻信道抑制和功耗小的设计要求,其他技术指标也很好,能够非常好的在LTE基站系统中应用。
文档编号H03F3/20GK202586879SQ20112028551
公开日2012年12月5日 申请日期2011年8月4日 优先权日2011年8月4日
发明者李福明 申请人:深圳市鼎芯无限科技有限公司
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