专利名称：低功耗待机电路及具有该电路的电器设备的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电力电子技术领域，具体地说，是涉及一种低功耗待机电路及具有该电路的电器设备。
背景技术：
随着节能环保要求的不断提高，现有电器设备一般都设置有低功耗待机电路，在电器设备进入待机状态时，低功耗待机电路工作，在不影响待机电路工作要求的基础上实现电路的低功耗。现有电器设备中的低功耗待机电路大多是采用单片机等微处理器实现待机控制， 因此，需要编写控制程序，并预先烧写在微处理中，低功耗待机控制的复杂性和控制成本较高，且生产效率较低。
发明内容本实用新型的目的之一在于提供一种低功耗待机电路，采用开关管对电路供电电源进行开关控制，在实现低功耗待机的同时，降低电路控制的复杂性和电路成本。为解决上述技术目的，本实用新型采用以下技术方案予以实现—种低功耗待机电路，包括待机控制信号输入端，若干个主电源供电端及若干个工作电路供电端，还包括有至少一路开关电路，开关电路包括有初级NMOS管，其栅极连接其中一个主电源供电端，源极连接待机控制信号输入端，漏极一方面连接其中一个主电源供电端，另一方面与至少一个次级NMOS管的栅极相连接；次级匪OS管的漏极连接其中一个主电源供电端，其源极连接其中一个工作电路供电端。如上所述的低功耗待机电路，所述初级NMOS管的栅极通过第一上拉电阻连接其中一个主电源供电端。如上所述的低功耗待机电路，所述初级NMOS管的漏极分别与两个次级NMOS管的栅极相连接。如上所述的低功耗待机电路，所述初级NMOS管的漏极连接5V主电源供电端，所述两个次级NMOS管的漏极分别连接I. 8V主电源供电端和I. OV主电源供电端。如上所述的低功耗待机电路，所述低功耗待机电路包括至少两路开关电路，其中一路开关电路包括有NPN型三极管，其基极连接所述待机控制信号输入端，其集电极一方面连接其中一个主电源供电端，另一方面与至少一个次级PMOS管的栅极相连接，其发射极接地；次级PMOS管的源极连接其中一个主电源供电端，其漏极连接其中一个工作电路供电端。如上所述的低功耗待机电路，所述NPN型三极管的基极通过限流电阻连接所述待机控制信号输入端。如上所述的低功耗待机电路，所述NPN型三极管的集电极通过第二上拉电阻连接其中一个主电源供电端。[0013]如上所述的低功耗待机电路，所述NPN型三极管的集电极分别与两个次级PMOS管的栅极相连接。如上所述的低功耗待机电路，所述NPN型三极管的集电极连接12V主电源供电端， 所述两个次级PMOS管的源极分别连接12V主电源供电端和5V主电源供电端。本实用新型的目的之二是提供一种电器设备，该电器设备中设置有上述所述的低功耗待机电路，从而可以降低整个电器设备的成本，提高设备生产效率。与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果是本实用新型通过采用MOS管及三极管等开关管对电路供电电源进行开关控制，实现了真正的低功耗待机，同时避免了采用单片机等微处理进行控制的复杂性，提高了生产效率，降低了成本。结合附图阅读本实用新型的具体实施方式
后，本实用新型的其他特点和优点将变得更加清楚。
图I是本实用新型低功耗待机电路一个实施例的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
进行详细的描述。本实用新型针对现有低功耗待机电路主要采用单片机等微处理进行控制时存在的因需要编写和烧写程序而导致控制复杂、效率较低的问题，以及采用微处理成本较高的问题，提出了一种采用MOS管及三极管等开关管进行开关控制的低功耗待机电路，有效解决饿现有技术存在的上述问题。图I所示为本实用新型低功耗待机电路一个实施例的电路原理图。如图I所示，该实施例的低功耗待机电路包括有一个待机控制信号输入端ro#，五个主电源所输出的主电源供电端12VD、5VD、3. 3VD、1.8VD及1.0VD，还包括有四个为其他工作电路提供工作电压的工作电路供电端12VS、5VS、1. 8VS及I. OVS0要实现低功耗待机，目的是在外部要求进入低功耗待机状态时，切断大部分待机工作电路的供电，从而降低系统的功耗。考虑到系统中待机工作电路的供电电压主要集中在12V、5V、1. 8V及I. 0V，为此，该实施例的低功耗待机电路中设置了两路开关电路，分述如下第一路开关电路，包括有初级NMOS管Q4，Q4的栅极、即pinl连接3. 3VD主电源供电端，Q4的源极、即pin2连接待机控制信号输入端H)#，而Q4的漏极、即pin3 —方面通过直接或通过第一上拉电阻R61连接5VD主电源供电端，另一方面分别与两个次级NMOS管Q5 及Q6的栅极、即Q5的pinl和Q6的pinl相连接。而且，次级NMOS管Q5的漏极、即pin3 连接I. 8VD主电源供电端，Q5的源极、即pin2连接I. 8VS工作电路供电端；次级NMOS管Q6 的漏极、即pin3连接I. OVD主电源供电端，Q6的源极、S卩pin2连接I. OVS工作电路供电端。第二路开关电路，包括有NPN型三极管Ql，Ql的基极、即pinl直接或通过限流电阻R58连接待机控制信号输入端H)#，Ql的集电极、即pin3 —方面直接或通过第二上拉电阻R56连接12VD主电源供电端，另一方面分别与两个次级PMOS管Q2及Q3的栅极、即Q2的 Pinl和Q3的pinl相连接，Ql的发射极、即pin2接地。而次级PMOS管Q2的源极、即pin2连接12VD主电源供电端，Q2的漏极、即pin3连接12VS工作电路供电端；次级PMOS管Q3 的源极、即Pin2连接5VD主电源供电端，Q3的漏极、即pin3连接5VS工作电路供电端。上述电路的工作过程如下在系统电路正常工作的情况下，也即非待机时，PD#信号为高电平，此时，Ql导通， Ql的pin3输出的PDl信号为低电平。在PDl低电平信号的控制下，Q2和Q3这两个PMOS 管导通，使得12VD接通12VS，5VD接通5VS，为工作电路中采用5V和12V供电的电路部分提供工作电压，该部分电路正常工作。同时，由于PD#为高电平，此时，Q4关断，TO2#信号通过5VD的作用而为高电平。在该高电平信号的作用下，Q5和Q6这两个NMOS管均导通，使得I. 8VD接通I. 8VS，I. OVD接通I. 0VS，为工作电路中采用I. 8V和I. OV供电的电路部分提供工作电压，该部分电路正常工作。在需要进入待机状态时，待机控制信号输入端输入的PD#信号为低电平，此时，Ql 截止，Ql的Pin3输出的PDl信号为高电平。在PDl高电平信号的控制下，两个PMOS管Q2 和Q3均关断，使得12VD与12VS断开，5VD与5VS断开，从而切断了为工作电路中采用5V和 12V供电的电路部分的工作电压，该部分电路停止工作。同时，由于PD#为低电平，此时，Q4 导通，Q4的pin3输出的TO2#信号为低电平。在该低电平信号的作用下，两个NMOS管Q5 和Q6均关断，使得I. 8VD与I. 8VS断开，I. OVD与I. OVS断开，从而切断为工作电路中采用 I. 8V和I. OV供电的电路部分的工作电压，该部分电路也停止工作。由于系统工作电路供电端的12VS、5VS、1.8VS及1.0VS电源均断开，不能提供相应的供电电压，对应的工作电路停止工作，从而减少了电路功耗，实现了低功耗待机。上述实施例以存在两路开关电路的低功耗待机电路为例，实际并不局限于两路， 可以仅是一路，或者是更多路。在开关电路中，初级MOS管或三极管所连接的次级MOS管也不局限于两个，可以是一个或者在带负载能力允许范围内的更多个。上述低功耗待机电路可以在电视机、机顶盒等电器设备中应用，以降低整个电器设备的能耗，降低低功耗待机控制复杂性，提高设备生产效率。以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其进行限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的普通技术人员来说，依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型所要求保护的技术方案的精神和范围。
权利要求1.一种低功耗待机电路,包括待机控制信号输入端,若干个主电源供电端及若干个工作电路供电端，其特征在于，还包括有至少一路开关电路，开关电路包括有初级NMOS管，其栅极连接其中一个主电源供电端，源极连接待机控制信号输入端，漏极一方面连接其中一个主电源供电端，另一方面与至少一个次级NMOS管的栅极相连接；次级NMOS管的漏极连接其中一个主电源供电端，其源极连接其中一个工作电路供电端。
2.根据权利要求I所述的低功耗待机电路，其特征在于，所述初级NMOS管的栅极通过第一上拉电阻连接其中一个主电源供电端。
3.根据权利要求I或2所述的低功耗待机电路，其特征在于，所述初级NMOS管的漏极分别与两个次级NMOS管的栅极相连接。
4.根据权利要求3所述的低功耗待机电路，其特征在于，所述初级NMOS管的漏极连接 5V主电源供电端，所述两个次级NMOS管的漏极分别连接I. 8V主电源供电端和I. OV主电源供电端。
5.根据权利要求I所述的低功耗待机电路，其特征在于，所述低功耗待机电路包括至少两路开关电路，其中一路开关电路包括有NPN型三极管，其基极连接所述待机控制信号输入端，其集电极一方面连接其中一个主电源供电端，另一方面与至少一个次级PMOS管的栅极相连接，其发射极接地；次级PMOS管的源极连接其中一个主电源供电端，其漏极连接其中一个工作电路供电端。
6.根据权利要求5所述的低功耗待机电路，其特征在于，所述NPN型三极管的基极通过限流电阻连接所述待机控制信号输入端。
7.根据权利要求5所述的低功耗待机电路，其特征在于，所述NPN型三极管的集电极通过第二上拉电阻连接其中一个主电源供电端。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的低功耗待机电路，其特征在于，所述NPN型三极管的集电极分别与两个次级PMOS管的栅极相连接。
9.根据权利要求8所述的低功耗待机电路，其特征在于，所述NPN型三极管的集电极连接12V主电源供电端，所述两个次级PMOS管的源极分别连接12V主电源供电端和5V主电源供电端。
10.一种电器设备，其特征在于，所述电器设备具有上述权利要求I至9中任一项所述的低功耗待机电路。
专利摘要本实用新型公开了一种低功耗待机电路及具有该电路的电器设备。低功耗待机电路包括待机控制信号输入端，若干个主电源供电端及若干个工作电路供电端，还包括有至少一路开关电路，开关电路包括有初级NMOS管，其栅极连接其中一个主电源供电端，源极连接待机控制信号输入端，漏极一方面连接其中一个主电源供电端，另一方面与至少一个次级NMOS管的栅极相连接；次级NMOS管的漏极连接其中一个主电源供电端，其源极连接其中一个工作电路供电端。本实用新型的低功耗待机电路采用开关管对电路供电电源进行开关控制，在实现低功耗待机的同时，降低电路控制的复杂性和电路成本。
文档编号H03K17/687GK202353539SQ201120468898
公开日2012年7月25日 申请日期2011年11月23日 优先权日2011年11月23日
发明者刘永波 申请人:青岛海信宽带多媒体技术有限公司