一种单片误差放大器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种单片误差放大器，该单片误差放大器包括串联的第一级放大电路和第二级放大电路，好包括与第二级放大电路并联的补偿电路；该第一级放大电路由四个P型MOS管、四个N型MOS管、一个恒流源构建；所述第二级放大电路由两个P型MOS管和两个N型MOS管构建；所述补偿电路由一电阻和一电容构建。该新型的单片误差放大器电路结构简单，适用于集成电路中；该单片误差放大器采用两级高增益放大电路和补偿电路，在高开环增益的条件下依然可以保证环路稳定，在频率的补偿上比较方便，稳定性好。
【专利说明】—种单片误差放大器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种单片误差放大器，特别是一种采用两级高增益放大电路和补偿电路结构的半导体单片误差放大器。
【背景技术】
[0002]单片误差放大器尝用在需要精确控制其信号精度的电路或系统中，用于将误差放大便于对该误差进行识别和进行频率补偿。
[0003]现有技术的单片误差放大器增益效果不好，特别是用在半导体集成电路中时在高开环增益的条件下环路及其不稳定，在频率的补偿上也比较麻烦。
【发明内容】
[0004]本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题，提供一种适用于半导体集成电路的单片误差放大器。
[0005]本发明采用的技术方案是这样的:一种单片误差放大器，包括并联连接的第二级放大电路和补偿电路，还包括与所述第二级放大电路和补偿电路的并联电路串联的第一级放大电路。
[0006]所述第一级放大电路包括:P型的第一 MOS管、第二 MOS管、第五MOS管、第六MOS管，N型的第三MOS管、第四MOS管、第七MOS管、第八MOS管，外接的第一偏执基准电压、第二偏执基准电压，第一输入端，第二输入端，恒流源；输入电压与第一 MOS管的源极和第五MOS管的源极连接，第一 MOS管的漏极与第二 MOS管的源极连接，第五MOS管的源极与第六MOS管的源极连接，第二 MOS管的漏极与第三MOS管的漏极连接，第三MOS管的源极与第四MOS管的漏极连接，第六MOS管的漏极与第七MOS管的漏极连接，第七MOS管的源极与第八MOS管的漏极连接，第四MOS管的源极和第八MOS管的源极与恒流源的输出端连接，恒流源的另一端接地，第一偏执基准电压与第三MOS管的栅极和第七MOS管的栅极连接，第二偏执基准电压与第一 MOS管的栅极和第五MOS管的栅极连接，第一输入端与第四MOS管的栅极连接，第二输入端与第八MOS管的栅极连接，第二 MOS管的漏极与第一 MOS管的栅极连接。
[0007]所述第二级放大电路包括:P型的第十MOS管、第十一MOS管，N型的第十二MOS管、第十三MOS管，外接的第三偏执基准电压、第四偏执基准电压、第五偏执基准电压，输出端；输入电压与第十MOS管的源极连接,第十MOS管的漏极与第^ MOS管的源极连接,第^MOS管的漏极与第十二 MOS管的漏极和输出端连接，第十二 MOS管的源极与第十三MOS管的漏极连接，第十三MOS管的源极接地；第十MOS管的栅极与第一放大电路的第六MOS管的漏极和第七MOS管的漏极连接，第十一 MOS管的栅极与第三偏执基准电压连接，第十二 MOS管的栅极与第四偏执基准电压连接，第十三MOS管的栅极与第五偏执基准电压连接。
[0008]所述补偿电路包括第一电阻和第一电容；第一电阻的一端与第一级放大电路的第六MOS管的漏极、第七MOS管的漏极以及第二级放大电路的第十MOS管的栅极连接，另一端与第一电容的一端连接，第一电容与第i MOS管的漏极、第十二 MOS管的漏极和输出端连接。
[0009]综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是:该单片误差放大器采用两级高增益放大电路和补偿电路，在高开环增益的的条件下依然可以保证环路稳定，在频率的补偿上比较方便，稳定性好。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本发明单片误差放大器的电路原理图。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图，对本发明作详细的说明。
[0012]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0013]如图1所示，是本发明一种单片误差放大器的电路原理图。一种单片误差放大器，包括两级放大电路:第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路和第二级放大电路串联连接，为了增强该放大器的稳定性，在第二级放大电路中并联接入一补偿电路。即该单片误差放大器第二级放大电路和补偿电路并联，第一级放大电路与所述第二级放大电路和补偿电路的并联电路相串联。
[0014]第一级放大电路和第二级放大电路均为高增益的放大电路。
[0015] 其中，所述第一级放大电路包括:P型的第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第五MOS管M5、第六MOS管M6，N型的第三MOS管M3、第四MOS管M4、第七MOS管M7、第八MOS管M8，外接的第一偏执基准电压V1、第二偏执基准电压V2，第一输入端INl，第二输入端IN2，恒流源Il ;输入电压Vdd与第一 MOS管Ml的源极和第五MOS管M5的源极连接，第一 MOS管Ml的漏极与第二 MOS管M2的源极连接，第五MOS管M5的源极与第六MOS管M6的源极连接，第二 MOS管M2的漏极与第三MOS管M3的漏极连接，第三MOS管M3的源极与第四MOS管M4的漏极连接，第六MOS管M6的漏极与第七MOS管M7的漏极连接，第七MOS管M7的源极与第八MOS管M8的漏极连接，第四MOS管M4的源极和第八MOS管M8的源极与恒流源Il的输出端连接，恒流源Il的另一端接地GND，第一偏执基准电压Vl与第三MOS管M3的栅极和第七MOS管M7的栅极连接，第二偏执基准电压V2与第一 MOS管Ml的栅极和第五MOS管M5的栅极连接，第一输入端INl与第四MOS管M4的栅极连接，第二输入端IN2与第八MOS管M8的栅极连接，第二 MOS管M2的漏极与第一 MOS管Ml的栅极连接。
[0016]所述第二级放大电路包括:P型的第十MOS管MlO、第十一MOS管Mll，N型的第十二MOS管M12、第十三MOS管M13，外接的第三偏执基准电压V3、第四偏执基准电压V4、第五偏执基准电压V5，输出端OUT ;输入电压Vdd与第十MOS管MlO的源极连接，第十MOS管MlO的漏极与第十一 MOS管Mll的源极连接，第十一 MOS管Mll的漏极与第十二 MOS管M12的漏极和输出端OUT连接，第十二 MOS管M12的源极与第十三MOS管M13的漏极连接，第十三MOS管M13的源极接地GND ;第十MOS管MlO的栅极与第一放大电路的第六MOS管M6的漏极和第七MOS管M7的漏极连接，第十一 MOS管Mll的栅极与第三偏执基准电压V3连接，第十二 MOS管M12的栅极与第四偏执基准电压V4连接，第十三MOS管M13的栅极与第五偏执基准电压V5连接。
[0017]所述补偿电路包括第一电阻Rl和第一电容Cl ;第一电阻Rl的一端与第一级放大电路的第六MOS管M6的漏极、第七MOS管M7的漏极以及第二级放大电路的第十MOS管MlO的栅极连接，另一端与第一电容Cl的一端连接，第一电容Cl与第十一 MOS管Mll的漏极、第十二 MOS 管M12的漏极和输出端OUT连接。
[0018]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种单片误差放大器，包括并联连接的第二级放大电路和补偿电路，还包括与所述第二级放大电路和补偿电路的并联电路串联的第一级放大电路； 所述第一级放大电路包括:P型的第一MOS管(Ml)、第二MOS管(M2)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)，N型的第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)，外接的第一偏执基准电压(VI)、第二偏执基准电压(V2)，第一输入端(IN1)，第二输入端(IN2)，恒流源(11);输入电压(Vdd)与第一 MOS管(Ml)的源极和第五MOS管(M5)的源极连接，第一 MOS管(Ml)的漏极与第二 MOS管(M2)的源极连接，第五MOS管(M5)的源极与第六MOS管(M6)的源极连接，第二 MOS管(M2)的漏极与第三MOS管(M3)的漏极连接，第三MOS管(M3)的源极与第四MOS管(M4)的漏极连接，第六MOS管(M6)的漏极与第七MOS管(M7)的漏极连接，第七MOS管(M7)的源极与第八MOS管(M8)的漏极连接，第四MOS管(M4)的源极和第八MOS管(M8)的源极与恒流源(Il)的输出端连接，恒流源(Il)的另一端接地(GND)，第一偏执基准电压(Vl)与第三MOS管(M3)的栅极和第七MOS管(M7)的栅极连接，第二偏执基准电压(V2)与第一 MOS管(Ml)的栅极和第五MOS管(M5)的栅极连接,第一输入端(INl)与第四MOS管(M4)的栅极连接，第二输入端(IN2)与第八MOS管(M8)的栅极连接，第二 MOS管(M2)的漏极与第一 MOS管(Ml)的栅极连接； 所述第二级放大电路包括:P型的第十MOS管(M10)、第十一 MOS管(M11)，N型的第十二 MOS管(M12)、第十三MOS管(M13)，外接的第三偏执基准电压(V3)、第四偏执基准电压(V4)、第五偏执基准电压(V5)，输出端(OUT);输入电压(Vdd)与第十MOS管(MlO)的源极连接，第十MOS管(MlO)的漏极与第十一 MOS管(Mll)的源极连接，第十一 MOS管(Mll)的漏极与第十二 MOS管(M12)的漏极和输出端(OUT)连接，第十二 MOS管(M12)的源极与第十三MOS管(M13)的漏极连接，第十三MOS管(M13)的源极接地(GND);第十MOS管(MlO)的栅极与第一放大电路的第六MOS管(M6)的漏极和第七MOS管(M7)的漏极连接，第十一 MOS管(Mll)的栅极与第三偏执基准电压(V3)连接，第十二 MOS管(M12)的栅极与第四偏执基准电压(V4)连接，第十三MOS管`(Ml3)的栅极与第五偏执基准电压(V5)连接； 所述补偿电路包括第一电阻(Rl)和第一电容(Cl);第一电阻(Rl)的一端与第一级放大电路的第六MOS管(M6)的漏极、第七MOS管(M7)的漏极以及第二级放大电路的第十MOS管(MlO)的栅极连接，另一端与第一电容(Cl)的一端连接，第一电容(Cl)与第—^一MOS管(Mll)的漏极、第十二 MOS管(M12)的漏极和输出端(OUT)连接。
【文档编号】H03F3/45GK103684291SQ201210338042
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月13日 优先权日:2012年9月13日
【发明者】王纪云, 桑园 申请人:郑州单点科技软件有限公司