专利名称：Rc振荡电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及RC振荡电路。
背景技术：
图5表示专利文献I (尤其是图2 (b))也公开的那样的现有的RC振荡电路。该现有的RC振荡电路具备放大器I和相移电路2。相移电路2具备至少三个包括一个电阻和一个电容的RC电路元件。在图5中，设置有第一 RC电路元件31a、第二 RC电路元件31b和第三RC电路元件31c。如图5所示，第一 第三RC电路元件31a 31c具备第一 第三电阻41a 41c和第一 第二电容51a 51c。放大器I的输出端子与第一电阻41a的一个端子连接。第一电阻41a的另一个端子经由第一节点61a与第二电阻41b的一个端子连接。第一节点61a与第一电容51a的一个端子连接。第一电容51a的另一个端子接地。第二电阻41b的另一个端子经由第二节点61b与第三电阻41c的一个端子连接。第二节点61b与第二电容51b的一个端子连接。第二电容51b的另一个端子接地。第三电阻41c的另一个端子经由第三节点61c与放大器I的输入端子连接。第三节点61c与第三电容51c的一个端子连接。第三电容51c的另一个端子接地。接入放大器I的电源时，RC振荡电路以与各电阻41a 41c的电阻值和各电容51a 51c的电容值对应的振荡频率进行振荡。专利文献2 (对应美国专利申请公开第2008 / 0150646号公报)公开使用可变电阻和可变电容的RC振荡器。先行技术文献专利文献专利文献1:日本特开2002-258880号公报专利文献2:日本特开2008 - 160798号公报
发明内容
发明要解决的课题本发明的目的在于提供能够广范围地调制振荡频率的新的且非易失性的RC振荡电路。用于解决课题的方法为了达成上述目的，本发明的RC振荡电路具备放大器和相移电路，放大器具备输出端子和输入端子，相移电路具备至少三个RC电路元件。各RC电路元件具备电阻和电容。电阻串联连接在输出端子与输入端子之间。RC电路元件中的至少一个RC电路元件是包括可变电阻和可变电容的可变RC电路元件。可变RC电路元件具备第一电极、第二电极、第三电极、第四电极和第五电极、强电介质(铁电体)膜、半导体膜和常电介质膜。Z轴是强电介质膜的法线方向，X轴是与Z轴正交的方向。强电介质膜和半导体膜沿着Z轴层叠，在半导体膜的表侧的面配置有第一电极、第二电极和常电介质膜，第二电极沿X轴被夹在第一电极和常电介质膜之间。在强电介质膜的背侧的面配置第四电极和第五电极，第四电极与第五电极电绝缘。在沿Z轴的透视图中，第四电极被夹在第一电极和第二电极之间。可变电阻由第一电极、第二电极、强电介质膜的一部分、半导体膜的一部分和第四电极形成。强电介质膜的另一部分、半导体膜的另一部分和常电介质膜被夹在第三电极和第五电极之间。可变电容由第二电极、第三电极、第五电极、强电介质膜的另一部分、半导体膜的另一部分和常电介质膜形成。发明效果根据本发明，能够提供能够广范围地调制振荡频率的新的且非易失性的RC振荡电路。
图1表示实施方式的RC振荡电路的概略图。图2A表示实施方式的可变RC电路元件的截面图。图2B表示实施方式的可变RC电路元件的沿Z轴的透视图。图2C表示可变RC电路元件的等效电路图。图3A表示将实施方式中的可变电阻的电阻值设定为规定的值的步骤。图3B表示将实施方式中的可变电阻的电阻值设定为规定的值的步骤。图4A表示将实施方式中的可变电容的电容值设定为规定的值的步骤。图4B表示将实施方式中的可变电容的电容值设定为规定的值的步骤。图5表示现有的RC振荡电路的概略图。
具体实施例方式(实施方式)以下，参照
本发明的实施方式的RC振荡电路。图1表不实施方式的RC振荡电路的概略图。该RC振荡电路具备放大器I和相移电路2。相移电路2具备三个以上的RC电路元件。这些之中、一个以上的RC电路元件是可变RC电路元件3。其它的RC电路元件能够是具有固定的电阻值和电容值的RC电路元件。如图1所示，相移电路2所具备的全部的RC电路元件能够是可变RC电路元件3。在此，将三个可变RC电路元件3表示为3a、3b、3c。在图1中，相移电路2具备第一可变RC电路元件3a、第二可变RC电路元件3b和第三可变RC电路元件3c。如图1所示，第一 第三可变RC电路元件3a 3c具备第一 第三可变电阻4a 4c和第一 第三可变电容5a 5c。放大器I的输出端子与第一可变电阻4a的一个端子连接。第一可变电阻4a的另一个端子经由第一节点6a与第二可变电阻4b的一个端子连接。第一节点6a与第一可变电容5a的一个端子连接。第一可变电容5a的另一个端子接地。第二可变电阻4b的另一个端子经由第二节点6b与第三可变电阻4c的一个端子连接。第二节点6b与第二可变电容5b的一个端子连接。第二可变电容5b的另一个端子接地。
第三可变电阻4c的另一个端子经由第三节点6c与放大器I的输入端子连接。第三节点6c与第三可变电容5c的一个端子连接。第三可变电容5c的另一个端子接地。如图1所示，可变电阻4a 4c电串联连接在放大器I的输出端子和输入端子之间。接着，详细说明可变RC电路元件3的结构。图2A、图2B和图2C分别表示可变RC电路元件3的截面图、沿Z轴的透视图、等效电路图。可变RC电路元件3具备第一电极17、第二电极18、第三电极19、第四电极12和第五电极13、强电介质膜14、半导体膜15和常电介质膜16。Z轴为强电介质膜14的法线方向 。X轴为与Z轴正交的方向。Y轴是与Z轴和X轴的双方正交的方向。第一电极17 第五电极13例如是由钼膜和钛膜构成的层叠体。强电介质膜14 的材料例如是 Pb (Zr，Ti) 03、Sr (Bi，Ta) O 或 Bi12TiO2tlt5半导体膜15的材料例如是ZnO、GaN或InGaZnO。强电介质膜14和半导体膜15沿Z轴层叠。在半导体膜15的表侧的面配置有第一电极17、第二电极18和常电介质膜16。第二电极18沿X轴被夹在第一电极17和常电介质膜16之间。在强电介质膜14的背侧的面配置有第四电极12和第五电极13。在沿Z轴的透视图中，第四电极12被夹在第一电极17和第二电极18之间。可变电阻4由第一电极17、第二电极18、强电介质膜14的一部分、半导体膜15的一部分和第四电极12形成。强电介质膜14的另一部分、半导体膜15的另一部分和常电介质膜16被夹在第三电极19和第五电极13之间。可变电容5由第二电极18、第三电极19、第五电极13、强电介质膜14的另一部分、半导体膜15的另一部分和常电介质膜16形成。接着，以下说明使本实施方式的RC振荡电路振荡的方法。当接入放大器I的电源时，RC振荡电路相应于各可变电阻4a 4c的电阻值和各可变电容5a 5c的电容值，以由以下的(式I)表示的振荡频率&进行振荡。(式I)
权利要求
1.一种RC振荡电路，其具备放大器和相移电路，该RC振荡电路的特征在于: 所述放大器具备输出端子和输入端子， 所述相移电路具备至少三个RC电路元件， 各所述RC电路元件具备电阻和电容， 所述电阻串联连接在所述输出端子与所述输入端子之间， 所述RC电路元件中的至少一个RC电路元件是包括可变电阻和可变电容的可变RC电路元件， 所述可变RC电路元件具备第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、以及第五电极、强电介质膜、半导体膜和常电介质膜， Z轴是所述强电介质膜的法线方向， X轴是与所述Z轴正交的方向， 所述强电介质膜和所述半导体膜沿所述Z轴层叠， 在所述半导体膜的表侧的面配置所述第一电极、所述第二电极和所述常电介质膜， 所述第二电极沿所述X轴，被夹在所述第一电极与所述常电介质膜之间， 在所述强电介质膜的背侧的面配置所述第四电极和所述第五电极， 所述第四电极与所述第五电极电绝缘， 在沿所述Z轴的透视图中，所述第四电极被夹在所述第一电极与所述第二电极之间，所述可变电阻由所述第一电极、所述第二电极、所述强电介质膜的一部分、所述半导体膜的一部分和所述第四电极形成， 所述强电介质膜的另一部分、所述半导体膜的另一部分和所述常电介质膜被夹在所述第三电极与所述第五电极之间， 所述可变电容由所述第二电极、所述第三电极、所述第五电极、所述强电介质膜的所述另一部分、所述半导体膜的所述另一部分和所述常电介质膜形成。
2.—种使RC振荡电路振荡的方法，其特征在于，包括: 准备权利要求1所述的所述RC振荡电路的工序(a);和 接入所述放大器的电源，以与所述可变电阻的电阻值和所述可变电容的电容值对应的振荡频率使所述RC振荡电路振荡的工序(b)。
3.—种使RC振荡电路振荡的方法，其特征在于，包括: 准备权利要求1所述的所述RC振荡电路的工序(a)； 对从所述第一电极和所述第二电极中选择的至少一个电极与所述第四电极之间施加电位差，将所述可变电阻的电阻值设定为规定的值的工序(b)； 对从所述第二电极和所述第三电极中选择的至少一个电极与所述第五电极之间施加电位差，将所述可变电容的电容值设定为规定的值的工序(c);和 接入所述放大器的电源，以与在所述工序(b)中设定的所述电阻值和在所述工序(C)中设定的所述电容值对应的振荡频率使所述RC振荡电路振荡的工序(d)。
4.一种设定RC振荡电路的振荡频率的方法，其特征在于，包括: 准备权利要求1所述的所述RC振荡电路的工序(a)； 对从所述第一电极和所述第二电极中选择的至少一个电极与所述第四电极之间施加电位差 ，将所述可变电阻的电阻值设定为规定的值的工序(b);和对从 所述第二电极和所述第三电极中选择的至少一个电极与所述第五电极之间施加电位差，将所述可变电容的电容值设定为规定的值的工序(C)。
全文摘要
本发明的RC振荡电路具备放大器和相移电路。相移电路具备包括一个电阻和一个电容的至少三个RC电路元件。RC电路元件中的至少一个包括一个可变电阻和一个可变电容。可变电阻由第一电极、第二电极、半导体膜的一部分、强电介质膜的一部分和第四电极形成。可变电容由第二电极、第三电极、第五电极、强电介质膜的另一部分、半导体膜的另一部分和常电介质膜形成。
文档编号H03B5/20GK103168419SQ20128000334
公开日2013年6月19日 申请日期2012年3月2日 优先权日2011年5月9日
发明者西谷雄, 金子幸广, 上田路人 申请人:松下电器产业株式会社