抑制杂散模式的压电谐振器设计的制作方法

抑制杂散模式的压电谐振器设计的制作方法
【专利摘要】提供了用于改善常规压电谐振器的方法和装置。还提供了用于改善具有压电谐振器的滤波器的装置和方法。在示例中，压电谐振器包括基板、以及设置在基板上的压电材料。在压电材料上设置第一电极和第二电极。压电谐振器具有通带，并且压电材料的周界的一部分被锚定到基板以抑制压电材料的带内杂散模式。该部分如未被锚定则在谐振时将表现出最大、接近最大和/或过大的位移偏转。压电谐振器可集成到半导体管芯中。可在基板上设置具有带有相应不同通带的压电谐振器的多个滤波器。
【专利说明】抑制杂散模式的压电谐振器设计
[0001]公开领域
[0002]本公开一般涉及电子器件，且尤其但非排他地涉及用于改善压电谐振器的装置和方法。
[0003]背景
[0004]压电轮廓模式谐振器(CMR)把电能转换成机械能，对该机械能的一些频率进行衰减，并随后将该机械能转换回电能。输入到接触压电材料片(通常为Α1Ν、Ζη0、ΡΖΤ，等等)的输入电极的电能引起压电材料内的振动。压电材料具有特定形状，并因此具有在该压电材料中将出现机械驻波的至少一个谐振频率。与压电材料接触的输出电极随后将振动转换回电能。在压电材料的其它谐振模式中，存在压电材料中的两种不同谐振模式:1) “d31模式”，其中电信号被施加到第一方向(例如，Z轴)上而压电谐振器的运动在与第一方向垂直的第二方向(例如，X轴)上；以及2) “d33模式”,其中所施加的电信号方向和压电谐振器的运动方向相同。因为可使用d31模式来激励轮廓模式振动，故而在滤波器中惯常采用CMR。
[0005]图1描绘了常规的压电CMR100、该常规谐振器在操作期间的位移105A-C、以及该常规压电谐振器的频率响应110。在使用常规压电CMR100的常规CMR滤波器中，因为带内(即，在滤波器设计中重要的任何频谱)杂散模式会导致不同频率处的多个谐振频率，如在常规压电谐振器频率响应110中的多个密集的谐振峰值所示出的，所以带内杂散模式导致严重的滤波器故障。换言之，常规CMR滤波器具有多个通带，其中一些通带是意外地出现的。出现滤波器故障是因为压电CMR是具有窄本征模式间隔并因此具有杂散谐振模式的机械谐振器。因此，难以从常规的压电CMR实现干净的单基频谐振响应。杂散谐振模式显著降低了常规滤波器基频谐振的相位和幅度响应，这引起高通带波纹以及较差的带外抑制。当使用高频常规压电CMR时，因为在较高频处模式间隔变得更近，故而杂散模式效应被放大。
[0006]图2A描绘了常规压电CMR滤波器200，其具有输入叉指式电极205A和输出叉指式电极205B，其中每一叉指式电极205A、205B用作谐振设备200的压电部分210的锚。在图2A中，输入叉指式电极205A接收输入电能，且压电部分210将电能转换成压电部分210的机械振动。随后，在输出叉指式电极205B处，压电部分210将机械振动转换回电能。常规压电CMR滤波器200的长度和宽度被设计成使得通带中心应当达700MHz。
[0007]图2B描绘了常规压电CMR滤波器200的频率响应250。如频率响应250中可见，除了以700MHz为中心的正确设计通带之外，常规压电CMR滤波器200的通带具有数个通带。由于常规压电CMR滤波器200的多个杂散谐振模式，导致不能实现干净的单个通带。
[0008]因此，业界长期以来存在对用以改善常规压电谐振器的装置和方法的需要。业界长期以来还存在对用以改善具有压电谐振器的滤波器以及其中可实现压电谐振器的设备的装置和方法的需要。
[0009]概述
[0010]本发明的示例性实施例涉及用于改善压电谐振器、具有压电谐振器的滤波器及其中可实现压电谐振器的设备的装置和方法。[0011]在示例性实施例中，压电谐振器抑制杂散谐振模式并维持干净的基频模式频率响应，因为原本将表现出最大、接近最大和/或过大的位移的谐振器部分被锚定和/或被移除和/或被重定形和/或加载有额外材料以去除和/或减弱该位移。示例性压电谐振器被构造成在一个维度上具有较高阶模式间隔，以提供低运动阻抗。当与常规设计相比较时，所提供的压电谐振器在与该较高阶模式相关的压电谐振器侧的边界边缘处具有不同的几何形状。此不同的几何形状抑制了有害的带内杂散模式。可使用压电谐振器在单个晶片上实现具有不同通带和中心频率的滤波器。
[0012]在示例中，压电谐振器包括基板、以及设置在基板上的压电材料。在压电材料上设置第一电极和第二电极。压电谐振器具有通带，并且压电材料的周界的一部分被锚定到基板以支持压电结构和/或抑制压电材料的带内杂散模式。还可提供用于将压电材料的周界的该部分锚定到基板以抑制压电材料的带内杂散模式的装置。周界的锚定部分如果未被锚定则在杂散模式谐振时将表现出最大、接近最大和/或过大的位移偏转。压电谐振器可集成到半导体管芯中。具有在基本400MHz和基本2700MHz之间范围内的通带中心频率的滤波器可具有该压电谐振器作为滤波组件。可在基板上设置具有带有相应不同通带的压电谐振器的多个滤波器。从包括接收机、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元和计算机的组内选择的设备可具有该压电谐振器作为集成组件。在示例中还提供了具有存储于其上的指令的非瞬态计算机可读介质，这些指令如果由光刻设备执行则使该光刻设备制造压电谐振器的至少一部分。
[0013]在又一示例中，提供了 一种用于制造压电谐振器的方法。压电材料被设置在基板上。在压电材料上设置第一和第二电极。压电材料的周界的一部分被锚定到基板以支持压电结构和/或在谐振器通带内抑制压电材料的带内杂散模式。该部分被选择成使得如果未被锚定，则在杂散模式谐振时该部分表现出最大、接近最大和/或过大的位移偏转。通带的中心频率可在基本400MHz和基本2700MHz之间的范围内。
[0014]前述内容已宽泛地勾勒出本教导的特征和技术优势以使接下来的详细描述可以被更好地理解。其他特征和优点将在本文中描述，其构成权利要求的主题。本构思和所公开的具体实施例可容易地被用作改动或设计用于实施与本教义相同的目的的其他结构的基础。此类等同构造并不脱离所附权利要求所阐述的本教义的技术。被认为是本教导的特性的新颖特征就其组织和操作方法两方面连同其他目的和优点在结合附图来考虑以下详细描述时被更好地理解。仅出于解说和说明目的提供每一幅图，且并不定义对本教义的限定。
[0015]附图简要说明
[0016]给出了附图以描述本教义的示例，并且附图并不作为限定来提供。
[0017]图1描绘了常规的压电谐振器、常规谐振器在操作期间的位移、以及常规压电谐振器的频率响应。
[0018]图2A-B描绘了第二常规压电谐振器及第二常规压电谐振器的频率响应。
[0019]图3描绘了示例性通信系统。
[0020]图4描绘了示例性的具有锚定部分的CMR、该CMR在操作期间的位移、以及该CMR的频率响应。
[0021]图5描绘了另一示例性的具有锚定部分的CMR、该CMR在操作期间的位移、以及该CMR的频率响应。
[0022]图6描绘了又一示例性的具有锚定部分的CMR (该CMR具有锚定部分)、该CMR在操作期间的位移、以及该CMR的频率响应。
[0023]图7描绘了图4-6的示例性CMR的附加示例。
[0024]图8描绘了用于制造压电谐振器的方法。
[0025]根据惯例，附图中所解说的各个特征可能并非按比例绘制。相应地，出于清晰起见，各个特征的尺寸可能被任意放大或缩小。根据惯例，为了清楚起见，某些附图被简化。因此，附图可能并未绘制给定装置(例如，设备)或方法的所有组件。最后，类似附图标记用于贯穿说明书和附图标示类似特征。
[0026]详细描述
[0027]本发明的各方面在以下针对本发明具体实施例的描述和有关附图中被公开。可以设计替换实施例而不会脱离本发明的范围。另外，本发明中众所周知的元素将不被详细描述或将被省去以免湮没本发明的相关细节。
[0028]本文使用词语“示例性”来意指“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何实施例不必被解释为优于或胜过其他实施例。同样，术语“本发明的实施例”并不要求本发明的所有实施例都包括所讨论的特征、优点或工作模式。应该注意，术语“连接”、“耦合”或其任何变体，意指在两个或更多个元件之间的直接或间接的任何连接或耦合，且可涵盖“被连接”或“耦合”在一起的两个元件之间存在一个或多个中间元件。元件之间的耦合或连接可为物理的、逻辑的或其组合。如本文采用的，作为若干非限定和非穷尽性示例，两个元件可被认为通过使用一条或多条导线、电缆、和/或印刷电气连接，以及通过使用电磁能量来“连接”或“耦合”在一起，该电磁能量诸如具有射频区域、微波区域以及光学(可见和不可见两者)区域中的波长的电磁能量。
[0029]应该理解，术语“信号”可包括任何信号，诸如数据信号、音频信号、视频信号、多媒体信号。信息和信号能使用各种各样的不同技艺和技术中的任一种来表示。例如，贯穿本描述可能述及的数据、指令、命令、信息、信号、位、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示。
[0030]应当理解，本文中使用诸如“第一”、“第二”等之类的指定对元素的任何引述一般并不限定这些元素的数量或次序。相反，这些命名在本文中用作区别两个或更多个元素或者元素实例的便捷方法。因此，对第一元素和第二元素的引述并不意味着仅能采用两个元素、或者第一元素必须位于第二元素之前。同样，除非另外声明，否则元素集合可包括一个或多个元素。另外，在说明书或权利要求中使用的“A、B、或C中的至少一者”形式的术语表示“A或B或C或这些元素的任何组合”。
[0031 ] 本文中所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而并不旨在限定本发明的实施例。如本文所使用的，单数形式的“一”、“某”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。还将理解，术语“包括”、“具有”、“包含”和/或“含有”在本文中使用时指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元素、和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或其群组的存在或添加。
[0032]在本文中所使用的空间描述(例如，“顶”、“中间”、“底”、“左”、“中心”、“右”、“上”、
“下”、“垂直”、“水平”，等等)仅仅用于解说目的而不是限定性描述符。藉此所述结构的实际实现在空间上可按提供藉此所述功能的任何取向来布置。此外，本文中在使用术语“田比邻”以描述集成电路元件之间的空间关系时，毗邻集成电路元件不需要直接物理接触，并且其它集成电路元件可位于毗邻集成电路元件之间。
[0033]此外，许多实施例是根据由例如计算设备和/或光刻设备的元件执行的动作序列来描述的。将认识到，本文中所描述的各种动作能由专用电路(例如，专用集成电路(ASIC))、由正被一个或多个处理器执行的程序指令、或由这两者的组合来执行。另外，本文中所描述的这些动作序列可被认为是完全体现在任何形式的计算机可读存储介质内，其内存储有一经执行就将使相关联的处理器执行本文所描述的功能性的相应计算机指令集。因此，本发明的各种方面可以用数种不同形式来体现，所有这些形式都已被构想落在所要求保护的主题内容的范围内。另外，对于本文中所描述的每个实施例，任何此类实施例的对应形式可在本文被描述为例如“配置成执行所描述的动作的逻辑”。
[0034]兎直
[0035]在示例性实施例中，压电谐振器抑制杂散谐振模式并维持干净的基频模式频率响应，因为原本将表现出最大、接近最大和/或过大的位移的谐振器部分被锚定和/或被重定形和/或加载有额外材料以去除和/或减弱该位移。示例性压电谐振器被构造成在一个维度上具有较高阶模式间隔，以提供低运动阻抗。当与常规设计相比较时，所提供的压电谐振器在与该较高阶模式相关的压电谐振器侧的边界边缘处具有不同的几何形状。此不同的几何形状抑制了有害的带内杂散模式。可使用压电谐振器在单个晶片上实现具有不同通带和中心频率的滤波器。
[0036]在示例中，压电谐振器包括基板、以及设置在基板上的压电材料。设置第一电极和第二电极与压电材料接触。压电谐振器具有通带，并且压电材料的周界的一部分被锚定到基板以抑制压电材料的带内杂散模式。该部分如果未被锚定则在谐振时将表现出最大偏转。
[0037]附图描沭
[0038]图3描绘了其中可有利地采用本公开的实施例的示例性通信系统300。出于解说目的，图3示出了三个远程单元320、330和350以及两个基站340。将认识到，常规无线通信系统可具有多得多的远程单元和基站。远程单元320、330和350包括如下将进一步讨论的本公开的实施例325A-C的至少一部分。图3示出从基站340到远程单元320、330和350的前向链路信号380，以及从远程单元320、330和350到基站340的反向链路信号390。
[0039]在图3中，远程单元320被示为移动电话，远程单元330被示为便携式计算机，且远程单元350被示为无线本地环路系统中的位置固定的远程单元。例如，远程单元可以是发射机、接收机、移动电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(诸如个人数字助理)、导航设备(例如启用GPS的设备)、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、位置固定的数据单元(诸如读表装置)或者存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备，或者其任何组合。尽管图3解说根据本公开的教义的远程单元，但本公开并不限于这些所解说的示例性单元。本公开的实施例可以合适地在任何设备中使用。
[0040]图4-7描绘了根据本发明实施例的示例性轮廓模式谐振器(CMR)、示例性CMR在操作期间的相应位移以及示例性CMR的相应频率响应。图4-7中的示例性CMR使得能实现具有更低复杂性、更简单设计和/或紧凑形状因子的通信设备。图4-7中的示例性CMR还使得能够在单个芯片上制造具有不同通带频率的高性能滤波器阵列。
[0041]图4描绘了示例性第一 CMR400。在第一 CMR400中，压电材料410的两个基本相对侧405A、405B被锚定(即，固定)到基板。在示例中，相对侧405A、405B基本上整体被锚定。第一 CMR400的锚定部分如果未被锚定则在谐振时将表现最大、接近最大和/或过大的位移偏转。第一电极415A和第二电极415B与基本垂直于锚定的相对侧405A、405B的表面接触。在示例中，第一 CMR400以d33谐振模式操作。在图7中可以找到第一 CMR400的另一视图。
[0042]图4还描绘了第一 CMR在操作期间的位移420A、420B。位移图像420A、420B反映出第一 CMR400具有锚定的基本相对侧405A、405B。当与常规谐振器在操作期间的位移105A-C相比较时，第一 CMR在操作期间的位移420A、420B示出第一 CMR400具有更加受约束及受控的位移，以减弱杂散谐振模式。锚定第一 CMR400的效果在第一 CMR400的频率响应425中得以反映，当与常规压电谐振器的频率响应110相比较时，频率响应425示出第一 CMR400减弱了杂散谐振模式并因此具有较少通带。
[0043]图5描绘了示例性第二 CMR500。在第二 CMR500中，压电材料515的两个基本相对侧510A、510B的外部505A-D被锚定(即，固定)到基板，而两个基本相对侧510A、510B的内部520未被锚定。在示例中，锚定部分从压电材料515的本体伸出。第二 CMR500的锚定部分如果未被锚定则将在谐振时表现出最大、接近最大和/或过大的位移偏转。第一电极525A和第二电极525B与基本垂直于锚定的相对侧510A、510B的表面接触。在示例中，第二CMR500以d33谐振模式操作。在图7中可以找到第二 CMR500的另一视图。
[0044]图5还描绘了第二 CMR在操作期间的位移530A、530B。位移图像530A、530B反映出第二 CMR500具有基本相对侧510A、510B的锚定的外部。当与常规谐振器在操作期间的位移105A-C相比较时，第二 CMR在操作期间的位移530A、530B示出第二 CMR500具有更加受约束及受控的位移，以减弱杂散谐振模式。锚定第二 CMR500的效果在第二 CMR500的频率响应535中得以反映，当与常规压电谐振器的频率响应110相比较时，频率响应535示出第二 CMR500减弱了杂散谐振模式并因此具有较少通带。
[0045]图6描绘了示例性第三CMR600。在第三CMR600中，压电材料615的两个基本相对侧610A、610B的外部605A-D经由相应的倒角620A-D被锚定(即，固定)到基板。第三CMR600的锚定部分如果未被锚定则将在谐振时表现出最大、接近最大和/或过大的位移偏转。第一电极625A和第二电极625B与基本垂直于锚定的相对侧610A、610B的表面接触。在示例中，第三CMR600以d33谐振模式操作。在图7中可以找到第三CMR600的另一视图。
[0046]图6还描绘了第二 CMR在操作期间的位移630A、630B。位移图像630A、630B反映出第三CMR600具有基本相对侧610A、610B的锚定的外部。当与常规谐振器在操作期间的位移105A-C相比较时，第三CMR在操作期间的位移630A、630B示出第三CMR600具有更加受约束及受控的位移，以减弱杂散谐振模式。锚定第三CMR600的效果在第三CMR600的频率响应635中得以反映，当与常规压电谐振器的频率响应110相比较时，频率响应635示出第三CMR600减弱了杂散谐振模式并因此具有较少通带。
[0047]图7描绘了图4-6的示例性CMR的附加示例。“带有扩展模式” (WEM)设备700是第一 CMR400的示例。当WEM设备700的长度等于该WEM设备700的宽度的10倍时，该WEM设备700具有第一频率响应705，其在与常规设备相比较时示出杂散谐振模式的减弱和单个清晰通带。当WEM设备的包络被推向极致且WEM设备700的长度等于该WEM设备700的宽度的20倍时，得到第二频率响应710，其开始表现出带内杂散模式。
[0048]图7还描绘了 “带有扩展模式，O形”(WEMO)设备715，其是第二 CMR500的示例。当WEMO设备715的长度等于该WEMO设备715的宽度的20倍时，该WEMO设备715具有频率响应720，其在与常规设备相比较时示出杂散谐振模式的减弱和单个清晰通带，以及对带内杂散谐振模式的抑制。
[0049]图7还描绘了 “带有扩展模式，I形”(WEMI)设备725，其是第三CMR600的示例。当WEMI设备725的长度等于该WEMO设备715的宽度的20倍时，该WEMI设备725具有频率响应730，其在与常规设备相比较时示出杂散谐振模式的减弱和单个清晰通带，以及对带内杂散谐振模式的抑制。
[0050]图8描绘了用于制造压电谐振器的方法800。可使用光刻设备来实现方法800。[0051 ] 在步骤805中，压电材料被沉积在基板上。
[0052]在步骤810中，第一电极被设置在基板上且与压电材料相接触。
[0053]在步骤815中，第二电极被设置在基板上且与压电材料相接触。
[0054]在步骤820中，压电材料的周界的一部分被锚定到基板和/或被重定形和/或加载有额外材料以抑制压电材料的带内杂散模式。带内指的是压电谐振器的通带。该部分原本在谐振时将表现出最大、接近最大和/或过大的位移偏转。通带的中心频率可在基本400MHz和基本2700MHz之间的范围内。
[0055]益论
[0056]本领域技术人员将领会，结合本文中公开的实施例描述的各种解说性逻辑板块、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、计算机软件或两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性，各种解说性组件、块、模块、电路和步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员对于每种特定应用可用不同的方式来实现所描述的功能性，但这样的实现决策不应被解读成导致脱离了本发明的范围。
[0057]在一些方面，本文中的教导能在能够通过共享可用系统资源(例如，通过指定带宽、发射功率、编码、交织等中的一者或多者)来支持与多个用户通信的多址系统中采用。例如，本文中的教导能应用于以下技术中的任何一个技术或其组合:码分多址(CDMA)系统、多载波CDMA (MCCDMA)、宽带CDMA (W-CDMA)、高速分组接入(HSPA、HSPA+)系统、时分多址(TDMA)系统、频分多址(FDMA)系统、单载波FDMA (SC-FDMA)系统、正交频分多址(OFDMA)系统、或者其他多址技术。采用本文中的教导的无线通信系统能被设计成实现一种或多种标准，诸如IS-95、cdma2000、IS-856、W-CDMA、TDSCDMA、以及其他标准。CDMA网络能实现诸如通用地面无线电接入(UTRA)、cdma2000、或其他某种技术的无线电技术。UTRA包括W-CDMA和低码片率(LCR)。cdma2000技术涵盖IS-2000、IS-95和IS-856标准。TDMA网络能实现诸如全球移动通信系统(GSM)等无线电技术。OFDMA网络可以实现诸如演进UTRA (E-UTRA)、IEEE802.1UIEEE802.16、IEEE802.20、Flash-OFDM RTM 等的无线电技术。UTRA、E_UTRA 和GSM是通用移动电信系统(UMTS)的一部分。本文中的教导能在3GPP长期演进(LTE)系统、超移动宽带(UMB)系统和其他类型的系统中实现。LTE是使用E-UTRA的UMTS版本。UTRA、E-UTRA, GSM、UMTS和LTE在来自名为“第3代伙伴项目”(3GPP)的组织的文献中描述，而cdma2000在来自名为“第3代伙伴项目2”(3GPP2)的组织的文献中描述。尽管本公开的某些方面能用3GPP术语来描述，但是应当理解，本文中的教导能应用于3GPP (例如，Re 199、Rel5、Rel6、Rel7)技术以及 3GPP2 (例如，IxRTT，IxEV-DO RelO, RevA, RevB)技术和其他技术。这些技术能在新兴和未来的网络和接口中使用，包括长期演进(LTE)。
[0058]结合本文中公开的实施例描述的方法、序列和/或算法可直接在硬件中、在由处理器执行的软件模块中、或在这两者的组合中体现。软件模块可驻留在RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM或本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读写信息。替换地，存储介质可以被整合到处理器。
[0059]本发明的实施例可包括体现本文中所述方法和/或用于制造本文中所述设备的至少一部分的方法的计算机可读介质。因此，本发明并不限于所解说的示例且任何用于执行文本所描述的功能的手段均被包括在本发明的实施例中。
[0060]所公开的设备和方法能被设计并能被配置在⑶SII和GERBER计算机文件中、存储在计算机可读介质上。这些文件进而被提供给制造处理者，制造处理者使用光刻设备基于这些文件来制造设备。结果产生的产品是半导体晶片，其随后被切割为半导体管芯并被封装成半导体芯片。这些芯片随后在本文描述的设备中采用。
[0061]已描述或解说的任何内容都不意图造成任何组件、步骤、特征、对象、益处、优点、或等同物奉献给公众，无论其是否记载在权利要求中。
[0062]尽管本公开示出了本发明的示例性实施例，但是应当注意到，在其中可作出各种更换和改动而不会脱离如所附权利要求定义的本发明的范围。根据本文中所描述的本发明实施例的方法权利要求的功能、步骤和/或动作不必按任何特定次序来执行。
【权利要求】
1.一种压电谐振器，包括: 基板； 压电材料； 耦合到所述压电材料的第一电极；以及 耦合到所述压电材料的第二电极， 其中所述压电谐振器具有通带，并且所述压电材料的周界的一部分被锚定到所述基板以抑制所述压电材料的带内杂散模式，以及 其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出基本上最大的偏转。
2.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述压电谐振器集成在半导体管芯中。
3.一种包括如权利要求1所述的压电谐振器的滤波器。
4.如权利要求3所述的滤波器，其特征在于，所述通带的中心频率在基本400MHz和基本2700MHz之间的范围内。
5.设置在基板上的多个滤波器，每一滤波器包括如权利要求1所述的压电谐振器，其中每一压电谐振器具有不 同通带。
6.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，还包括所述压电谐振器集成到其中的设备，所述设备选自包括接收机、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元和计算机的组。
7.一种包括存储于其上的指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令如果由光刻设备执行则使所述光刻设备制造压电谐振器的至少一部分，所述压电谐振器包括: 基板； 压电材料； 耦合到所述压电材料的第一电极；以及 耦合到所述压电材料的第二电极， 其中所述压电谐振器具有通带，并且所述压电材料的周界的一部分被锚定到所述基板以抑制所述压电材料的带内杂散模式，以及 其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出最大偏转。
8.如权利要求7所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述压电谐振器被制造在半导体管芯中。
9.如权利要求7所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，进一步包括存储于其上的指令，所述指令如果由光刻设备执行则使所述光刻设备制造包括如权利要求7所述的压电谐振器的滤波器的至少一部分。
10.如权利要求7所述的非瞬态计算机可读介质,其特征在于,所述通带的中心频率在基本400MHz和基本2700MHz之间的范围内。
11.如权利要求7所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，进一步包括存储于其上的指令，所述指令如果由光刻设备执行则使所述光刻设备制造设置在基板上的多个滤波器的至少一部分，每一滤波器包括如权利要求7所述的压电谐振器，其中每一压电谐振器具有不同通带。
12.一种用于制造压电谐振器的方法，包括:将压电材料设置在基板上； 将第一电极设置在所述基板上且与所述压电材料相接触； 将第二电极设置在所述基板上且与所述压电材料相接触， 其中所述压电谐振器具有通带；以及 将所述压电材料的周界的一部分锚定到所述基板以抑制所述压电材料的带内杂散模式，其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出最大偏转。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述通带的中心频率在基本400MHz和基本2700MHz之间的范围内。
14.一种压电谐振器,包括: 基板； 压电材料； 耦合到所述压电材料的第一电极； 耦合到所述压电材料的第二电极， 其中所述压电谐振器具有通带，以及 用于将所述压电材料的周界的一部分锚定到所述基板以抑制所述压电材料的带内杂散模式的装置，其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出最大偏转。
15.如权利要求14所述的压电谐振器，其特征在于，所述谐振器集成在半导体管芯中。
16.一种包括如权利要求14所述的压电谐振器的滤波器。
17.如权利要求16所述的滤波器，其特征在于，所述通带的中心频率在基本400MHz和基本2700MHz之间的范围内。
18.设置在基板上的多个滤波器，每一滤波器包括如权利要求14所述的压电谐振器，其中每一压电谐振器具有不同通带。
19.如权利要求14所述的压电谐振器，其特征在于，还包括所述压电谐振器集成到其中的设备，所述设备选自包括接收机、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元和计算机的组。
20.—种压电谐振器,包括: 基板； 压电材料； 耦合到所述压电材料的第一电极；以及 耦合到所述压电材料的第二电极， 其中所述压电谐振器具有通带，并且所述压电材料的周界的一部分被移除以抑制所述压电材料的带内杂散模式，以及 其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出基本上最大的偏转。
21.—种压电谐振器,包括: 基板； 压电材料； 耦合到所述压电材料的第一电极；以及 耦合到所述压电材料的第二电极， 其中所述压电谐振器具有通带，并且所述压电材料的周界的一部分被重定形以抑制所述压电材料的带内杂散模式，以及 其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出基本上最大的偏转。
22.—种压电谐振器,包括: 基板； 压电材料； 耦合到所述压电材料的第一电极；以及 耦合到所述压电材料的第二电极， 其中所述压电谐振器具有通带，并且所述压电材料的周界的一部分加载有额外材料以抑制所述压电材料的带内杂散模式，以及 其中所述部分如未被锚定则在谐振时将表现出基本上最大的偏转。
【文档编号】H03H9/05GK103947109SQ201280056354
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2012年11月15日 优先权日:2011年11月15日
【发明者】S-J·朴, J·金 申请人:高通股份有限公司