专利名称：Nmos管栅电压电平移位电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电平移位电路，尤其涉及一种NMOS管栅电压电平移位电路。
背景技术：
电平移位电路将低压控制信号转换为高压控制信号，实现低压逻辑对高压功率输出级的控制，属于高压器件的控制技术领域，在电机驱动、PDP显示、OLED显示等方面得到了广泛的应用。在高压器件的控制技术领域，可将控制电路和高压输出驱动电路集成在一起，实现高耐压、大电流、高精度。为了提供很大的驱动能力，通常需要采用很大的输出级驱动管。电平移位电路作为连接控制电路和输出驱动级的关键电路，一方面要求有很高的驱动能力，满足输出级的驱动要求；另一方面电平移位电路也是高电压工作，要求有比较低的静态电流，从而降低功耗。常规的电平移位电路将低电压控制信号转换为高电压控制信号，用于驱动高压下工作的输出级NMOS管。在该情况下，输出级NMOS管的最大栅源电压为VPP,为保证可靠性，必须使晶体管能够承受VPP的高电压，通常采用增加栅氧厚度等一些复杂的工艺解决，但一方面增加了工艺成本，另一方面当工作电压不断增大时，工艺解决的难度将大幅提高。对于输出级NMOS管，常规的方法是采用低电压控制信号直接驱动。随着工艺的不断发展，控制电路的工作电压不断降低，并且输出级的栅氧厚度较厚，因此造成低电平控制信号的驱动能力不足。
实用新型内容本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单、可靠性高、并且低电平控制信号驱动能力强的NMOS管栅电压电平移位电路。为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案:一种NMOS管栅电压电平移位电路，包括第一二极管、第二二极管、第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第三MOS管的源极为电压输入端，所述第三MOS管的栅极分别与所述第五MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极分别与所述第四MOS管的漏极和所述第六MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的源极分别与所述第五MOS管的源极、所述第六MOS管的源极和所述第七MOS管的源极连接后接地，所述第五MOS管的漏极分别与所述第一 MOS管的漏极和所述第二 MOS管的栅极连接，所述第六MOS管的漏极分别与所述第七MOS管的栅极、所述第一 MOS管的栅极和所述第二 MOS管的漏极连接，所述第一 MOS管的源极与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第二二极管的正极与所述第二 MOS管的源极连接，所述第七MOS管的漏极为电压输出端。本实用新型的有益效果在于:本实用新型NMOS管栅电压电平移位电路的结构简单、可靠性高、并且低电平控制信号驱动能力强。
图1是本实用新型NMOS管栅电压电平移位电路的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明:如图1所示，本实用新型NMOS管栅电压电平移位电路，包括第一二极管Dl、第二二极管D2、第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6和第七MOS管M7，第三MOS管M3的源极为电压输入端，第三MOS管M3的栅极分别与第五MOS管M5的栅极和第四MOS管M4的栅极连接，第三MOS管M3的漏极分别与第四MOS管M4的漏极和第六MOS管M6的栅极连接，第四MOS管M4的源极分别与第五MOS管M5的源极、第六MOS管M6的源极和第七MOS管M7的源极连接后接地，第五MOS管M5的漏极分别与第一 MOS管Ml的漏极和第二 MOS管M2的栅极连接，第六MOS管M6的漏极分别与第七MOS管M7的栅极、第一 MOS管Ml的栅极和第二 MOS管M2的漏极连接，第一 MOS管Ml的源极与第一二极管Dl的正极连接，第一二极管Dl的负极与第二二极管D2的负极连接，第二二极管D2的正极与第二 MOS管M2的源极连接，第七MOS管M7的漏极为电压输出端。使用本实用新型NMOS管栅电压电平移位电路的工作原理如下所示:电路工作时，电压输入由高电平变为低电平，第五MOS管M5关断，第六MOS管M6导通。假设第二 MOS管M2开启，第二 MOS管M2的漏端节点的电压为高，第二二极管D2反向击穿，存在很大的击穿电流，快速地将第二 MOS管M2的漏端节点的电压拉低，从而使第一MOS管Ml打开，第一 MOS管Ml的漏端电压升高，关闭第二 MOS管M2。将第二 MOS管M2的漏端电压降低到接近第二二极管D2的反向击穿电压时，电流迅速减小，维持住第二 MOS管M2的漏端电压。电压输入由低电平变为高电平时，第五MOS管M5导通，第六MOS管M6关断，第一二极管Dl被反向击穿产生很大的电流，第一 MOS管Ml的漏端电压降低，打开第二MOS管M2，将第二 MOS管M2的漏端节点的电压拉到VPP。
权利要求1.一种NMOS管栅电压电平移位电路，其特征在于:包括第一二极管、第二二极管、第一MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第三MOS管的源极为电压输入端，所述第三MOS管的栅极分别与所述第五MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极分别与所述第四MOS管的漏极和所述第六MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的源极分别与所述第五MOS管的源极、所述第六MOS管的源极和所述第七MOS管的源极连接后接地，所述第五MOS管的漏极分别与所述第一MOS管的漏极和所述第二 MOS管的栅极连接，所述第六MOS管的漏极分别与所述第七MOS管的栅极、所述第一 MOS管的栅极和所述第二 MOS管的漏极连接，所述第一 MOS管的源极与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第二二极管的正极与所述 第二 MOS管的源极连接，所述第七MOS管的漏极为电压输出端。
专利摘要本实用新型公开了一种NMOS管栅电压电平移位电路，包括第一二极管、第二二极管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第三MOS管的源极为电压输入端，所述第三MOS管的栅极分别与所述第五MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极分别与所述第四MOS管的漏极和所述第六MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的源极分别与所述第五MOS管的源极、所述第六MOS管的源极和所述第七MOS管的源极连接后接地，所述第五MOS管的漏极分别与所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的栅极连接，本实用新型NMOS管栅电压电平移位电路的结构简单、可靠性高、并且低电平控制信号驱动能力强。
文档编号H03K19/0185GK203166864SQ201320182339
公开日2013年8月28日 申请日期2013年4月12日 优先权日2013年4月12日
发明者刘立峰, 芮立国 申请人:成都瑞途电子有限公司