高响应速度、低温度系数的复位电路的制作方法
【专利摘要】高响应速度、低温度系数的复位电路，涉及集成电路【技术领域】。本实用新型包括依次相连接的电压采样电路、电压检测电路和输出电路。所述电压采样电路包括第一电阻、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极。所述电压检测电路包括第一CMOS反相器和第一电容，第一CMOS反相器包括第一PMOS晶体管和第三NMOS晶体管。所述输出电路包括依次相连接的第一施密特触发器、第二CMOS反相器和第三CMOS反相器。输出电路的输出连接到延时电路的输入端，延时电路根据电路系统的复位要求调节输出复位信号时间的长短和对复位信号整形。本实用新型是一种具备高响应速度、接近零温度系数的复位电路，能充分保证复位电路工作的可靠性。
【专利说明】高响应速度、低温度系数的复位电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路【技术领域】，特别是可集成到芯片内部的高响应速度、低温度系数的复位电路。
【背景技术】
[0002]随着大规模集成电路的高速发展，复位电路可以说是在每个IC芯片电路中都有的电路模块，多用于数字系统做异步复位信号，检测电源电压是否正常上、下电，保证电路内部数字逻辑的正确性。
[0003]复位电压要求在电源各种上、下电情况下都能给出正确的复位信号，所以该电路所包含的电压检测电路就不能采用常规的靠采样电路对电源电压采样，利用模拟比较器将采样电压与BANDGAP输出的基准电压做比较的方法实现，这是由于BANDGAP电路本身存在启动电压，在低于启动电压的情况下，GANDGAP不能给出正确的基准电压，会导致比较器输出结果在电源电压上电过程中不正确，不能准确的提供系统复位。
[0004]参看图1，现有技术中，集成电路里常用的复位电路包括分压电路和电压检测电路。分压电路由限流电阻(或者是有源电阻、电流源)和栅极与漏极相连的NMOS晶体管组成，由于复位电阻要符合低功耗的要求，限流电阻Rl必须很大，所以流过Ml晶体管的电流Idsi很小，并通过饱和区晶体管电流公式:
【权利要求】
1.高响应速度、低温度系数的复位电路，其特征在于，它包括依次相连接的电压采样电路(101)、电压检测电路(102)和输出电路(103);所述电压采样电路(101)包括第一电阻(Rl)，第一电阻(Rl)的一端接电源VDD，第一电阻(Rl)的另一端接第一 NMOS晶体管(Ml)的漏极和栅极，第一 NMOS晶体管(Ml)的源极接第二 NMOS晶体管(M2)的漏极，第二 NMOS晶体管(M2)的栅极接第一 NMOS晶体管(Ml)的漏极，第一 NMOS晶体管(Ml)的栅极和第二NMOS晶体管(M2)的栅极连接到第一 NMOS晶体管(Ml)的漏极，第二 NMOS晶体管(M2)的源极接地VSS ;所述电压检测电路(102)包括第一 CMOS反相器和第一电容(Cl)，第一 CMOS反相器的输入端接到电压采样电路(101)中第一 NMOS晶体管(Ml)的源极和第二 NMOS晶体管(M2)的漏极，第一 CMOS反相器包括第一 PMOS晶体管(MO)和第三NMOS晶体管(M3);第一电容(Cl)的一端接第一 CMOS反相器的输入端，第一电容(Cl)的另一端接地VSS ;所述输出电路(103)包括依次相连接的第一施密特触发器(SI)、第二 CMOS反相器和第三CMOS反相器，第一施密特触发器(SI)的输入端接电压检测电路(102)的输出端，第三CMOS反相器的输出端输出一个有效的复位信号(P0RN)，第二 CMOS反相器包括第四PMOS晶体管(M4)和第五NMOS晶体管(M5)，第三CMOS反相器包括第七PMOS晶体管(M7)和第六NMOS晶体管(M6);输出电路(103)的输出连接到延时电路的输入端，延时电路根据电路系统的复位要求调节输出复位信号时间的长短和对复位信号整形。
2.根据权利要求1所述的高响应速度、低温度系数的复位电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管(Ml)为原生NMOS晶体管，第一 NMOS晶体管(Ml)采用的低开启电压值在0?0.3V,第二 NMOS晶体管(M2)采用的标准开启电压值在0.3V?0.7V。
3.根据权利要求1或2所述的高响应速度、低温度系数的复位电路，其特征在于，所述第一电阻(Rl)采用电流源、无源电阻或者有源器件PMOS晶体管。
4.根据权利要求3所述的高响应速度、低温度系数的复位电路，其特征在于，所述电压检测电路(102)中的第一电容(Cl)采用原生电容。
【文档编号】H03K17/28GK203554401SQ201320631535
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年10月14日 优先权日:2013年10月14日
【发明者】霍俊杰, 邰晓鹏, 孙志亮, 李侠, 侯艳, 岳超, 黄钧, 陈震 申请人:北京同方微电子有限公司