高频元器件的制作方法
【专利摘要】本发明能利用LC谐振电路的电感器实现较大的电感，并在不增加层叠体高度的情况下改善LC谐振电路的Q值。高频元器件(11)构成有具有第1端(SA)和第2端(SB)的横向电感器(14A、14B)，并构成有在与横向电感器(14A、14B)的第1端(SA)相连接的平面导体和与横向电感器(14A、14B)的第2端(SB)相连接的平面导体之间夹设绝缘层而构成的电容器(15A、15B)，横向电感器(14A、14B)呈卷绕至少多于一匝的螺旋状。
【专利说明】高频元器件
【技术领域】
[0001]本发明涉及在将绝缘层进行层叠而成的层叠体的内部构成有LC谐振电路的高频元器件。
【背景技术】
[0002]利用在层叠体的内部构成有LC谐振电路的元器件作为高频元器件。对于这样的高频元器件，期待在构成小型的层叠体的同时提高LC谐振电路的Q值。
[0003]LC谐振电路的电感器有时在层叠体的内部由环状的导体图案构成，在此情况下，已知通过增大环路直径，能改善LC谐振电路的Q值。不过，若增大电感器的环路直径，则会导致层叠体的大型化，因此，在通过使电感器的环路直径的大型化来改善LC谐振电路的Q值方面存在限制。
[0004]因此,作为电感器,有时构成横向电感器，该横向电感器以在与绝缘层的层叠方向正交的方向上延伸的卷绕轴为中心，在与该卷绕轴垂直的平面内将层间连接导体及线状导体设置成环状(例如，参照专利文献1)。横向电感器的环路的一部分由层间连接导体构成，因此，与全部由线状导体构成的情况相比，能低电阻地构成。因此，将这样的横向电感器用作LC谐振电路的电感器，能提高LC谐振电路中的Q值。
现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1:日本专利特开2011-244504号公报
【发明内容】
发明所要解决的技术问题
[0006]然而，横向电感器为了获得电感需要增大环路直径，从而使形成在层叠体的层叠方向上的层间连接导体变长，因此，难以同时实现层叠体的高度降低和电感的增大。尤其是，在使LC谐振电路与较低的频率区域相对应的情况下，需要进一步增大横向电感器的电感，降低高频元器件的高度变得非常困难。
[0007]因此，本发明的目的在于提供一种高频元器件，即使使用横向电感器来改善LC谐振电路的Q值，也能在不增厚层叠体的情况下增大电感。
解决技术问题所采用的技术方案
[0008]本发明的高频元器件包括:层叠体，该层叠体通过将多个绝缘层进行层叠而构成；平面导体，该平面导体沿着所述绝缘层的表面扩展；线状导体，该线状导体沿着所述绝缘层的表面延伸；以及层间连接导体，该层间连接导体贯通所述绝缘层，其特征在于，构成有横向电感器，该横向电感器具有第1端和第2端，并通过连接在所述第1端和所述第2端之间的所述线状导体及所述层间连接导体将以与所述层叠体的层叠方向正交的方向作为卷绕轴方向，通过与所述横向电感器的第1端相连接的第1平面导体、与所述横向电感器的第2端相连接的第2平面导体、以及夹设在所述第1平面导体和所述第2平面导体之间的所述绝缘层构成电容器，所述横向电感器呈沿着所述卷绕轴方向卷绕至少多于一匝的螺旋状。
[0009]以下，在本发明中，将横向电感器的一匝定义为:将层间连接导体、线状导体、层间连接导体、线状导体按照该顺序环状连接而构成，或者将线状导体、层间连接导体、线状导体、层间连接导体按照该顺序环状连接而构成。
[0010]在该结构中，由于构成具有设置在层叠体内部的螺旋状的横向电感器的LC谐振电路，因此，在LC谐振电路中能改善Q值，而且，与构成仅在单一平面内进行卷绕的环状的电感器的情况相比，能抑制层叠体在层叠方向上的尺寸。
[0011]优选为由所述横向电感器及所述电容器形成的LC谐振电路构成有多个，多个LC谐振电路各自的横向电感器的所述卷绕轴相互平行，在所述卷绕轴方向上观察时，由所述线状导体和所述层间连接导体形成的卷绕范围至少一部分重合。由此，能通过调节各横向电感器的卷绕范围所重合的面积、沿着卷绕轴的配置间隔来调节LC谐振电路之间的耦合，能容易地设定滤波特性中的衰减极点和频带宽度。
[0012]也可以具备设置在所述层叠体的外表面的输入输出端子及接地端子，在所述卷绕轴方向上相邻的至少一组所述横向电感器各自的第1端与所述输入输出端子相连接，各自的第2端与所述接地端子侧相连接，在所述层叠体的内部，所述第2端彼此接近。或者，也可以在所述层叠体的内部使所述第1端彼此接近。
[0013]在横向电感器中，若使在卷绕轴方向上相邻的一组横向电感器以接地端子侧的第2端彼此接近，则能增强横向电感器之间的磁场引起的耦合度。此外，若使一组横向电感器以输入输出端子侧的第1端彼此接近，则能减弱横向电感器之间的磁场引起的耦合度。因此，通过确定层叠体内部的横向电感器两端的方向，也能设定横向电感器之间的f禹合度。
[0014]优选为所述第1平面导体或所述第2平面导体设置在与作为所述横向电感器的一部分的所述线状导体相同的绝缘层表面上。通过该结构，能降低层叠体中的绝缘层的层叠数。
[0015]优选为所述第2平面导体是与所述接地端子导通的接地导体，并设置在与所述横向电感器相对的位置上，所述第1平面导体设置在所述层叠体内的所述横向电感器与所述第2平面导体之间。由此，能抑制横向电感器与接地导体之间产生的寄生电容。
[0016]优选为所述高频元器件还具备使所述多个LC谐振电路之间或所述输入输出端子与所述LC谐振电路之间进行耦合的耦合用电感器或耦合用电容器。由此，能扩大多级LC谐振电路之间的耦合度的调节范围。
[0017]优选为在所述卷绕轴方向观察时，所述耦合用电容器或所述耦合用电感器设置在所述横向电感器的卷绕范围的内侧。由此，能实现层叠体进一步的小型化、横向电感器中的环路直径的增大。
[0018]优选为作为所述横向电感器的一部分的所述线状导体形成在多个绝缘层上的、在所述层叠体的层叠方向观察时相重合的位置上，多个所述线状导体通过所述层间连接导体并联连接。由此，使横向电感器的线状导体多层化，增大线状导体的实际截面积，从而使横向电感器低电阻化。因此，能进一步提高LC并联谐振电路的Q值。
[0019]优选为使位于所述第1平面导体及所述第2平面导体之间的绝缘层的相对介电常数比其它绝缘层要大。由此，能增大LC谐振电路的电容器的电容，降低电极面积，抑制LC谐振电路的电容器和横向电感器之间产生的寄生电容。 发明效果
[0020]根据本发明的高频元器件，通过将LC谐振电路的电感器作为螺旋状的横向电感器构成，能实现较大的电感，抑制层叠体在层叠方向上的尺寸，还能改善LC谐振电路中的Q值。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1是本发明的实施方式1所涉及的高频元器件的等效电路图。
图2是本发明的实施方式1所涉及的高频元器件的立体图、等效立体图、及侧剖视图。图3是本发明的实施方式2的变形例所涉及的高频元器件的立体图、等效立体图、及侧首1J视图。
图4是本发明的实施方式3所涉及的高频元器件的等效电路图。
图5是本发明的实施方式3所涉及的高频元器件的分解立体图。
图6是本发明的实施方式3所涉及的高频元器件的示意立体图及侧剖视图。
图7是本发明的实施方式4所涉及的高频元器件的分解立体图。
图8是本发明的实施方式4所涉及的高频元器件的示意立体图及侧剖视图。
图9是本发明的实施方式3及4所涉及的高频元器件的滤波特性图。
图10是本发明的实施方式5所涉及的高频元器件的示意立体图及滤波特性图。
图11是本发明的实施方式6所涉及的高频元器件的侧剖视图及滤波特性图。
图12是本发明的实施方式7所涉及的高频元器件的侧剖视图及滤波特性图。
图13是本发明的实施方式8所涉及的高频元器件的等效电路图及滤波特性图。
图14是本发明的实施方式9所涉及的高频元器件的分解立体图。
图15是本发明的实施方式10所涉及的高频元器件的分解立体图。
【具体实施方式】
[0022]以下，对实施方式1所涉及的高频元器件进行说明。此处，以用作高频滤波器的高频元器件为例进行说明，该高频元器件具有在通频带的高频侧及低频侧具有阻止频带的带通滤波特性。
[0023]图1是实施方式1所涉及的高频元器件11的等效电路图。高频元器件11构成带通滤波器，该带通滤波器由输入输出端子P1、P2、电容器Cl、C2、C12、电感器L1、L2构成。
[0024]电感器L1、L2具有与输入输出端子P1、P2相连接的第1端SA、与接地端子相连接的第2端SB。电容器Cl与电感器L1并联连接，并与电感器L1 一起构成谐振电路LC1。同样，电容器C2与电感器L2并联连接，并与电感器L2 —起构成谐振电路LC2。
[0025]在谐振电路LC1与谐振电路LC2之间连接有电容器C12。该电容器C12是使谐振电路LC1与谐振电路LC2之间进行电容耦合的耦合用电容器。此外，谐振电路LC1和LC2的电感器L1和L2彼此之间进行感应耦合。
[0026]此外，谐振电路LC1与输入端子P1直接相连接，从而构成输入级的谐振电路。谐振电路LC2与输出端子P2直接相连接，从而构成输出级的谐振电路。通过以上的电路部分，构成在输入输出端子P1和P2之间两级并联谐振电路进行耦合的带通滤波器。
[0027]图2(A)是实施方式1所涉及的高频元器件11的立体图。高频元器件11具备长方体状的层叠体12。
[0028]在以下的说明中，将图2(A)中示出的层叠体12的左边前侧的面称为正面，将层叠体12的右边里侧的面称为背面，将层叠体12的右边前侧的面称为右侧面，将层叠体12的左边里侧的面称为左侧面。
[0029]层叠体12将与下表面及上表面垂直的方向作为层叠方向，层叠体12通过将多个绝缘层进行层叠而构成。另外，层叠体12的绝缘层例如由热塑性树脂等树脂材料、低温烧结陶瓷等陶瓷材料构成。
[0030]在层叠体12的外表面设有输入输出端子13A、13B和接地端子13C。输入输出端子13A相当于图1中的输入端子P1，从层叠体12的上表面经由左侧面延伸到下表面。输入输出端子13B相当于图1中的输出端子P2，从层叠体12的上表面经由右侧面延伸到下表面。接地端子13C设置在层叠体12的下表面上。
[0031]图2(B)是实施方式1所涉及的高频元器件11的透过立体图。
[0032]在层叠体12的内部形成有在与绝缘层的层叠方向正交的方向上延伸的线状导体161A、162A、163A、164A、165A、161B、162B、163B、164B、165B、以及在绝缘层的面方向上扩展的平面导体18A、18B、19。线状导体161A?165A、161B?165B及平面导体18A、18B、19例如由印刷形成的导电糊料的烧制体、利用光刻工艺形成图案的铜箔等构成。
[0033]此外，在构成层叠体12的绝缘层上形成有在层叠方向上贯通各绝缘层的层间连接导体 171A、172A、173A、174A、175A、176A、171B、172B、173B、174B、175B、176B。层间连接导体171A?176AU71B?176B例如通过在各绝缘层上设置通孔、将导电性糊料填充到通孔内并将导电性糊料进行烧结而形成。
[0034]然后，在层叠体12的内部构成有横向电感器14A、横向电感器14B、电容器15A、及电容器15B，其中，横向电感器14A由线状导体161A?165A及层间连接导体171A?176A构成，横向电感器14B由线状导体161B?165B及层间连接导体171B?176B构成，电容器15A由平面导体18A、19构成，电容器15B由平面导体18B、19构成。
[0035]横向电感器14A相当于图1中的电感器L1，在层叠体12的内部配置在中心的左侧面侧，从位于层叠体12的左侧面侧的第1端SA起到位于层叠体12的中心侧的第2端SB，将层间连接导体171A、线状导体161A、层间连接导体172A、线状导体162A、层间连接导体173A、线状导体163A、层间连接导体174A、线状导体164A、层间连接导体175A、线状导体165A、及层间连接导体176A按照该顺序相连接而构成。由此，横向电感器14A设置成以与层叠体12的层叠方向正交的方向、此处以在对层叠体12的左侧面和右侧面之间进行连接的方向上延伸的卷绕轴CA为中心，呈从第1端SA到第2端SB沿着卷绕轴CA前进的右螺纹状(右螺旋状)。
[0036]此外，横向电感器14B相当于图1中的电感器L2，在层叠体12的内部配置在中心的右侧面侧，从位于层叠体12的右侧面侧的第1端SA起到位于层叠体12的中心侧的第2端SB，将层间连接导体176B、线状导体165B、层间连接导体175B、线状导体164B、层间连接导体174B、线状导体163B、层间连接导体173B、线状导体162B、层间连接导体172B、线状导体161B、及层间连接导体171B按照该顺序相连接而构成。由此，横向电感器14B设置成以卷绕轴CA为中心，呈从第1端SA到第2端SB沿着卷绕轴CA前进的左螺纹状(左螺旋状)。
[0037]这样，横向电感器14A、14B通过将约2+(3/4)匝的层间连接导体与线状导体相连接而构成。横向电感器14A、14B的一匝是通过将两个层间连接导体与两个线状导体环状连接而构成的。这样，横向电感器14A、14B通过将至少比一匝要多的层间连接导体和线状导体相连接而螺旋状地构成，因此，与仅在单一平面内进行卷绕而环状地构成的情况相比，能实现较大的电感，并且即使实现较大的电感也能抑制层叠体12在层叠方向上的尺寸的增大。
[0038]图2(C)是表不层叠体12中的横向电感器14A、14B和电容器15A、15B的配置位置的剖视图，表示与层叠体12的正面及背面平行的面上的层叠体12的截面。
[0039]电容器15A相当于图1中的电容器C1，通过使第1平面导体18A与第2平面导体19在夹着绝缘层的状态下相对而形成。第1平面导体18A和横向电感器14A的下面侧的线状导体162AU64A设置在同一层上，因此，能降低层叠体12中的绝缘层的层叠数。而且，第1平面导体18A位于横向电感器14A的左侧面侧，并连接有横向电感器14A的左侧面侧的第1端SA，且与层叠体12的左侧面的输入输出端子13A相连接。
[0040]此外，电容器15B相当于图1中的电容器C2，通过使第1平面导体18B与第2平面导体19在夹着绝缘层的状态下相对而形成。第1平面导体18B和横向电感器14B的下面侧的线状导体162BU64B设置在同一层上，因此，能降低层叠体12中的绝缘层的层叠数。而且，第1平面导体18B位于横向电感器14B的右侧面侧，并连接有横向电感器14B的右侧面侧的第1端SA，且与层叠体12的右侧面的输入输出端子13B相连接。
[0041]第2平面导体(接地导体)19经由未图示的层间连接导体与层叠体12的下表面的接地端子13C相连接。接地导体19设置在层叠体12的横向电感器14A、14B的下面侧，从上面侧观察层叠体12时，与横向电感器14A、14B及电容器15A、15B的平面导体18A、18B重合。因此，能防止安装高频元器件11的外部基板侧的导体图案等与高频元器件11内部的导体图案进行耦合而对高频元器件11的滤波特性产生影响。此外，将接地导体19作为构成电容器15A、15B的第2平面导体，因此，能降低层叠体12中的绝缘层的层叠数。在该接地导体19上的、层叠体12中的横向电感器14A和横向电感器14B之间的中心附近，分别连接有横向电感器14A的右侧面侧(层叠体中心侧)的第2端SB和横向电感器14B的左侧面侧(层叠体中心侧)的第2端SB。
[0042]此外，图1中的电容耦合用的电容器C12由横向电感器14A的线状导体及层间连接导体与横向电感器14B的线状导体及层间连接导体沿着卷绕轴CA相对而产生的电容构成。
[0043]在沿着卷绕轴CA透视该层叠体12的情况下，配置成横向电感器14A的卷绕范围与横向电感器14B的卷绕范围相互重合。另外，各卷绕范围既可全部重合，也可以一部分重八口 ο
[0044]此外，对于横向电感器14Α和横向电感器14Β中、各自的线状导体、层间连接导体沿着卷绕轴CA相对的每个组，从输入输出端子13Α、13Β侧朝接地导体19侧的方向(图2 (Β)中箭头所示的信号的传输方向)相一致。若这样将信号的传输方向相一致的两个横向电感器相邻配置，则在各自的卷绕范围内产生的磁通的方向相一致，在相互的磁通得到增强的方向上进行感应耦合(正耦合)。
[0045]此外，对于横向电感器14Α和横向电感器14Β，使与各自的接地导体19侧相连接的第2端SB彼此在层叠体12的中心附近接近，因此，与使横向电感器14A和横向电感器14B的第1端SA与第2端SB接近的情况相比，横向电感器14A和横向电感器14B之间的感应耦合变强。
[0046]另外，横向电感器14A和横向电感器14B中的一方也可以卷绕成使图2(B)中箭头所不的信号的传输方向变为相反方向。在此情况下，横向电感器14A和横向电感器14B各自在卷绕范围内产生的磁通的方向相反，因此，在横向电感器14A和横向电感器14B之间，在相互的磁通减弱的方向上进行感应耦合(负耦合)。在此情况下，也能通过使横向电感器14A和横向电感器14B的接地导体19侧的第2端SB彼此接近来提高负耦合的耦合度。
[0047]在以上的结构的高频元器件11中，能构成在谐振电路LC1与谐振电路LC2之间感应耦合的耦合度较高的带通滤波器。此外，由于使用包含层间连接导体的横向电感器14A、14B来构成谐振电路LC1、LC2，因此，能使带通滤波器的滤波特性(通频带特性)为Q值较高。此外，由于使用螺旋状的横向电感器14A、14B，因此，即使通过横向电感器14A、14B实现较大的电感，也能抑制层叠体12在层叠方向上的尺寸。
[0048]此外，在层叠体12中，使位于电容器15A和15B的平面导体之间的绝缘层(在图2(C)中进行点表示的绝缘层)的相对介电常数比其它绝缘层的相对介电常数要高。即，在电容器15A、15B中，提高了两个平面导体之间的相对介电常数。因此，能抑制构成电容器15AU5B的平面导体的相对面积，增大电容，能抑制电容器15A、15B与横向电感器14A、14B之间产生的寄生电容。
[0049]接下来，对实施方式2所涉及的高频元器件21进行说明。实施方式2所涉及的高频元器件21是前面的实施方式1所涉及的高频元器件的变形例。图3(A)是实施方式2所涉及的高频元器件21的立体图。图3(B)是实施方式2所涉及的高频元器件21的透过立体图。
[0050]高频兀器件21具备长方体状的层叠体22。在层叠体22的外表面设有输入输出端子23A、23B和接地端子23C。层叠体22、输入输出端子23A、23B、接地端子23C分别是与实施方式1所涉及的层叠体、输入输出端子、接地端子相同的结构。在层叠体22的内部构成有:由线状导体及层间连接导体构成的横向电感器24A、24B ;以及由平面导体构成的电容器 25A、25B。
[0051]横向电感器24A在层叠体22的内部配置在中心的左侧面侧，并从位于层叠体22的中心侧的第1端SA起到位于层叠体22的左侧面侧的第2端SB设置成左螺纹状(左螺旋状)。横向电感器24B在层叠体22的内部配置在中心的右侧面侧，并从位于层叠体22的中心侧的第1端SA起到位于层叠体22的右侧面侧的第2端SB设置成右螺纹状(右螺旋状)。此处，横向电感器24A、24B分别通过将约2+(3/4)匝的层间连接导体与线状导体相连接而构成。横向电感器24A、24B的一匝是通过将两个层间连接导体与两个线状导体环状连接而构成的。
[0052]图3(C)是表示层叠体22中的横向电感器24A、24B和电容器25A、25B的配置位置的剖视图，表示与层叠体22的正面及背面平行的面上的层叠体22的截面。
[0053]电容器25A、25B分别设置在横向电感器24A和横向电感器24B之间。具体而言，电容器25A配置在横向电感器24A的右侧面侧。电容器25B配置在横向电感器24B的左侧面侧。此外，在构成电容器25A的第1平面导体上连接有横向电感器24A的右侧面侧(层叠体中心侧)的第1端SA，并通过在与电容器25A的第1平面导体相同的绝缘层表面上走线的引出布线25C走线到层叠体22的左侧面而与输入输出端子23A相连接。此外，在构成电容器25B的第I平面导体上连接有横向电感器24B的左侧面侧(层叠体中心侧)的第I端SA，并通过在与电容器25B的第I平面导体相同的绝缘层表面上走线的引出布线25C走线到层叠体22的右侧面而与输入输出端子23B相连接。此外，构成电容器25A、25B的第2平面导体作为接地导体29而构成。在该接地导体29上的层叠体22的左侧面附近和右侧面附近，分别连接有横向电感器24A的左侧面侧的第2端SB和横向电感器24B的右侧面侧的第2端SB。
[0054]即使是该结构，也配置成在从左侧面侧或右侧面侧沿着卷绕轴CA透视层叠体22时，横向电感器24A的卷绕范围与横向电感器24B的卷绕范围相互重合，横向电感器24A与横向电感器24B在相互的磁通得到增强的方向上进行感应耦合(正耦合)。
[0055]此外,对于横向电感器24A和横向电感器24B,使与各自的输入输出端子23A、23B侧相连接的第I端SA彼此在层叠体22的中心附近接近，因此，与使横向电感器24A和横向电感器24B的第I端SA与第2端SB接近的情况相比，横向电感器24A和横向电感器24B之间的感应耦合变弱。
[0056]另外，即使是该结构，也可以将横向电感器24A和横向电感器24B中的一方卷绕成使图3(B)中箭头所不的信号的传输方向为相反方向，使横向电感器24A与横向电感器24B之间在相互的磁通减弱的方向上进行感应耦合(负耦合)。即使在横向电感器24A与横向电感器24B进行负耦合的情况下，仍能通过使输入输出端子23A、23B侧的第I端SA彼此接近来降低负耦合的耦合度。
[0057]如上所述，也可以构成使两级谐振电路LCl与LC2在输入输出端子之间进行耦合的带通滤波器。在这样的带通滤波器中，通过确定横向电感器L1、L2的两端SA、SB的方向，能确定相邻的横向电感器LI和L2之间的感应耦合的耦合度，能容易地设定滤波电路中的衰减极点和频带宽度。
[0058]另外，在以上的说明中，示出了在高频元器件中构成两级谐振电路LC1、LC2的示例，但在高频元器件中构成的谐振电路既可以是一级也可以多于二级。
[0059]接下来，对本发明的实施方式3所涉及的高频元器件31进行说明。图4是实施方式3所涉及的高频元器件31的等效电路图。高频元器件31构成带通滤波器，该带通滤波器由输入输出端子P1、P2、电容器C1、C2、C3、C4、C12、C23、C34、电感器L1、L2、L3、L4构成。
[0060]电感器LI?L4具有输入输出端子P1、P2侧的第I端SA、接地端子侧的第2端SB。电容器Cl与电感器LI并联连接，并与电感器LI 一起构成谐振电路LCl。同样，电容器C2与电感器L2并联连接，并与电感器L2 —起构成谐振电路LC2。电容器C3与电感器L3并联连接，并与电感器L3 —起构成谐振电路LC3。电容器C4与电感器L4并联连接，并与电感器L4 一起构成谐振电路LC4。
[0061]在谐振电路LCl与谐振电路LC2之间连接有电容器C12。同样，在谐振电路LC2与谐振电路LC3之间连接有电容器C23。在谐振电路LC3与谐振电路LC4之间连接有电容器C34。这些电容器C12、C23、C34是与谐振电路LCl?LC4之间进行电容耦合的耦合用电容器。
[0062]此外，谐振电路LCl和LC2的电感器LI和L2彼此之间进行感应耦合。同样，谐振电路LC2和LC3的电感器L2和L3彼此之间也进行感应耦合。谐振电路LC3和LC4的电感器L3和L4彼此之间也进行感应耦合。
[0063]此外，谐振电路LCl与输入端子Pl直接相连接，从而构成输入级的谐振电路。谐振电路LC4与输出端子P2直接相连接，从而构成输出级的谐振电路。谐振电路LC2、LC3在谐振电路LCl和谐振电路LC4之间进行耦合，分别构成中间级的谐振电路。
[0064]通过以上的电路部分，构成在输入输出端子Pl和P2之间四级并联谐振电路进行耦合的带通滤波器。
[0065]图5是实施方式3所涉及的高频元器件31的分解立体图。在以下的说明中，将图5中示出的绝缘层的左边前侧的面称为左侧面，将绝缘层的右边里侧的面称为右侧面，将绝缘层的右边前侧的面称为正面，将绝缘层的左边里侧的面称为背面。
[0066]高频元器件31具备通过相互层叠来构成长方体状的层叠体的绝缘层32A、32B、32C、32D、32E、32F、32G、32H、32J。绝缘层 32A、32B、32C、32D、32E、32F、32G、32H、32J 按照该顺序从层叠体32的下面侧层叠到上面侧。在各绝缘层32A?32J的表面设有平面导体、线状导体，设置在不同的层上的导体之间的连接经由设置在两个导体之间的层间连接导体而得以实现。在绝缘层32A?32J各自的左侧面及右侧面形成有构成图4中示出的输入输出端子P1、P2的电极(未图不标号)的一部分。
[0067]绝缘层32A是露出至层叠体32的下表面的绝缘层，在绝缘层32A的下面侧，从左侧面侧到右侧面侧依次形成有平面导体33A、34A、35A。平面导体33A是构成图4中示出的输入端子Pl的电极的一部分。平面导体34A是接地端子。平面导体35A是构成图4中示出的输出端子P2的电极的一部分。
[0068]绝缘层32B在上面侧形成有平面导体(接地导体)33B。接地导体33B与其下面第I层的接地端子34A相连接。
[0069]在绝缘层32C的上面侧，从左侧面侧到右侧面侧依次形成有平面导体33C、34C、35C、36C。平面导体33C与其下面第I层的接地导体33B相对而构成电容器Cl。平面导体34C与其下面第I层的接地导体33B相对而构成电容器C2。平面导体35C与其下面第I层的接地导体33B相对而构成电容器C3。平面导体36C与其下面第I层的接地导体33B相对而构成电容器C4。
[0070]在绝缘层32D的上面侧，从左侧面侧到右侧面侧依次形成有平面导体33D、34D。平面导体33D与其下面第I层的平面导体33C相连接，而且，与其下面第I层的平面导体34C相对而构成耦合用电容器C12的一部分。平面导体34D与其下面第I层的平面导体36C相连接，而且，与其下面第I层的平面导体35C相对而构成耦合用电容器C34的一部分。
[0071]在绝缘层32E的上面侧，从左侧面侧到右侧面侧依次形成有平面导体33E、34E。平面导体33E与其下面第2层的平面导体34C相连接，而且，与其下面第I层的平面导体33D相对而构成耦合用电容器C12的一部分。平面导体34E与其下面第2层的平面导体35C相连接，而且，与其下面第I层的平面导体34D相对而构成耦合用电容器C34的一部分。
[0072]在第6层的绝缘层32F的上面侧，从左侧面侧到右侧面侧依次形成有线状导体331F、332F、341F、342F、351F、352F、361F、362F。
[0073]在第7层的绝缘层32G的上面侧，从左侧面侧到右侧面侧依次形成有线状导体33G、34G、35G、36G。线状导体33G的正面侧的端部与其下面第4层的平面导体33C及其下面第3层的平面导体33D相连接。线状导体34G的正面侧的端部与其下面第4层的平面导体34C及其下面第2层的平面导体33E相连接。线状导体35G的正面侧的端部与其下面第4层的平面导体35C及其下面第2层的平面导体34E相连接。线状导体36G的正面侧的端部与其下面第4层的平面导体36C及其下面第3层的平面导体34D相连接。
[0074]在第8层的绝缘层32H的上面侧，从左侧面侧到右侧面侧依次形成有线状导体331H、332H、333H、341H、342H、343H、351H、352H、353H、361H、362H、363H。
[0075]线状导体331H的正面侧的端部与其下面第6层的接地导体33B相连接，线状导体331H的背面侧的端部与其下面第2层的线状导体331F相连接。线状导体332H的正面侧的端部与其下面第2层的线状导体331F相连接，线状导体332H的背面侧的端部与其下面第2层的线状导体332F相连接。线状导体333H的正面侧的端部与其下面第2层的线状导体332F相连接，线状导体333H的背面侧的端部与其下面第I层的线状导体33G相连接。由此，线状导体331H?333H、线状导体331F、332F、线状导体33G与层间连接导体一起构成图4中示出的电感器(横向电感器)L1。
[0076]线状导体341H的正面侧的端部与其下面第2层的线状导体341F相连接，线状导体341H的背面侧的端部与其下面第I层的线状导体34G相连接。线状导体342H的正面侧的端部与其下面第2层的线状导体342F相连接，线状导体342H的背面侧的端部与其下面第2层的线状导体341F相连接。线状导体343H的正面侧的端部与其下面第6层的接地导体33B相连接，线状导体343H的背面侧的端部与其下面第2层的线状导体342F相连接。由此，线状导体341H?343H、线状导体341F、342F、线状导体34G与层间连接导体一起构成图4中示出的电感器(横向电感器)L2。
[0077]线状导体351H的正面侧的端部与其下面第6层的接地导体33B相连接，线状导体351H的背面侧的端部与其下面第2层的线状导体351F相连接。线状导体352H的正面侧的端部与其下面第2层的线状导体351F相连接，线状导体352H的背面侧的端部与其下面第2层的线状导体352F相连接。线状导体353H的正面侧的端部与其下面第2层的线状导体352F相连接，线状导体353H的背面侧的端部与其下面第I层的线状导体35G相连接。由此，线状导体351H?353H、线状导体351F、352F、线状导体35G与层间连接导体一起构成图4中示出的电感器(横向电感器)L3。
[0078]线状导体361H的正面侧的端部与其下面第2层的线状导体361F相连接，线状导体361H的背面侧的端部与其下面第I层的线状导体36G相连接。线状导体362H的正面侧的端部与其下面第2层的线状导体362F相连接，线状导体362H的背面侧的端部与其下面第2层的线状导体361F相连接。线状导体363H的正面侧的端部与其下面第6层的接地导体33B相连接，线状导体363H的背面侧的端部与其下面第2层的线状导体362F相连接。由此，线状导体361H?363H、线状导体361F、362F、线状导体36G与层间连接导体一起构成图4中示出的电感器(横向电感器)L4。
[0079]第9层的绝缘层32J是露出至层叠体32的上表面的绝缘层，在绝缘层32J的上面侦牝从左侧面侧到右侧面侧依次形成有平面导体33J、34J。平面导体33J是构成图4中示出的输入端子Pl的电极的一部分。平面导体34J是构成图4中示出的输出端子P2的电极的一部分。
[0080]图6 (A)是示意表示在高频元器件31中从横向电感器LI?L4的第2端SB到第I端SA，层间连接导体及线状导体延伸的方向的立体图。横向电感器LI从位于层叠体32的右侧面侧(层叠体中心侧)的第I端SA起到位于层叠体32的左侧面侧的第2端SB构成左螺纹状(左螺旋状)。横向电感器L2从位于层叠体32的左侧面侧的第I端SA起到位于层叠体32的右侧面侧(层叠体中心侧)的第2端SB构成右螺纹状(右螺旋状)。横向电感器L3从位于层叠体32的右侧面侧的第I端SA起到位于层叠体32的左侧面侧(层叠体中心侧)的第2端SB构成左螺纹状(左螺旋状)。横向电感器L4从位于层叠体32的左侧面侧(层叠体中心侧)的第I端SA起到位于层叠体32的右侧面侧的第2端SB构成右螺纹状(右螺旋状)。
[0081]图6 (B)是高频元器件31的剖视图，表示与层叠体32的正面及背面平行的面上的层叠体32的截面。
[0082]电容器Cl在层叠体32的内部配置在横向电感器LI的下面侧，第I平面导体与层叠体32的左侧面的输入端子Pl相连接。横向电感器LI在右侧面侧的第I端SA与电容器Cl、C12及输入端子Pl相连接，在左侧面侧的第2端SB与接地导体33B直接相连接。
[0083]电容器C2在层叠体32的内部配置在横向电感器L2的下面侧。横向电感器L2在左侧面侧的第I端SA与电容器C2、C12相连接，在右侧面侧的第2端SB与接地导体33B直接相连接。
[0084]电容器C3在层叠体32的内部配置在横向电感器L3的下面侧。横向电感器L3在右侧面侧的第I端SA与电容器C3、C34相连接，在左侧面侧的第2端SB与接地导体33B直接相连接。
[0085]电容器C4在层叠体32的内部配置在横向电感器L4的下面侧，第I平面导体与层叠体32的右侧面的输入输出端子P2相连接。横向电感器L4在左侧面侧的第I端SA与电容器C4、C34及输入输出端子P2相连接，右侧面侧的第2端SB与接地导体33B直接相连接。
[0086]此外，耦合用电容器C23由横向电感器L2与L3沿着卷绕轴CA接近、横向电感器L2的线状导体及层间连接导体与横向电感器L3的线状导体及层间连接导体相对而产生的电容构成。
[0087]即使是该结构，在从左侧面侧或右侧面侧沿着卷绕轴CA透视层叠体32的情况下，也配置成横向电感器LI?L4的卷绕范围相互重合。此外，横向电感器LI?L4卷绕成从输入输出端子P1、P2侧的第I端SA到接地导体侧的第2端SB，线状导体及层间连接导体延伸的方向为相同方向，并在相互的磁通得到增强的方向上进行感应耦合(正耦合)。
[0088]然后，对于横向电感器LI和横向电感器L2,使各自的输入输出端子P1、P2侧的第I端SA彼此接近。此外,对于横向电感器L3和横向电感器L4,也使各自的输入输出端子P1、P2侧的第I端SA彼此接近。另一方面，对于横向电感器L2和横向电感器L3,使各自的接地导体33B侧的第2端SB彼此接近。因此，横向电感器L1、横向电感器L2、横向电感器L3及横向电感器L4中，相邻的横向电感器之间的感应耦合从横向电感器LI侧起到横向电感器L4侧依次为耦合度较低的松耦合、耦合度较高的紧耦合、耦合度较低的松耦合。
[0089]即使在以上结构的高频元器件31中，也构成包含层间连接导体的横向电感器LI?L4作为谐振电路LCl?LC4的电感器，因此，能使带通滤波器的滤波特性(通频带特性)具有较高的Q值。此外，由于使用螺旋状的横向电感器LI?L4，因此，即使利用横向电感器LI?L4实现较大的电感，也能抑制层叠体32在层叠方向上的尺寸。
[0090]另外，在上述的结构中，构成电容器Cl?C4的第2平面导体作为共用的接地导体33B而构成，因此，能降低层叠体32中的绝缘层的层叠数。此外，由于将构成电容器Cl?C4的第I平面导体配置在接地导体33B与横向电感器LI?L4之间，因此，能节约接地导体33B与横向电感器LI?L4之间的间隔，能进一步提高分别包含横向电感器LI?L4的谐振电路LCl?LC4中的Q值。
[0091]接下来，对实施方式4所涉及的高频元器件41进行说明。实施方式4所涉及的高频元器件41是前面的实施方式3所涉及的高频元器件的变形例。
[0092]图7是实施方式4所涉及的高频元器件41的分解立体图。图8(A)是示意表示在高频元器件41中从横向电感器LI?L4的第2端SB到第I端SA，层间连接导体及线状导体延伸的方向的立体图。图8(B)是高频元器件41的剖视图，表示与层叠体42的正面及背面平行的面上的层叠体42的截面。
[0093]如图7所示，高频元器件41的平面导体44C及平面导体43E的形状、平面导体45C及平面导体44E的形状与前面的实施方式3所涉及的形状不同，各个平面导体中的与层间连接导体相连接的连接位置变更到层叠体42的中心侧。
[0094]此外，构成横向电感器L2的线状导体441F、442F、44G、441H、442H、443H的形状、构成横向电感器L3的线状导体451F、452F、45G、451H、452H、453H的形状与前面的实施方式3所涉及的形状不同。具体而言，横向电感器L2从位于层叠体42的右侧面侧的第I端SA起到位于层叠体42的左侧面侧的第2端SB构成左螺纹状(左螺旋状)。此外，横向电感器L3从位于层叠体42的左侧面侧的第I端SA起到位于层叠体42的右侧面侧的第2端SB构成右螺纹状(右螺旋状)。此外，构成横向电感器L2、L3的输入输出端子P1、P2侧的第I端SA、接地导体侧的第2端SB的层间连接导体的位置相互交换。
[0095]因此，即使是该结构，横向电感器LI?L4中相邻的各组横向电感器彼此也卷绕成从输入输出端子P1、P2侧的第I端SA到接地导体43B侧的第2端SB，线状导体及层间连接导体延伸的方向为相同方向，并在相互的磁通得到增强的方向上进行感应耦合(正耦合)。
[0096]然而，在该高频元器件41中，对于横向电感器LI和横向电感器L2，将横向电感器LI的第I端SA与横向电感器L2的第2端SB接近配置。此外，对于横向电感器L3和横向电感器L4，也将横向电感器L4的第I端SA与横向电感器L3的第2端SB接近配置。因此，对于这些横向电感器LI和L2之间以及横向电感器L3和L4之间的感应耦合，既不是使第2端SB彼此之间接近时的紧耦合，也不是使第I端SA彼此之间接近时的松耦合，而是紧耦合和松耦合的中间强度的耦合度(中间耦合)。
[0097]另一方面，对于横向电感器L2和横向电感器L3,使各自的输入输出端子P1、P2侧的第I端SA彼此接近。因此，在横向电感器L2和L3之间的感应耦合为松耦合。因此，在该高频元器件41中，横向电感器L1、横向电感器L2、横向电感器L3及横向电感器L4中，相邻的横向电感器之间的感应耦合从横向电感器LI侧起到横向电感器L4侧依次为中间耦合、松耦合、中间耦合。
[0098]如上所述，也可以构成使四级谐振电路LCl?LC4在输入输出端子Pl和P2之间进行耦合的带通滤波器。在这样的带通滤波器中，也能通过确定层叠体内部的横向电感器LI?L4的两端SA、SB的方向来确定相邻的横向电感器LI?L4之间的感应耦合的耦合度，能容易地调节滤波电路中的衰减极点和频带宽度。
[0099]接下来，对实施方式3所涉及的高频元器件31、实施方式4所涉及的高频元器件41各自的滤波特性(通频带特性)进行说明。
[0100]图9(A)是举例示出高频元器件31中的滤波特性的图。此外，图9(B)是举例示出高频元器件41中的滤波特性的图。
[0101]如上所述，高频元器件31中，使输入输出级的谐振电路LC1、LC4与中间级的谐振电路LC2、LC3之间的感应耦合为松耦合，使中间级的谐振电路LC2和LC3彼此之间的感应耦合为紧耦合。如该高频元器件31那样，在具备包含输入输出级的并联谐振电路和二级以上的中间级的并联谐振电路的、四级以上的并联谐振电路的带通滤波器中，通过使中间级的并联谐振电路彼此之间的感应耦合为紧耦合，能扩大滤波特性(通频带特性)中的频带览度。
[0102]此外，高频元器件41中，使输入输出级的谐振电路LC1、LC4与中间级的谐振电路LC2、LC3之间的感应耦合为既不是紧耦合也不是松耦合的中间耦合，使中间级的谐振电路LC2和LC3彼此之间的感应耦合为松耦合。如该高频元器件41那样，在具备包含输入输出级的并联谐振电路和二级以上的中间级的并联谐振电路的、四级以上的并联谐振电路的带通滤波器中，通过使中间级的并联谐振电路彼此之间的感应耦合为松耦合，能使滤波特性(通频带特性)中的频带宽度变得狭窄。
[0103]接下来，对本发明的实施方式5所涉及的高频元器件51进行说明。实施方式5所涉及的高频元器件51是前面的实施方式3所涉及的高频元器件的变形例。
[0104]图10 (A)是示意表示在高频元器件51中从横向电感器LI?L4的第2端SB到第I端SA，层间连接导体及线状导体延伸的方向的立体图。
[0105]高频元器件51在构成输入输出级的并联谐振电路的横向电感器LI和横向电感器L4中，使输入输出端子P1、P2侧的第I端SA的位置、接地导体侧的第2端SB的位置构成为与前面的实施方式3所涉及的高频元器件相反。
[0106]在该结构中，如图10(A)中的箭头所示，横向电感器L2和横向电感器L3卷绕成从第I端SA侧到第2端SB侧，线状导体及层间连接导体延伸的方向为相同方向，并在相互的磁通得到增强的方向上进行感应耦合(正耦合)。此外，使横向电感器L2和横向电感器L3的第2端SB彼此接近，因此，横向电感器L2和横向电感器L3之间的感应耦合的耦合度有所提闻。
[0107]另一方面，横向电感器LI和横向电感器L2卷绕成从第I端SA侧到第2端SB侧，线状导体及层间连接导体延伸的方向为相反方向，并在相互的磁通减弱的方向上进行感应率禹合(负I禹合)。此外，对于横向电感器LI和横向电感器L2，由于将横向电感器LI的第I端SA与横向电感器L2的第2端SB接近配置，因此，以紧耦合和松耦合的中间强度的耦合度进行感应耦合(中间耦合)。同样，横向电感器L4和横向电感器L3卷绕成从第I端SA侧到第2端SB侧，线状导体及层间连接导体延伸的方向为相反方向，并在相互的磁通减弱的方向上进行感应I禹合(负I禹合)。然后，对于横向电感器L4和横向电感器L3，由于将横向电感器L4的第I端SA与横向电感器L3的第2端SB接近配置，因此，以紧耦合和松耦合的中间强度的耦合度进行感应耦合(中间耦合)。
[0108]图10(B)是举例示出高频元器件51中的滤波特性的图。
[0109]如上所述，高频元器件51没有改变中间级的谐振电路LC2和LC3彼此之间的耦合，而是使输入输出级的谐振电路LC1、LC4与中间级的谐振电路LC2、LC3之间的感应耦合为负耦合，且为中间耦合。通常，在具备四级以上的并联谐振电路的带通滤波器中，通频带宽度受中间级的并联谐振电路彼此之间的感应耦合的耦合度的影响较大，受输入输出级的并联谐振电路和中间级的并联谐振电路之间的感应耦合的耦合度的影响较为轻微。因此，高频元器件51的滤波特性(通频带特性)中的频带宽度与前面的实施方式3所涉及的高频元器件相比没有大的变化。
[0110]不过，输入输出级的并联谐振电路和中间级的并联谐振电路之间的感应耦合从正耦合变更为负耦合，因此，输入输出级的并联谐振电路和中间级的并联谐振电路之间的耦合中，电容性的偏置有所增强。因此，设置在输入输出级的并联谐振电路和中间级的并联谐振电路之间的耦合用电容器具有更小的电容即可。因此，能降低耦合用电容器的电极面积，或者仅利用输入输出级的并联谐振电路和中间级的并联谐振电路之间产生的电容来实现耦合用电容器。由此，能削减用于设置耦合用电容器的制造工序、以及在层叠体内部的设置空间，使高频元器件51小型、廉价。
[0111]另外，在前面的实施方式4所涉及的结构中，也同样可以使构成输入输出级的并联谐振电路的谐振电感器的第I端SA和第2端SB进行互换。在此情况下，也同样能在没有较大地改变滤波特性(通频带特性)中的频带宽度的情况下，使输入输出级的并联谐振电路和中间级的并联谐振电路之间的耦合用电容器具有更小的电容。
[0112]接下来，对本发明的实施方式6所涉及的高频元器件61进行说明。实施方式6所涉及的高频元器件61是前面的实施方式3所涉及的高频元器件的变形例。
[0113]图1l(A)是高频元器件61的侧剖视图，表示与层叠体的正面及背面平行的面上的层叠体的截面。
[0114]高频元器件61与前面的实施方式3所涉及的高频元器件的不同之处在于，在构成中间级的并联谐振电路的横向电感器L2和横向电感器L3之间设有用于增强两者的感应耦合的短路用导体63。短路用导体63作为对横向电感器L2的接地导体侧的第2端SB和横向电感器L3的接地导体侧的第2端SB之间进行连接的线状导体而形成。通过设置这样的短路用导体63，能增强横向电感器L2和横向电感器L3之间的感应耦合。该结构并不限于本实施方式，也可以在其他实施方式中采用。
[0115]图1l(B)是举例示出高频元器件61中的滤波特性的图。
[0116]如上所述，高频元器件61通过设置短路用导体63，能增强横向电感器L2和横向电感器L3之间的感应耦合。因此，在该高频元器件61中，相比前面的实施方式3所涉及的高频元器件，能更加扩大滤波特性(通频带特性)中的频带宽度。
[0117]另外，在前面的实施方式4所涉及的结构中，如果设置短路用导体来增强中间级的并联谐振电路之间的感应耦合，则同样能扩大滤波特性(通频带特性)中的频带宽度。
[0118]接下来，对本发明的实施方式7所涉及的高频元器件71进行说明。实施方式7所涉及的高频元器件71是前面的实施方式3所涉及的高频元器件的变形例。
[0119]图12(A)是高频元器件71的侧剖视图，表示与层叠体的正面及背面平行的面上的层叠体的截面。
[0120]高频元器件71与前面的实施方式3所涉及的高频元器件的不同之处在于，在构成中间级的并联谐振电路的横向电感器L2和横向电感器L3之间，为了抑制两者的感应耦合而设置由平面导体形成的耦合用电容器C23。耦合用电容器C23通过在分别与横向电感器L2的接地导体侧的第2端SB、横向电感器L3的接地导体侧的第2端SB相连接的平面导体之间夹设绝缘层而构成。通过设置由这样的平面导体形成的耦合用电容器C23，能增大耦合用电容器C23的电容，相对于中间级的并联谐振电路彼此之间的耦合，能增强电容性的偏置。该结构并不限于本实施方式，也可以在其他实施方式中采用。
[0121]图12(B)是举例示出高频元器件71中的滤波特性的图。
[0122]如上所述，高频元器件71通过设置由平面导体形成的耦合用电容器C23，能增大耦合用电容器C23的电容，相对于中间级的并联谐振电路彼此之间的耦合，能增强电容性的偏置。因此，在该高频元器件71中，能使滤波特性(通频带特性)中的频带宽度相比前面的实施方式3所涉及的高频元器件的频带宽度更为狭窄。
[0123]另外，在前面的实施方式4所涉及的结构中，如果设置由平面导体形成的耦合用电容器来增强中间级的并联谐振电路之间的电容耦合，则也同样能使滤波特性(通频带特性)中的频带宽度变得狭窄。
[0124]接下来，对本发明的实施方式8所涉及的高频元器件81进行说明。实施方式8所涉及的高频元器件81是前面的实施方式3所涉及的高频元器件的变形例。
[0125]图13(A)是高频元器件81的等效电路图。
[0126]高频元器件81在输入级的谐振电路LCl和输出级的谐振电路LC4之间设有跳跃耦合用的电容器C14这方面与前面的实施方式3所涉及的高频元器件不同。通过设置这样的跳跃耦合用的电容器C14，能增加衰减极点来设定滤波特性。该结构并不限于本实施方式，也可以在其他实施方式中采用。
[0127]图13(B)是举例示出高频元器件81中的滤波特性的图。
[0128]如上所述，高频元器件81通过设置跳跃耦合用的电容器C14，在滤波特性中，能在通频带的低频侧增加衰减极点，由此，能容易地实现所希望的通过特性。
[0129]另外，在前面的实施方式4所涉及的结构中，如果设置跳跃耦合用的电容器，则也同样能增加衰减极点，容易地实现所希望的通过特性。
[0130]接下来，对本发明的实施方式9所涉及的高频元器件91进行说明。实施方式9所涉及的高频元器件91是前面的实施方式3所涉及的高频元器件的变形例。
[0131]图14是实施方式9所涉及的高频元器件91的分解俯视图。与图5相比较可知，图5的形成在绝缘层32F上的导体图案在图14中由形成在绝缘层32F1及绝缘层32F2这两层上的导体图案构成，在上述两层导体图案中，相对的各个线状导体彼此之间并联连接。同样，图5的形成在绝缘层32G上的导体图案在图14中由形成在绝缘层32G1及绝缘层32G2这两层上的导体图案构成，在上述两层导体图案中，相对的各个线状导体彼此之间并联连接。此外，图5的形成在绝缘层32H上的导体图案在图14中由形成在绝缘层32H1及绝缘层32H2这两层上的导体图案构成，在上述两层导体图案中，相对的各个线状导体彼此之间并联连接。
[0132]这样，在横向电感器LI?L4中，各自的构成相同匝数并在层叠方向上接近的两个线状导体通过层间连接导体并联连接，因此，通过使构成横向电感器的线状导体多层化，由此，能增加线状导体的实际截面积，降低布线电阻。由此，能提高横向电感器LI?L4各自构成的谐振电路LCl?LC4的Q值。
[0133]另外，也可以不使所有的线状导体多层化，仅使其中任一个线状导体多层化。此夕卜，使线状导体多层化的结构并不限于本实施方式，也可以在其他实施方式中采用。总之，能增加线状导体的实际截面积来降低布线电阻，因此，能提高横向电感器所构成的并联谐振电路的Q值。
[0134]接下来，对本发明的实施方式10所涉及的高频元器件101进行说明。实施方式10所涉及的高频元器件101是前面的实施方式3所涉及的高频元器件的变形例。
[0135]图15是实施方式10所涉及的高频元器件101的分解俯视图。
[0136]高频元器件101具备电感器L0、L5。电感器L0、L5由在绝缘体层102G的表面上进行多次环绕而螺旋状设置的线状导体构成。在图4示出的等效电路中，电感器LO串联连接在输入端子Pl和谐振电路LCl之间。在图4示出的等效电路中，电感器L5串联连接在输出端子P2和谐振电路LC4之间。在图15中，仅表示了与电感器L0、L5相连接的通孔导体，对其它通孔导体省略了表示。对于由其它通孔导体形成的布线结构，与前面的实施方式3所涉及的高频元器件(图5)相同。这些电感器L0、L5实现经由输入输出端子P1、P2的感应性的外部耦合。
[0137]电感器L0、L5也可以配置在横向电感器LI?L4的卷绕范围的外侧，但此处配置在横向电感器LI?L4的卷绕范围的内侧。由此，在横向电感器LI?L4的卷绕范围的外侧不需要用于设置电感器L0、L5的设置空间，能使层叠体小型地构成。
[0138]另外，不仅将电感器L0、L5那样的、经由输入输出端子P1、P2实现感应性的外部耦合的电感器，还可以将用于实现电容性的外部耦合的电容器、使并联谐振电路之间进行电容耦合的耦合用电容器、强化并联谐振电路之间的感应耦合的耦合用电感器等配置在横向电感器LI?L4的卷绕范围的内侧。
[0139]此外，将其它电感器、电容器配置在横向电感器的卷绕范围的内侧的结构并不限于本实施方式，也可以在其他实施方式中采用。总之，在横向电感器LI?L4的卷绕范围的外侧不需要用于设置这些电感器、电容器的设置空间，能使层叠体小型地构成。
[0140]另外，本发明的高频元器件并不限于上述各实施方式中示出的谐振电路的级数，也可以由更多的谐振电路、或更少的谐振电路构成。此外，作为高频元器件，除了构成带通滤波器以外，也可以构成高通滤波器、低通滤波器、带阻滤波器等，只要具备至少一个LC谐振电路，可以设置任意的电路结构。此外，在上述任一实施方式中，谐振电路与输入输出端子的外部耦合也可以通过经由电感器的感应耦合来实现，或者通过经由电容器的电容耦合来实现，或者通过利用直接布线的抽头耦合来实现。而且，优选为采用至少实现一个紧耦合或松耦合的配置，多级LC谐振电路的感应耦合中的耦合度的组合并不限于上述情况。此夕卜，感应耦合既可以是正耦合也可以是负耦合，多级LC谐振电路的感应耦合中的正耦合与负耦合的组合也不限于上述情况。
[0141]另外，在构成至少包含输入输出级和中间级的多级LC谐振电路的情况下，优选为使构成中间级的LC谐振电路的横向电感器的线状导体的宽度比构成输入输出级的LC谐振电路的横向电感器的线状导体的宽度要宽，从而成为低电阻。由此，尤其能提高形成在中间级的横向电感器的Q值，较大地改善插入损耗。
标号说明
[0142]CA…卷绕轴SA、SB…端部
11、21、31、41、51、61、71、81、91、101...高频元器件
12、22、32、42…层叠体13A、13B、23A、23B…输入输出端子13C、23C、34A…接地端子14A、14B、24A、24B…横向电感器15A、15B、25A、25B …电容器19、29、33B、43B…接地导体
32A、32B、32C、32D、32E、32F、32G、32H、32J …绝缘层63…短路用导体
【权利要求】
1.一种高频元器件，该高频元器件包括:层叠体，该层叠体通过将多个绝缘层进行层叠而构成；平面导体，该平面导体沿着所述绝缘层的表面扩展；线状导体，该线状导体沿着所述绝缘层的表面延伸；以及层间连接导体，该层间连接导体贯通所述绝缘层，其特征在于， 构成有横向电感器，该横向电感器具有第I端和第2端，并通过连接于所述第I端和所述第2端之间的所述线状导体及所述层间连接导体将以与所述层叠体的层叠方向正交的方向作为卷绕轴方向， 通过与所述横向电感器的第I端相连接的第I平面导体、与所述横向电感器的第2端相连接的第2平面导体、以及夹设在所述第I平面导体和所述第2平面导体之间的所述绝缘层构成电容器， 所述横向电感器呈沿着所述卷绕轴方向卷绕至少多于一匝的螺旋状。
2.如权利要求1所述的高频元器件，其特征在于，由所述横向电感器及所述电容器形成的LC谐振电路构成有多个， 多个LC谐振电路各自的横向电感器的所述卷绕轴方向相互平行， 在所述卷绕轴方向观察时，由所述线状导体和所述层间连接导体形成的卷绕范围至少一部分重合。
3.如权利要求2所述的高频元器件，其特征在于，具备形成在所述层叠体的外表面的输入输出端子及接地端子， 在所述卷绕轴方向上相邻的至少一组所述横向电感器各自的第I端与所述输入输出端子相连接，各自的第2端与所述接地端子相连接，在所述层叠体的内部，所述第2端彼此接近。
4.如权利要求2所述的高频元器件，其特征在于，具备形成在所述层叠体的外表面的输入输出端子及接地端子， 在所述卷绕轴方向上相邻的至少一组所述横向电感器各自的第I端与所述输入输出端子相连接，各自的第2端与所述接地端子相连接，在所述层叠体的内部，所述第I端彼此接近。
5.如权利要求1至4的任一项所述的高频元器件，其特征在于，所述第I平面导体或所述第2平面导体设置在与作为所述横向电感器的一部分的所述线状导体相同的绝缘层表面上。
6.如权利要求1至4的任一项所述的高频元器件，其特征在于，所述第2平面导体是与所述接地端子导通的接地导体，并设置在与所述横向电感器相对的位置上， 所述第I平面导体设置在所述层叠体内的所述横向电感器与所述第2平面导体之间。
7.如权利要求1至6的任一项所述的高频元器件，其特征在于，所述高频元器件还具备使所述多个LC谐振电路之间或所述输入输出端子与所述LC谐振电路之间进行耦合的耦合用电感器或耦合用电容器。
8.如权利要求7所述的高频元器件，其特征在于，在所述卷绕轴方向观察时，所述耦合用电容器或所述耦合用电感器设置在所述横向电感器的卷绕范围的内侧。
9.如权利要求1至8的任一项所述的高频元器件，其特征在于，作为所述横向电感器的一部分的所述线状导体形成在多个绝缘层上的、在所述层叠体的层叠方向观察时相重合的位置上，多个所述线状导体通过所述层间连接导体并联连接。
10.如权利要求1至9的任一项所述的高频元器件，其特征在于，位于所述第I平面导体及所述第2平面导体之间的绝缘层的相对介电常数比其它绝缘层要大。
【文档编号】H03H7/12GK104426496SQ201410406006
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年8月18日 优先权日:2013年8月28日
【发明者】今村光利 申请人:株式会社村田制作所