一种mosfet输出短路保护线路装置制造方法
【专利摘要】一种MOSFET输出短路保护线路装置，包括MOSFET驱动电路，所述MOSFET驱动电路连有保护线路装置，该MOSFET驱动电路内包括有若干路MOS管、光耦，MOS管的栅极G端由光耦输入控制信号；每路MOS管的源极S端间通过并联的方式连接在一起，并固定于PCB线路板上；连接在一起的MOS管的源极S端通过取样电阻接线路地线，每路MOS管的漏极D端连有负载；本实用新型的有益效果为：本保护线路装置可有效保护MOSFET输出线路在出现输出短接、大电流灌入时不被损坏；且在保护动作触发后，能可靠自锁，切断输出，有效保护负载及驱动线路。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本实用新型属于机电一体化【技术领域】，尤其涉及一种应用于橡胶制品加工机械的 塑料注射成型伺服机控制系统中的MOSFET输出短路保护线路装置。 一种MOSFET输出短路保护线路装置
【背景技术】
[0002] 目前国内生产的注塑机控制电脑其控制输出开关阀的一般都是采用IRLU024或 IRFR1205等M0S管(见图1 )，这种线路的特点是线路简单，响应快，输出电流大。但在实际使 用的过程中，由于工作人员在接线方面的疏忽或开关阀本身的问题，会造成M0S管驱动的 输出电路短路，短路导致M0S管因过流、过热而损坏，严重时甚至将线路板的铜箔烧毁。单 只M0S管驱动输出加保护电路比较简单成本也低，问题是一般的注塑机控制电脑至少有32 路48路M0S管驱动输出，每路都加装保护成本很高，PCB布线面积也增加很多。
[0003] 目前也出现了一些带内部过热或过流保护的M0S管，比如英飞凌的BTS452、安森 美的NCV8408等，但缺点是价格1?，单片价格1?达人民币5兀以上，外围线路复杂，贴片封装 安装面积大；并且由于目前国内使用量不大，普遍造成供货周期较长，采购不易，容易断货， 关键是用32只、48只这样的M0S管成本也增加很多，不经济。
【发明内容】
[0004] 本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足，而提供一种MOSFET输出短路 保护线路装置，在使用IRLU024等这种不带保护的M0S管时，加上这个保护线路装置，可有 效保护M0S管及PCB线路板。
[0005] 本实用新型的目的是通过如下技术方案来完成的，包括MOSFET驱动电路，所述 MOSFET驱动电路连有保护线路装置，该MOSFET驱动电路内包括有若干路M0S管、光耦，M0S 管的栅极G端由光耦输入控制信号；每路M0S管的源极S端间通过并联的方式连接在一起， 并固定于PCB线路板上；连接在一起的M0S管的源极S端通过取样电阻接线路地线，每路 M0S管的漏极D端连有负载。
[0006] 作为优选，所述的保护线路装置包括取样电阻、信号放大电路、施密特比较电路及 电子开关，该取样电阻通过信号放大电路与施密特比较电路相连，施密特比较电路上设有 两只用来确定预设电流值的分压电阻，该施密特比较电路与电子开关相连。
[0007] 本实用新型的有益效果为：本保护线路装置可有效保护MOSFET输出线路在出现 输出短接、大电流灌入时不被损坏；且在保护动作触发后，能可靠自锁，切断输出，有效保护 负载及驱动线路。
【专利附图】
【附图说明】
[0008] 图1是现有的单路线路不意图。
[0009] 图2是本实用新型的线路分布示意图。
[0010] 附图中的标号分别为：1、MOSFET驱动电路；2、保护线路装置；3、负载；11、 MOS管；12、光耦；21、取样电阻；22、信号放大电路；23、施密特比较电路；24、电子开 关；25、分压电阻。
【具体实施方式】
[0011] 下面将结合附图对本实用新型做详细的介绍：如附图2所示，本实用新型每路M0S 管11的源极S端在PCB线路板上是相互连接在一起的，连接在一起的源极S端再通过取样 电阻21接线路地线。+24V是输入电源，正常情况下电子开关24是导通的，+24V_S电压就 是+24V，当控制信号高电平加入到光耦12时，光耦12导通，M0S管11也导通，负载3上就 流过电流正常工作。
[0012] 本实用新型实现原理：注塑机控制电脑10输出的驱动电流在实际应用中的总电 流不会超过一定值，假设额定总电流允许输出为η安培（A)，设计时把所有M0S管11的输出 平均分成m组，那么每组的输出最大输出的电流为n/m安培。设计时每组输出M0S管11共 用用一个保护线路装置2,每组M0S管11的源极S端连接在一起再通过取样电阻21接到地 线上，当保护线路装置2通过取样电阻21检测到某组的工作电流大于n/m安培时，就快速 切断输入到M0S管11栅极G端上控制信号，关闭M0S管11输出，从而达到保护M0S管的目 的。按这样设计就只需要增加 m个短路保护线路装置2就够了，该保护线路装置2也可以 同时保护多路M0S管11。
[0013] 如果负载3两端意外短接或者负载3损坏导致流过M0S管11上的电流超过预先 设定的n/m安培(此值通过施密特比较电路23前的两只分压电阻25来确定)，此电流在取 样电阻21上产生压降，因取样电阻21只有几十毫欧，产生的压降也小，所以需要信号放大 电路22予以放大，放大后的信号加到施密特比较电路23,施密特比较电路23比较后就维 持一个固定信号输出切断电子开关24,这样+24V_S上就没有了 +24V电源，光耦12输出关 闭，从而快速关闭M0S管11的导通，保护了 M0S管11。
[0014] 本实用新型不局限于上述实施方式，不论在其形状或器件材料构成上作任何变 化，凡是采用本实用新型所提供的结构设计，都是本实用新型的一种变形，均应认为在本实 用新型保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种MOSFET输出短路保护线路装置，包括MOSFET驱动电路（1)，其特征在于：所述 M0SFET驱动电路（1)连有保护线路装置（2)，该M0SFET驱动电路（1)内包括有若干路M0S 管（11)、光耦（12)，M0S管（11)的栅极G端由光耦（12)输入控制信号；每路M0S管（11)的 源极S端间通过并联的方式连接在一起，并固定于PCB线路板上；连接在一起的M0S管（11) 的源极S端通过取样电阻（21)接线路地线，每路M0S管（11)的漏极D端连有负载（3)。
2. 根据权利要求1所述的MOSFET输出短路保护线路装置，其特征在于：所述的保护线 路装置（2)包括取样电阻（21)、信号放大电路（22)、施密特比较电路（23)及电子开关（24)， 该取样电阻（21)通过信号放大电路（22)与施密特比较电路（23)相连，施密特比较电路 (23)上设有两只用来确定预设电流值的分压电阻（25)，该施密特比较电路（23)与电子开 关（24)相连。
【文档编号】H03K17/567GK203851118SQ201420225263
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年5月5日 优先权日:2014年5月5日
【发明者】王华良, 张芳 申请人:宁波伊士通技术股份有限公司