1.一种声波共振器，包括基本水平的包含压电材料的膜，在所述膜的上表面和下表面上分别具有上金属电极和下金属电极，所述膜围绕其周边通过粘附聚合物附着在矩形互连框架的内侧壁上，用于封装的所述框架的侧壁基本垂直于所述膜并且包括在电介质基质中的导电通孔，所述导电通孔在所述侧壁内基本垂直延伸，所述金属电极与所述导电通孔通过在所述膜的上表面上的特征层导电连接，在所述互连框架的上端和下端连接有上盖和下盖以密封所述声波共振器使其与周围环境隔离。
2.如权利要求1所述的声波共振器，其中所述压电材料包括钛酸锶钡(BST)。
3.如权利要求2所述的声波共振器，其中所述膜从下方受到在所述下电极下方具有气隙的所述粘附聚合物的框架的支撑。
4.如权利要求3所述的声波共振器，还包括在所述粘附聚合物和所述下电极之间的界面层。
5.如权利要求4所述的声波共振器，其中所述界面层选自AlN、TiN、GaN和InN。
6.如权利要求4所述的声波共振器，其中所述界面层的厚度为0.5～5微米。
7.如权利要求3所述的声波共振器，其中所述BST膜还从上方与所述粘附聚合物的框架附着。
8.如权利要求2所述的声波共振器，其中所述下电极通过穿过BST膜的铜引线连接。
9.如权利要求2所述的声波共振器，其中BST膜的钡锶比为约25/75～约75/25。
10.如权利要求2所述的声波共振器，其中BST膜的钡锶比为约30/70。
11.如权利要求2所述的声波共振器，其中BST膜的厚度为1000埃～5000埃。
12.如权利要求1所述的声波共振器，其中所述下电极包含钽或铂。
13.如权利要求1所述的声波共振器，其中所述下电极的厚度为1000埃～2500埃。
14.如权利要求2所述的声波共振器，其中BST膜具有单晶或多晶结构。
15.如权利要求2所述的声波共振器，其中所述上电极包括与BST电介质接触的铝层、铂层或钽层。
16.如权利要求15所述的声波共振器，其中所述上电极还包括电沉积的铜。
17.如权利要求1所述的声波共振器，其中所述粘附聚合物是液晶聚合物。
18.如权利要求1所述的声波共振器，其中所述互连框架包括陶瓷基质和金属通孔。
19.如权利要求18所述的声波共振器，其中所述互连框架通过与所述通孔共烧结来制造，以提供具有内建导电通孔的单片陶瓷支撑结构。
20.如权利要求18所述的声波共振器，其中所述陶瓷与金属通孔利用高温或低温共烧陶瓷(HTCC或LTCC)材料组共烧结。
21.如权利要求18所述的声波共振器，其中所述金属通孔包括选自Au、Cu和W的金属。
22.如权利要求1所述的声波共振器，其中所述框架包括聚合物基质和金属通孔。
23.如权利要求22所述的声波共振器，其中所述金属通孔是铜通孔。
24.如权利要求22所述的声波共振器，其中所述框架还包括陶瓷填料和/或玻璃纤维。
25.如权利要求1所述的声波共振器，其中所述框架的深度为150微米～300微米。
26.如权利要求1所述的声波共振器，其中所述上盖和下盖由选自金属、陶瓷、硅、液晶聚合物和玻璃的材料制成。
27.如权利要求1所述的声波共振器，其中所述上盖附着至在所述互连框架上表面上制造的上金属环，所述下盖附着至在所述互连框架下表面上的下金属环。
28.如权利要求27所述的声波共振器，其中所述上金属环制造在所述互连框架的外缘上，并且所述上盖覆盖所述框架的整个上表面、所述粘附聚合物以及所述膜的上表面。
29.如权利要求27所述的声波共振器，其中所述下金属环制造在所述互连框架下表面的内缘上以允许所述下盖覆盖所述粘附聚合物的表面、暴露的牺牲载体以及所述膜的下电极，使得所述互连框架的部分下表面保持不被覆盖。
30.如权利要求27所述的声波共振器，其中所述上金属环和下金属环包括Ni\t和Au的表面涂层，所述上盖和下盖包括对应的共熔Au/Sn密封环。
31.如权利要求1所述的声波共振器，还包括从所述互连框架的通孔围绕所述下盖延伸至所述下盖下方的金属焊盘，以允许将所述声波共振器通过焊料表面贴装附着至PCB上。
32.如权利要求1所述的声波共振器，其中所述粘附聚合物的膜延伸在所述压电材料的上表面上和所述上电极上。
33.如权利要求32所述的声波共振器，其中覆盖所述上电极的所述粘附聚合物的膜具有至多5微米的厚度。
34.如权利要求1所述的声波共振器作为可开关可调谐滤波器的用途。
35.如权利要求1所述的声波共振器作为通过天线发射和接收无线电频率的双工器的用途。
36.一种射频通信设备，包括如权利要求1所述的声波共振器。