技术总结
本实用新型属于电路控制领域，涉及一种继电器。包括信号输入端、信号输出端，所述信号输入端与信号输出端之间通过光耦连接，所述信号输入端设置有四个二极管，第一二极管、第三二极管串联为第一二极管组，第二二极管、第四二极管串联为第二二极管组，输入端一端连接于第一二极管组，另一端连接第二二极管组，所述信号输出端设置有第一单向可控硅、第二单向可控硅；所述第一单向可控硅一端与第一电阻连接，另一端与第一电容连接；所述第二单向可控硅一端与第二电阻连接，另一端与第二电容连接。通过加入电阻、电容及双向可控硅，有助于提高高次谐波吸收能力，相较于原有设计性能大幅提高。
技术研发人员：孔安澜;宋宏明;
受保护的技术使用者：湖州市菱湖兴菱电力电子厂;
文档号码：201521032777
技术研发日：2015.12.10
技术公布日：2016.08.31