配线用基板的制造方法与流程

本发明涉及配线用基板的制造方法。更详细地说，本发明涉及一种配线用基板的制造方法，其能够适合用作例如用于搭载半导体芯片等的配线用基板等。

背景技术：

一般来说，在制造配线用基板时采用下述操作：使用具有贯通孔的树脂板等绝缘基板，将该绝缘基板浸渍到镀覆浴中后进行电镀，从而在该贯通孔内填充金属(例如参见专利文献1和专利文献2)。但是，采用上述操作的情况下，通过电镀而填充于绝缘基板的贯通孔内的金属层内有时会产生被称为空洞(void)的空隙，因此具有配线基板的可靠性显著降低的缺点。

作为在填充于通孔内的金属层难以产生空洞的配线用基板的制造方法，提出了下述配线用基板的制造方法，其特征在于，使用具有贯通孔的绝缘基板，在绝缘基板的一个表面形成种子层，将形成有种子层的面的相反面用掩蔽膜被覆，按照绝缘基板的形成有种子层的面与阳极对置的方式来配设绝缘基板和阳极并实施电镀，将形成有种子层的面的贯通孔用金属层堵塞后，除去掩蔽膜，按照除去了掩蔽膜的面与阳极对置的方式来配设绝缘基板和阳极并实施电镀，在贯通孔内形成金属层(例如参见专利文献3)。

根据上述配线用基板的制造方法，难以在填充于贯通孔内的金属层产生空洞，因此能够制造可靠性高的配线用基板。

但是，近年来希望开发出下述配线用基板的制造方法，该制造方法不仅难以在填充于贯通孔内的金属层产生空洞，而且能够不采用将形成有种子层的面的贯通孔用金属层堵塞的操作而高效地制造配线用基板。

此外，近年来还希望开发出下述配线用基板的制造方法，该制造方法通过减薄因电镀而在种子层的表面形成的金属的厚度，能够缩短镀覆时间，并且削减所形成的金属的用量，使电极平滑。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-023251号公报

专利文献2：日本特开2003-309214号公报

专利文献3：日本专利第5558614号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

本发明的课题在于提供一种配线用基板的制造方法，该制造方法不仅难以在填充于贯通孔内的金属层产生空洞，而且能够不采用将形成有种子层的面的贯通孔用金属层堵塞的操作而高效地制造配线用基板。

另外，本发明的课题在于提供一种配线用基板的制造方法，该制造方法难以在形成于贯通孔内的金属层产生空洞，通过减薄因电镀而在种子层的表面形成的金属的厚度，能够缩短镀覆时间，并且削减所形成的金属的用量，使电极平滑。

用于解决课题的方案

第1本发明(下文中称为第1发明)涉及一种配线用基板的制造方法，其为使用具有贯通孔的绝缘基板来制造配线用基板的方法，其特征在于，在绝缘基板的一个表面形成种子层，用掩蔽膜对形成有种子层的面进行被覆，按照绝缘基板的形成有种子层的面的相反面与阳极对置的方式来配设绝缘基板和阳极并实施电镀，在贯通孔内形成金属层，之后将掩蔽膜除去。

第2的本发明(下文中称为第2发明)涉及一种配线用基板的制造方法，其为使用具有贯通孔的绝缘基板来制造配线用基板的方法，其特征在于，在绝缘基板的一个表面形成种子层，在所形成的种子层上，在未形成电极的电极非形成部形成抗蚀层，同时用掩蔽膜对形成有种子层的面的相反面进行被覆，对形成有种子层的面实施电镀而在贯通孔的内部形成金属层时，按照形成有金属层的贯通孔的开口部的直径为形成金属层前的贯通孔的开口部的直径的10％～50％的方式，在贯通孔的内部形成金属层，用掩蔽膜对形成有种子层的面进行被覆，同时将在形成有种子层的面的相反面所被覆的掩蔽膜除去，从形成有种子层的面的相反面实施电镀，在贯通孔内形成金属层，由此形成电极，之后，将形成于种子层的掩蔽膜、抗蚀层和种子层除去。

发明的效果

根据第1发明的配线用基板的制造方法，可起到下述优异的效果：不仅难以在填充于通孔内的金属层产生空洞，而且能够不采用将形成有种子层的面的贯通孔用金属层堵塞的操作而高效地制造配线用基板。

根据第2发明的配线用基板的制造方法，可起到下述优异的效果：难以在形成于贯通孔内的金属层产生空洞，通过减薄因电镀而在种子层的表面形成的金属的厚度，能够缩短镀覆时间，并且削减所形成的金属的用量，可制造所形成的电极平滑的配线用基板。

附图说明

图1是示出第1发明的配线用基板的制造方法的一个实施方式的示意性说明图。

图2是示出第2发明的配线用基板的制造方法的一个实施方式的示意性说明图。

图3是第2发明的实施例II-1中得到的配线用基板的由微焦X射线检查装置得到的拍摄图像的附图代用照片。

具体实施方式

如上所述，第1发明的配线用基板的制造方法的特征在于，其为使用具有贯通孔的绝缘基板来制造配线用基板的方法，其中，在绝缘基板的一个表面形成种子层，用掩蔽膜对形成有种子层的面进行被覆，按照绝缘基板的形成有种子层的面的相反面与阳极对置的方式来配设绝缘基板和阳极并实施电镀，在贯通孔内形成金属层，之后将掩蔽膜除去。

根据第1发明，不仅难以在填充于通孔内的金属层产生空洞，而且能够不采用将形成有种子层的面的贯通孔用金属层堵塞的操作而高效地制造配线用基板。

如上所述，第2发明的配线用基板的制造方法的特征在于，其为使用具有贯通孔的绝缘基板来制造配线用基板的方法，其中，在绝缘基板的一个表面形成种子层，在所形成的种子层上，在未形成电极的电极非形成部形成抗蚀层，同时用掩蔽膜对形成有种子层的面的相反面进行被覆，对形成有种子层的面实施电镀而在贯通孔的内部形成金属层时，按照形成有金属层的贯通孔的开口部的直径为形成金属层前的贯通孔的开口部的直径的10％～50％的方式，在贯通孔的内部形成金属层，用掩蔽膜对形成有种子层的面进行被覆，同时将在形成有种子层的面的相反面所被覆的掩蔽膜除去，从形成有种子层的面的相反面实施电镀，在贯通孔内形成金属层，由此形成电极，之后，将形成于种子层的掩蔽膜、抗蚀层和种子层除去。

根据第2发明，由于采用了上述操作，因此难以在形成于贯通孔内的金属层产生空洞，通过减薄因电镀而在种子层的表面形成的金属的厚度，能够缩短镀覆时间，并且削减所形成的金属的用量，可制造所形成的电极平滑的配线用基板。

用于第1发明和第2发明的绝缘基板优选具有绝缘性、并且机械强度优异。作为优选的绝缘基板，例如可以举出硅基板；玻璃基板；由环氧树脂、氟树脂、酚醛树脂、聚酯、聚酰亚胺、环烯烃聚合物等树脂构成的树脂基板；由玻璃纤维强化环氧树脂、芳族聚酰胺纤维强化环氧树脂等纤维强化树脂构成的基板等，但本发明并不仅限于上述例示。在这些绝缘基板中，由于操作性和绝缘性优异，因而优选硅基板和玻璃基板。

绝缘基板的厚度因配线用基板的用途等而异，因而不能一概地决定，因此优选根据该配线用基板的用途等适当决定，通常为30μm～800μm左右。另外，绝缘基板的尺寸与绝缘基板的厚度同样地因配线用基板的用途等而异，因而不能一概地决定，因此优选根据该配线用基板的用途等适当决定。

在绝缘基板形成有贯通孔。贯通孔例如可以通过使用等离子体的干蚀刻法、使用准分子激光器、UV-YAG激光器等激光器的激光加工法等形成于绝缘基板。形成于绝缘基板的贯通孔的孔径因本发明的配线用基板的用途等而异，因而不能一概地决定，因此优选根据该配线用基板的用途等适当设定，通常从抑制在形成于贯通孔内的金属层内产生空洞的方面考虑，优选为1μm～200μm、更优选为5μm～200μm、进一步优选为10μm～100μm。

在绝缘基板形成贯通孔后，为了使将绝缘基板穿孔而形成贯通孔时产生的碎屑不残存于贯通孔，优选根据需要将该碎屑除去。

首先，基于附图对第1发明的配线用基板的制造方法进行说明。图1是示出第1发明的配线用基板的制造方法的一个实施方式的示意性说明图。

第1发明中，如图1的(a)所示，使用具有贯通孔2的绝缘基板1。

接着，如图1的(b)所示，在绝缘基板1的一个表面形成种子层3。种子层3是为了提高绝缘基板1与后述的金属层(未图示)的密合性而形成的。种子层3通常使用金属。

在使用玻璃基板或树脂基板作为绝缘基板1的情况下，从提高用作绝缘基板1的玻璃基板或树脂基板与形成于种子层3上的金属层的密合性的方面考虑，用于种子层3的金属优选与用于金属层的金属为同一种类的金属。

在使用硅基板作为绝缘基板1的情况下，从提高用作绝缘基板1的硅基板与金属层的密合性、同时抑制通过用于金属层的铜等金属扩散至硅基板而使硅基板的绝缘性降低的方面考虑，种子层3优选为例如从硅基板侧依次层积钛层和铜层而成的种子层、从硅基板侧依次层积钛层和铬层而成的种子层、由钴-钨-磷(Co-W-P)构成的种子层、由镍-钨-磷(Ni-W-P)构成的种子层、由钯-钴-磷(Pd-Co-P)构成的种子层等。

种子层3例如可以通过溅射法、化学蒸镀(CVD)法、物理蒸镀(PVD)法、镀覆法等形成。

对形成于绝缘基板1的一个表面的种子层3的厚度没有特别限定，从提高绝缘基板1与金属层的密合性的方面考虑，优选为100nm～500nm左右。

在绝缘基板1的一个表面形成种子层3时，通常，如图1的(b)所示，在绝缘基板1的贯通孔2的内面形成种子层3的突出部3a。关于如此在绝缘基板1的贯通孔2的内面形成的种子层3的突出部3a，会成为在后述的贯通孔2内形成金属层(未图示)时的生长点，能够使金属层生长，因而能够形成不产生空洞的金属层。从使金属层高效生长的方面考虑，突出部3a的长度L优选为10nm以上、更优选为20nm以上、进一步优选为30nm以上，从形成不产生空洞的金属层的方面考虑，优选为50μm以下、更优选为40μm以下、进一步优选为30μm以下。另外，从使金属层高效生长的方面考虑，突出部3a的厚度D优选为3nm以上、更优选为5nm以上、进一步优选为10nm以上，从形成不产生空洞的金属层的方面考虑，优选为500nm以下、更优选为400nm以下、进一步优选为300nm以下。

使种子层3的一部分不形成于绝缘基板1的贯通孔2的内面的情况下，例如可以将用于不形成种子层3的销(未图示)等掩蔽部件插入贯通孔2内。

接着，如图1的(c)所示，用掩蔽膜4对绝缘基板1的形成有种子层3的面进行被覆。

第1发明中，如图1的(c)所示，用掩蔽膜4对绝缘基板1的形成有种子层3的面进行被覆这点是一大特征。第1发明中，由于采用了将绝缘基板1的形成有种子层3的面用掩蔽膜4被覆的操作，因此不需要如现有这样在用金属层填充绝缘基板1的贯通孔2内之前用电镀堵塞绝缘基板1的贯通孔2的工序，进而不需要用电镀堵塞该绝缘基板1的贯通孔2的工序，因而不需要堵塞了贯通孔2后的表面的研磨、净化处理等繁杂的后工序，所以具有能够大幅削减制造配线用基板所需要的工序数的优点。

作为掩蔽膜4，例如可以举出由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃；尼龙11、尼龙12、尼龙6、尼龙66等聚酰胺；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸类树脂；氯乙烯树脂、偏二氯乙烯树脂等树脂构成的树脂膜、由聚氨酯弹性体等弹性体构成的膜、由天然橡胶、丁苯橡胶等合成橡胶等构成的橡胶片、铝箔等金属箔等，但第1发明并不仅限于上述例示。对掩蔽膜的厚度没有特别限定，通常优选为10μm～200μm左右。

作为将绝缘基板1的形成有种子层3的面用掩蔽膜4被覆的方法，例如可以举出：使用由热塑性树脂构成的掩蔽膜4作为掩蔽膜4，将该掩蔽膜4放置于绝缘基板1的形成有种子层3的面并进行加热，从而使掩蔽膜4临时粘接于绝缘基板1的方法；使用具有粘着层的掩蔽膜4作为掩蔽膜4，将该掩蔽膜4的设有粘着层的面与绝缘基板1的形成有种子层3的面重叠，由此使掩蔽膜4临时粘接于绝缘基板1的方法；等等，但第1发明并不仅限于上述例示。

接着，如图1的(d)所示，按照绝缘基板1的形成有种子层3的面的相反面与阳极5对置的方式来配设绝缘基板1和阳极5并实施电镀，在贯通孔2内形成金属层8。第1发明中，由于采用了上述操作，因此不需要如现有这样在用金属层填充绝缘基板1的贯通孔2内之前用电镀堵塞绝缘基板1的贯通孔2的工序，进而不需要用电镀堵塞该绝缘基板1的贯通孔2的工序，因而不需要堵塞了贯通孔2后的表面的研磨、净化处理等繁杂的后工序，所以具有能够大幅削减制造配线用基板所需要的工序数的优点。另外，第1发明中，由于采用了上述操作，因此能够将在各贯通孔2内生长的金属层8的生长速度控制成大致一定，同时利用掩蔽膜4来控制在形成有种子层3的面从贯通孔2突出的金属层(未图示)的高度，因而具有能够将在形成有种子层3的面从贯通孔2突出的金属层的高度控制成大致均匀的优点。

随着通过电镀使金属层8在贯通孔2内生长，如图1的(e)和(f)所示，在贯通孔2内形成金属层8。此时，将种子层3、优选种子层3的突出部3a作为核使金属层8生长，因而能够在贯通孔2内形成不产生空洞的金属层8。

按照绝缘基板1的形成有种子层3的面的相反面与阳极5对置的方式来配置绝缘基板1和阳极5并实施电镀时，如图1的(d)所示，可以使用电解槽6。

关于电镀，可以按照绝缘基板1的形成有用掩蔽膜4被覆的种子层3的面的相反面与阳极5对置的方式，将绝缘基板1和阳极5配设于电解槽6内，按照绝缘基板1和阳极5浸渍到镀覆浴7中的方式放入镀覆浴7，之后进行电镀。此时，在绝缘基板1的形成有种子层3的面的相反面的贯通孔2内露出的种子层3作为阴极发挥作用。需要说明的是，本申请发明中，也可以将镀覆浴7放入电解槽6内，按照绝缘基板1的形成有种子层3的面的相反面与阳极5对置的方式将绝缘基板1和阳极5浸渍到镀覆浴7中，之后进行电镀。

需要说明的是，在图1的(d)所示的实施方式中，绝缘基板1和阳极5配设于垂直(铅直)方向，但也可以分别配设于水平方向。

对绝缘基板1与阳极5的间隔没有特别限定，从将在绝缘基板1的形成有种子层3的面的相反面的贯通孔2内露出的种子层3作为起点而高效地形成金属层8的方面考虑，优选为5mm～50mm左右。

镀覆浴7可以根据在绝缘基板1的贯通孔2内形成的金属层(未图示)中使用的金属的种类而适当地选择使用。作为金属层中使用的金属，例如可以举出金、银、铜、铂、铝、锡、铑、镍、铬、钴、钯、钨、由这些金属构成的合金等，但第1发明并不仅限于上述例示。另外，关于阳极5中使用的金属，也可以根据在绝缘基板1的贯通孔2内形成的金属层中使用的金属的种类而选择使用。阳极5中使用的金属与金属层中使用的金属相同，作为其例子，可以举出金、银、铜、铂、铝、锡、铑、镍、铬、钴、钯、钨、由这些金属构成的合金等，但第1发明并不仅限于上述例示。

镀覆浴7的种类可以根据在绝缘基板1的贯通孔2内形成的金属层中使用的金属的种类而选择使用。例如，在绝缘基板1的贯通孔2内形成的金属层中使用的金属为铜的情况下，作为镀覆浴7，例如可以使用含有硫酸铜和硫酸、并根据需要含有氯离子、镀覆抑制剂、镀覆促进剂等的硫酸铜镀覆浴等。

对绝缘基板1实施电镀时的电流密度没有特别限定，从在绝缘基板1的贯通孔2内高效地形成致密的金属层8的方面考虑，优选为0.5A/dm²～30A/dm²、更优选为0.5A/dm²～5A/dm²。另外，对进行电镀时的镀覆浴7的液温没有特别限定，通常优选为5℃～80℃、更优选为室温。

如上所述，如图1的(f)所示，在绝缘基板1的贯通孔2形成金属层8后，将掩蔽膜4除去，从而填充了形成于贯通孔2内的金属层8，可以得到表面具有种子层3的图1的(g)所示的绝缘基板1。

根据第1发明的配线用基板的制造方法，将绝缘基板1的贯通孔2内的种子层3作为核，金属层8在贯通孔2内依次生长，因而能够在贯通孔2内形成不产生空洞的金属层8，所以能够显著提高所得到的配线用基板的可靠性。

另外，如图1的(g)所示，在形成有种子层3的面填充于贯通孔2内的金属层8的表面8a因掩蔽膜4而平滑化，因而即使不实施用于使金属层8的表面8a平滑化的后加工，也能够以原本的状态例如形成电极(未图示)。

接着，在绝缘基板1的金属层8的表面8a上形成电极的情况下，如图1的(h)所示，可以在绝缘基板1的种子层3上放置抗蚀层9，该抗蚀层9具有用于在绝缘基板1的金属层8的表面8a形成电极的图案。

从提高作业性的方面考虑，抗蚀层9通常优选使用干膜抗蚀剂层。干膜抗蚀剂层包括负型干膜抗蚀剂层和正型干膜抗蚀剂层，第1发明中，可以使用任一种干膜抗蚀剂层。作为负型干膜抗蚀剂层，例如可以举出光固化性干膜抗蚀剂层、热固化性干膜抗蚀剂层等，但第1发明并不仅限于上述例示。对于干膜抗蚀剂层，优选预先根据绝缘基板1的图案进行图案化。

抗蚀层9的厚度优选根据图1的(i)所示的电极10的高度而适当决定。抗蚀层9的厚度通常为10μm～200μm左右。

电极10例如可以通过电镀形成。电镀中，可以按照绝缘基板1的形成有种子层3的面与阳极(未图示)对置的方式将绝缘基板1和阳极配设于电解槽(未图示)内，按照绝缘基板1和阳极浸渍到镀覆浴(未图示)中的方式放入镀覆浴，之后进行电镀。此时，填充于绝缘基板1的贯通孔2内的金属层8作为阴极发挥作用。需要说明的是，本申请发明中，也可以将镀覆浴放入电解槽内，按照绝缘基板1的形成有种子层3的面与阳极5对置的方式将绝缘基板1和阳极浸渍到镀覆浴中，之后进行电镀。

对绝缘基板1与阳极的间隔没有特别限定，从将在绝缘基板1的形成有种子层3的面露出的金属层8作为起点而高效地形成金属层8的方面考虑，优选为5mm～50mm左右。

镀覆浴可以根据在电极10中使用的金属的种类而适当地选择使用。作为电极10中使用的金属，例如可以举出金、银、铜、铂、铝、锡、铑、镍、铬、钴、钯、钨、由这些金属构成的合金等，但第1发明并不仅限于上述例示。另外，关于阳极中使用的金属，也可以根据在电极10中使用的金属的种类而选择使用。阳极中使用的金属与电极10中使用的金属相同，作为其例子，可以举出金、银、铜、铂、铝、锡、铑、镍、铬、钴、钯、钨、由这些金属构成的合金等，但第1发明并不仅限于上述例示。

镀覆浴的种类可以根据在电极10中使用的金属的种类而选择使用。例如，在电极10中使用的金属为铜的情况下，作为镀覆浴7，例如可以使用含有硫酸铜和硫酸、并根据需要含有氯离子、镀覆抑制剂、镀覆促进剂等的硫酸铜镀覆浴等。

对绝缘基板实施电镀时的电流密度没有特别限定，从高效地形成致密的电极10的方面考虑，优选为0.5A/dm²～30A/dm²、更优选为0.5A/dm²～5A/dm²。另外，对进行电镀时的镀覆浴7的液温没有特别限定，通常优选为5℃～80℃、更优选为室温。

如上所述，在绝缘基板1的金属层8的表面8a形成电极10。电极10的厚度因配线用基板的用途等而异，因而不能一概地决定，但通常为3μm～80μm左右。

接着，将图1的(i)所示的种子层3和形成于该种子层3上的抗蚀层9除去，从而可以得到图1的(j)所示的配线用基板。需要说明的是，抗蚀层9例如可以通过剥离而容易地除去，种子层3例如可以通过使用刻蚀剂(蚀刻液)的湿蚀刻方法进行化学反应而容易地除去。

如上述说明那样，根据第1发明的配线用基板的制造方法，不仅难以在填充于通孔内的金属层产生空洞，而且能够不采用将形成有种子层的面的贯通孔用金属层堵塞的操作而高效地制造配线用基板。

因此，通过第1发明的配线用基板的制造方法所得到的配线用基板难以在填充于贯通孔内的金属层产生空洞，因而可靠性优异，所以被期待用作例如用于搭载半导体芯片等的配线用基板等。

接着，基于附图对第2发明的配线用基板的制造方法进行说明。图2是示出第2发明的配线用基板的制造方法的一个实施方式的示意性说明图。

第2发明中，首先，如图2(a)所示，使用具有贯通孔2的绝缘基板1。

接着，如图2的(b)所示，在绝缘基板1的一个表面形成种子层3。种子层3是为了提高绝缘基板1与电镀中使用的金属的密合性而形成的。种子层3通常使用金属。在使用玻璃基板或树脂基板作为绝缘基板1的情况下，从提高用作绝缘基板1的玻璃基板或树脂基板与形成于种子层3上的金属层(未图示)的密合性的方面考虑，用于种子层3的金属优选与电镀中使用的金属为同一种类的金属。

在使用硅基板作为绝缘基板1的情况下，从提高用作绝缘基板1的硅基板与电镀中使用的金属的密合性、同时抑制通过电镀中使用的铜等金属扩散至硅基板而使硅基板的绝缘性降低的方面考虑，种子层3优选例如为从硅基板侧依次层积钛层和铜层而成的种子层、从硅基板侧依次层积钛层和铬层而成的种子层、由钴-钨-磷(Co-W-P)构成的种子层、由镍-钨-磷(Ni-W-P)构成的种子层、由钯-钴-磷(Pd-Co-P)构成的种子层等。

种子层3例如可以通过溅射法、化学蒸镀(CVD)法、物理蒸镀(PVD)法、镀覆法等形成。

对形成于绝缘基板1的一个表面的种子层3的厚度没有特别限定，从提高绝缘基板1与电镀中使用的金属的密合性的方面考虑，优选为100nm～500nm左右。

需要说明的是，在绝缘基板1的一个表面形成种子层3时，有时种子层3的一部分形成于绝缘基板1的贯通孔2的内面。第2发明中，在不阻碍第2发明的目的的范围内，种子层3的一部分可以形成于绝缘基板1的贯通孔2的内面，种子层3也可以仅形成于绝缘基板1的表面。使种子层3的一部分不形成于绝缘基板1的贯通孔2的内面的情况下，例如可以将用于不形成种子层3的销(未图示)等掩蔽部件插入贯通孔2内。

接着，如图2的(c)所示，在上述形成的种子层3上，在未形成电极的电极非形成部(未图示)形成抗蚀层9，同时用掩蔽膜4对形成有种子层3的面的相反面进行被覆。

对进行在种子层3上的电极非形成部形成抗蚀层9的操作和用掩蔽膜4对形成有种子层3的面的相反面进行被覆的操作的顺序没有特别限定，可以先进行任一个操作。

需要说明的是，种子层3上的电极非形成部是指在种子层3上不形成图2的(g)所示的电极10的部分。电极10通常形成于贯通孔2的上部。

从提高作业性的方面考虑，抗蚀层9通常优选使用干膜抗蚀剂层。干膜抗蚀剂层包括负型干膜抗蚀剂层和正型干膜抗蚀剂层，第2发明中，可以使用任一种干膜抗蚀剂层。作为负型干膜抗蚀剂层，例如可以举出光固化性干膜抗蚀剂层、热固化性干膜抗蚀剂层等，但第2发明并不仅限于上述例示。对于干膜抗蚀剂层，优选预先根据绝缘基板1的图案进行图案化。

抗蚀层9的厚度优选根据图2的(g)所示的电极10的高度而适当决定。抗蚀层9的厚度通常为10μm～200μm左右。

形成有种子层3的面的相反面用掩蔽膜4进行了被覆。作为掩蔽膜4，例如可以举出由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃；尼龙11、尼龙12、尼龙6、尼龙66等聚酰胺；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸类树脂；氯乙烯树脂、偏二氯乙烯树脂等树脂构成的膜、由聚氨酯弹性体等弹性体构成的膜、由天然橡胶、丁苯橡胶等合成橡胶等构成的橡胶片、铝箔等金属箔等，但第2发明并不仅限于上述例示。对掩蔽膜4的厚度没有特别限定，通常优选为10μm～200μm左右。

作为将形成有种子层3的面的相反面用掩蔽膜4被覆的方法，例如可以举出：使用由热塑性树脂构成的掩蔽膜作为掩蔽膜4，将该掩蔽膜放置于绝缘基板1的形成有种子层3的面的相反面并进行加热，从而使掩蔽膜临时粘接于绝缘基板1的方法；使用具有粘着层的掩蔽膜作为掩蔽膜4，将该掩蔽膜的设有粘着层的面与绝缘基板1的形成有种子层3的面的相反面重叠，由此使掩蔽膜临时粘接于绝缘基板1的方法；等等，但第2发明并不仅限于上述例示。

接着，如图2的(d)所示，通过对形成有种子层3的面实施电镀而在贯通孔2的内部形成金属层8时，按照形成有金属层8的贯通孔2的开口部的直径为形成金属层8前的贯通孔2的开口部的直径的10％～50％的方式，在贯通孔2的内部形成金属层8。

金属层8形成于种子层3上。随着在种子层3上形成金属层8，在种子层3的整个面形成金属层8，因而如图2的(d)所示，形成了贯通孔2的开口部的直径d逐渐变小的贯通孔11。

第2发明中，贯通孔11的开口部的直径d调整为形成金属层8前(初期)的贯通孔2的开口部的直径D的10％～50％。换言之，形成有金属层8的贯通孔11的开口部的直径d调整为基于式：(直径d/直径D)×100求出的值达到10％～50％。第2发明中，如此采用贯通孔11的开口部的直径d调整成形成金属层8前的贯通孔2的开口部的直径D的10％～50％的操作这点是一大特征。第2发明中，由于采用了上述操作，因而可起到在形成于贯通孔2内的金属层13难以产生空洞的优异效果。

作为对种子层3实施电镀的方法，例如可以举出下述方法：按照绝缘基板1的形成有种子层3的面与阳极(未图示)对置的方式配设绝缘基板1和阳极，对种子层3实施电镀；等等。通过如此对种子层3实施电镀，以种子层3作为据点，金属层8发生析出，贯通孔2的开口部的直径d逐渐减小，因而形成金属层8直至贯通孔11的开口部的直径d达到形成金属层8前的贯通孔2的开口部的直径D的10％～50％为止。

在绝缘基板1的种子层3上实施电镀时，可以使用电解槽(未图示)。可以按照绝缘基板1的形成有种子层3的面与阳极(未图示)对置的方式，在电解槽内配设绝缘基板1和阳极，按照绝缘基板1和阳极浸渍到镀覆浴中的方式放入镀覆浴，之后进行电镀。此时，绝缘基板1的形成有种子层3的面作为阴极发挥作用。另外，也可以将镀覆浴放入电解槽内，将绝缘基板1和阳极浸渍到镀覆浴中，之后进行电镀。

对绝缘基板1与阳极的间隔没有特别限定，从对绝缘基板1的形成有种子层3的面高效地实施电镀的方面考虑，优选为5mm～50mm左右。

镀覆浴可以根据形成于绝缘基板1的贯通孔2内的金属层8的种类而适当地选择使用。作为金属层8中使用的金属，例如可以举出金、银、铜、铂、铝、锡、铑、镍、铬、钴、钯、钨、由这些金属构成的合金等，但第2发明并不仅限于上述例示。另外，关于阳极中使用的金属，也可以根据形成于绝缘基板1的贯通孔2内的金属层8中使用的金属的种类而选择使用。阳极中使用的金属与形成于绝缘基板1的贯通孔2内的金属相同。作为上述金属，例如可以举出金、银、铜、铂、铝、锡、铑、镍、铬、钴、钯、钨、由这些金属构成的合金等，但第2发明并不仅限于上述例示。

镀覆浴的种类可以根据形成于绝缘基板1的贯通孔2内的金属层8中使用的金属的种类而选择使用。例如，在形成于绝缘基板1的贯通孔2内的金属层8中使用的金属为铜的情况下，作为镀覆浴，可以使用含有硫酸铜和硫酸、并根据需要含有氯离子、镀覆抑制剂、镀覆促进剂等的硫酸铜镀覆浴等。

对绝缘基板1实施电镀时的电流密度没有特别限定，从在绝缘基板1的贯通孔2内高效致密地形成金属层8的方面考虑，优选为0.5A/dm²～10A/dm²、更优选为0.5A/dm²～5A/dm²。另外，对进行电镀时的镀覆浴的液温没有特别限定，通常优选为5℃～80℃、更优选为10℃～60℃、进一步优选为室温。

接着，如图2的(e)所示，用掩蔽膜12对形成有种子层3的面进行被覆，同时将在形成有种子层3的面的相反面所被覆的掩蔽膜4除去。

对进行将形成有种子层3的面用掩蔽膜12被覆的操作、和将在形成有种子层3的面的相反面所被覆的掩蔽膜4除去的操作的顺序没有特别限定，可以先进行任一个操作。

作为掩蔽膜12，例如可以举出由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃；尼龙11、尼龙12、尼龙6、尼龙66等聚酰胺；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸类树脂；氯乙烯树脂、偏二氯乙烯树脂等树脂构成的膜、由聚氨酯弹性体等弹性体构成的膜、由天然橡胶、丁苯橡胶等合成橡胶等构成的橡胶片、铝箔等金属箔等，但第2发明并不仅限于上述例示。对掩蔽膜的厚度没有特别限定，通常优选为10μm～200μm左右。

作为将形成有种子层3的面用掩蔽膜12被覆的方法，例如可以举出：使用由热塑性树脂构成的掩蔽膜作为掩蔽膜12，将该掩蔽膜放置于形成有种子层3的面并进行加热，从而使掩蔽膜临时粘接于绝缘基板1的方法；使用具有粘着层的掩蔽膜作为掩蔽膜12，将该掩蔽膜的设有粘着层的面与绝缘基板1的形成有种子层3的面重叠，由此使掩蔽膜临时粘接于绝缘基板1的方法；等等，但第2发明并不仅限于上述例示。

需要说明的是，在图2的(e)所示的实施方式中，在金属层8与掩蔽膜12之间存在空间，但通过减小抗蚀层9的厚度，从而使种子层3与掩蔽膜12接触，也可以在金属层8与掩蔽膜12之间不形成空间。

接着，如图2的(f)所示，从形成有种子层3的面的相反面实施电镀，从而在贯通孔2内形成金属层13。

作为对形成有种子层3的面的相反面实施电镀的方法，例如可以举出下述方法：按照绝缘基板1的形成有种子层3的面的相反面与阳极(未图示)对置的方式配设绝缘基板1和阳极，对种子层3的相反面实施电镀；等等。通过如此对种子层3的相反面实施电镀，以种子层3作为据点，金属发生析出，在掩蔽膜12与种子层3之间的间隙形成金属层13。

通过从形成有种子层3的面的相反面实施电镀而在贯通孔2内形成金属层13时，与上述同样地可以使用电解槽(未图示)。可以按照形成有种子层3的面的相反面与阳极(未图示)对置的方式，在电解槽内配设绝缘基板1和阳极，按照绝缘基板1和阳极浸渍到镀覆浴中的方式放入镀覆浴，之后进行电镀。此时，绝缘基板1的种子层3作为阴极发挥作用。另外，也可以将镀覆浴放入电解槽内，将绝缘基板1和阳极浸渍到镀覆浴中，之后进行电镀。

对形成有种子层3的面的相反面与阳极的间隔没有特别限定，从由形成有种子层3的面的相反面高效地实施电镀的方面考虑，优选为5mm～50mm左右。

与上述同样，镀覆浴可以根据形成于绝缘基板1的贯通孔2内的金属层13中使用的金属的种类而适当地选择使用。作为金属层13中使用的金属，例如可以举出金、银、铜、铂、铝、锡、铑、镍、铬、钴、钯、钨、由这些金属构成的合金等，但第2发明并不仅限于上述例示。另外，关于阳极中使用的金属，也可以根据形成于绝缘基板1的贯通孔2内的金属层13中使用的金属的种类而选择使用。阳极中使用的金属与形成于绝缘基板1的贯通孔2内的金属相同。作为上述金属，例如可以举出金、银、铜、铂、铝、锡、铑、镍、铬、钴、钯、钨、由这些金属构成的合金等，但第2发明并不仅限于上述例示。

与上述同样，镀覆浴的种类可以根据形成于绝缘基板1的贯通孔2内的金属层13中使用的金属的种类而选择使用。例如，在形成于绝缘基板1的贯通孔2内的金属层13中使用的金属为铜的情况下，作为镀覆浴，可以使用含有硫酸铜和硫酸、并根据需要含有氯离子、镀覆抑制剂、镀覆促进剂等的硫酸铜镀覆浴等。

对从形成有种子层3的面的相反面实施电镀时的电流密度没有特别限定，从在绝缘基板1的贯通孔2内高效致密地形成金属层13的方面考虑，优选为0.5A/dm²～10A/dm²、更优选为0.5A/dm²～5A/dm²。另外，对进行电镀时的镀覆浴的液温没有特别限定，通常优选为5℃～80℃、更优选为10℃～60℃、进一步优选为室温。

如上所述从形成有种子层3的面的相反面实施电镀，在贯通孔2内形成金属层13，从而能够形成电极10。

接着，将形成于种子层3的掩蔽膜12、抗蚀层9和种子层3除去，从而可以得到如图2的(g)所示的配线用基板。

需要说明的是，存在于绝缘基板1上的种子层3例如可以通过使用刻蚀剂(蚀刻液)的湿蚀刻方法进行化学反应而容易地除去。

如上所述，可以制造配线用基板。根据第2发明的配线用基板的制造方法，在贯通孔内难以产生空洞，因而配线用基板的可靠性显著提高，进而通过减薄因电镀而在种子层的表面形成的金属的厚度，能够缩短镀覆时间，并且削减电极所使用的金属的用量，可制造所形成的电极平滑的配线用基板。

另外，根据第2发明的配线用基板的制造方法，不需要如现有这样在配线用基板的制造后配设电极，在种子层上放置有掩蔽膜的状态下在绝缘基板的贯通孔内形成金属层，因而能够形成表面平滑的电极，所以能够高效地制造表面具有平滑的电极的配线用基板。

另外，根据现有的配线用基板的制造方法，采用了不使用掩蔽膜而对绝缘基板实施电镀的操作，因此金属层从设置于绝缘基板的两面的各贯通孔分别向绝缘基板的厚度方向的中心部生长，因而随着金属层在贯通孔的内部形成，镀覆浴所含有的电镀用的金属浓度逐渐降低，同时电流密度也逐渐降低，因而不仅配线用基板的制造效率降低，而且还会在贯通孔的中心部分产生空洞。

与此相对，根据第2发明的配线用基板的制造方法，如上所述采用了以下操作：通过对形成有种子层的面实施电镀而在贯通孔的内部形成金属层时，按照形成有金属层的贯通孔的开口部的直径为形成金属层前的贯通孔的开口部的直径的10％～50％的方式，在贯通孔的内部形成金属层，同时从形成有种子层的面的相反面实施电镀，在贯通孔内形成金属层，因而在形成于贯通孔内的金属层难以产生空洞，通过减薄因电镀而在种子层的表面形成的金属的厚度，能够缩短镀覆时间，并且削减所形成的金属层的用量，可制造所形成的电极平滑的配线用基板。

因此，根据第2发明的配线用基板的制造方法，与现有的配线用基板的制造方法相比，具有能够高效地制造配线用基板的优点。

如以上说明的那样，通过第2发明的配线用基板的制造方法所得到的配线用基板由于在形成于贯通孔内的金属层难以产生空洞，因而可靠性优异，所以被期待用作例如用于搭载半导体芯片等的配线用基板等。

实施例

接着，基于实施例对第1发明和第2发明进行更详细的说明，但第1发明和第2发明不仅限定于所述实施例。

[第1发明]

制造例1

作为绝缘基板，使用以500μm的等间隔在直线上设有50个孔径为50μm的贯通孔的硅基板(直径：150mm、厚度：300μm)。利用加载互锁式溅射装置(ULVAC社制造、型号：CS-200)在该硅基板的一个表面形成作为种子层的厚度为50nm的钛层后，形成厚度为300nm的铜层。在种子层形成有图1的(b)所示的突出部3a，突出部3a的长度L为约20μm，厚度D为约150nm。

实施例I-1

使用制造例1中得到的具有种子层的硅基板，在形成有种子层的面上粘贴掩蔽膜(厚度为30μm的聚乙烯制膜)，由此将形成有该种子层的面用掩蔽膜被覆。

接着，利用具有图1的(d)所示的形态的电解槽6，按照被覆了掩蔽膜的硅基板的形成有种子层的面的相反面与由铜构成的阳极以约25mm的间隙对置的方式，将硅基板和阳极浸渍到25℃的硫酸铜镀覆浴(硫酸150g/L、硫酸铜150g/L、氯0.2mL/L)中，以电流密度2A/dm²进行电解镀铜，由此在贯通孔内形成金属层。

如上所述在硅基板的贯通孔内形成作为金属层的铜层后，将掩蔽膜除去，由此得到表面具有种子层的硅基板。

接着，为了在硅基板的金属层(铜层)的表面上形成电极，在种子层上粘贴干膜抗蚀剂层(厚度：50μm)作为抗蚀层，该抗蚀层具有用于在金属层的表面形成电极的图案(在电极的形成部具有贯通孔的图案)。

按照粘贴了干膜抗蚀剂层的硅基板的形成有种子层的面与由铜构成的阳极以约25mm的间隙对置的方式，将硅基板和阳极浸渍到25℃的硫酸铜镀覆浴(硫酸150g/L、硫酸铜150g/L、氯0.2mL/L)中，以电流密度2A/dm²进行电解镀铜，由此在硅基板的金属层的表面形成电极(厚度：25μm)。

接着，将硅基板上的干膜抗蚀剂层剥离，对种子层进行湿蚀刻，由此将其除去，从而得到配线用基板。

对上述得到的配线用基板进行剪裁，用扫描型电子显微镜对其截面进行观察。其结果，填充于配线用基板的贯通孔内的金属层(铜层)中完全未发现空洞。

比较例I-1

作为绝缘基板，使用以120μm的等间隔在直线上设有50个孔径为60μm的贯通孔的硅基板(直径：150mm、厚度：350μm)。

接着，通过非电解镀在硅基板的整个面形成了厚度为1μm左右的金属层(铜层)。通过在硅基板的一个表面粘贴掩蔽膜(厚度为30μm的聚乙烯制膜)，从而将形成有该种子层的面用掩蔽膜被覆。

接着，利用具有图1的(d)所示的形态的电解槽6，按照被覆了掩蔽膜的硅基板的未被覆掩蔽膜的面(硅基板的另一个表面)与由铜构成的阳极以约25mm的间隙对置的方式，将硅基板和阳极浸渍到25℃的硫酸铜镀覆浴(硫酸150g/L、硫酸铜150g/L、氯0.2mL/L)中，以电流密度2A/dm²进行电解镀铜，由此在该硅基板的另一个表面形成金属层(铜层)。该金属层也形成于硅基板的贯通孔的开口部附近的内壁面，朝向贯通孔的内部形成有突出部。此外，通过继续电解镀铜，使硅基板的贯通孔的开口部堵塞。

将掩蔽膜从硅基板剥离，使硅基板的另一个表面的贯通孔的开口部露出，在硅基板的贯通孔被堵塞的一个表面粘贴了干膜抗蚀剂层。

接着，通过蚀刻将形成于硅基板的贯通孔的内部和另一个表面的种子层除去，之后将除去了种子层的硅基板和阳极浸渍到25℃的硫酸铜镀覆浴(硫酸150g/L、硫酸铜150g/L、氯0.2mL/L)中，以电流密度2A/dm²进行电解镀铜，从而在该硅基板的贯通孔内填充金属层(铜层)。

接着，为了使填充于硅基板的贯通孔内的金属层的露出部平坦，对硅基板的另一个表面进行研磨，之后利用加载互锁式溅射装置(ULVAC社制造、型号：CS-200)在该硅基板的另一个表面形成厚度为300nm左右的铜层。将所形成的具有铜层的硅基板和阳极浸渍到25℃的硫酸铜镀覆浴(硫酸150g/L、硫酸铜150g/L、氯0.2mL/L)中，以电流密度2A/dm²进行电解镀铜，从而在该硅基板的铜层的表面形成厚度为约3μm的金属层(铜层)，得到配线用基板。

对上述得到的配线用基板进行剪裁，用扫描型电子显微镜对其截面进行观察。其结果，填充于配线用基板的贯通孔内的金属层(铜层)中确认到了空洞。

由实施例I-1和比较例I-1的对比可知：根据实施例I-1，即使未如比较例I-1那样进行繁杂的多次金属镀覆，也能够高效地制造不产生空洞的配线用基板。

因此，根据第1发明的配线用基板的制造方法，不仅难以在填充于通孔内的金属层产生空洞，而且能够不采用将形成有种子层的面的贯通孔用金属层堵塞的操作而高效地制造配线用基板。

[第2发明]

实施例II-1

作为绝缘基板，使用以500μm的等间隔在直线上设有50个孔径为50μm的贯通孔的硅基板(直径：150mm、厚度：300μm)。利用加载互锁式溅射装置(ULVAC社制造、型号：CS-200)在该硅基板的一个表面形成厚度为50nm的钛层后，形成厚度为300nm的铜层，由此形成了种子层。

将负型干膜抗蚀剂层放置于所形成的种子层上，进行光刻图案化，由此在未形成电极的电极非形成部形成具有规定图案的抗蚀剂图案化层。另外，将形成有种子层的面的相反面用掩蔽膜(聚乙烯制的树脂膜、厚度：30μm)被覆。

按照硅基板的形成有种子层的面与由铜构成的阳极对置的方式，将硅基板和阳极浸渍到25℃的硫酸铜镀覆浴(硫酸150g/L、硫酸铜150g/L、氯0.2mL/L)中，以电流密度2A/dm²进行电解镀铜，由此按照形成有金属层的贯通孔的开口部的直径达到形成金属层前的贯通孔的开口部的直径的20％的方式在贯通孔的内部形成了金属层。

接着，将形成有种子层的面用掩蔽膜(聚乙烯制的树脂膜、厚度：30μm)被覆，同时将在形成有种子层的面的相反面所被覆的掩蔽膜除去，之后按照形成有种子层的面的相反面与由铜构成的阳极对置的方式将硅基板和阳极浸渍到25℃的硫酸铜镀覆浴(硫酸150g/L、硫酸铜150g/L、氯0.2mL/L)中，以电流密度2A/dm²进行电解镀铜，由此在贯通孔的内部形成了铜层。

接着，将掩蔽膜和抗蚀层从硅基板除去，通过使用了刻蚀剂的湿蚀刻法进行化学反应，从而得到配线用基板。

利用微焦X射线检查装置[TOSHIBA IT&CONTROL SYSTEMS CORPORATION制造、件号：TOSMICRON-SH6160IN]对上述得到的配线用基板的内部进行了调查。其结果示于图3。如图3的配线用基板的由微焦X射线检查装置得到的拍摄图像所示，可知在形成于上述得到的配线用基板的贯通孔内的铜层中未产生空洞。

实施例II-2

实施例II-1中，按照形成有金属层的贯通孔的开口部的直径达到形成金属层前的贯通孔的开口部的直径的20％的方式在贯通孔的内部形成金属层，除此以外与实施例II-1同样地得到配线用基板。

利用微焦X射线检查装置[TOSHIBA IT&CONTROL SYSTEMS CORPORATION制造、件号：TOSMICRON-SH6160IN]对上述得到的配线用基板的内部进行了调查。其结果，确认到在形成于上述得到的配线用基板的贯通孔内的铜层中与实施例II-1同样地未产生空洞。

实施例II-3

实施例II-1中，按照形成有金属层的贯通孔的开口部的直径达到形成金属层前的贯通孔的开口部的直径的45％的方式在贯通孔的内部形成金属层，除此以外与实施例II-1同样地得到配线用基板。

利用微焦X射线检查装置[TOSHIBA IT&CONTROL SYSTEMS CORPORATION制造、件号：TOSMICRON-SH6160IN]对上述得到的配线用基板的内部进行了调查。其结果，确认到在形成于上述得到的配线用基板的贯通孔内的铜层中与实施例II-1同样地未产生空洞。

比较例II-1

实施例II-1中，按照形成有金属层的贯通孔的开口部的直径达到形成金属层前的贯通孔的开口部的直径的100％的方式在贯通孔的内部形成金属层，由此将贯通孔堵塞，除此以外与实施例II-1同样地得到配线用基板。

利用微焦X射线检查装置[TOSHIBA IT&CONTROL SYSTEMS CORPORATION制造、件号：TOSMICRON-SH6160IN]对上述得到的配线用基板的内部进行了调查。其结果，确认到构成上述得到的配线用基板的电极的铜层中产生了空洞。

比较例II-2

实施例II-1中，省略了按照硅基板的形成有种子层的面与由铜构成的阳极对置的方式进行电解镀铜的操作，除此以外与实施例II-1同样地得到配线用基板。

利用微焦X射线检查装置[TOSHIBA IT&CONTROL SYSTEMS CORPORATION制造、件号：TOSMICRON-SH6160IN]对上述得到的配线用基板的内部进行了调查。其结果，确认到构成上述得到的配线用基板的电极的铜层中产生了空洞。

比较例II-3

作为绝缘基板，使用以120μm的等间隔在直线上设有50个孔径为60μm的贯通孔的硅基板(直径：150mm、厚度：350μm)。利用加载互锁式溅射装置(ULVAC社制造、型号：CS-200)在该硅基板的整个面形成厚度为50nm的钛层后，形成厚度为300nm的铜层。

接着，按照上述得到的具有铜层的硅基板与由铜构成的阳极对置的方式，将硅基板和阳极浸渍到25℃的硫酸铜镀覆浴(硫酸150g/L、硫酸铜150g/L、氯0.2mL/L)中，以电流密度2A/dm²进行电解镀铜，在贯通孔内形成铜层，由此得到配线用基板。

对上述得到的配线用基板进行剪裁，与实施例II-1同样地用扫描型电子显微镜对其截面进行观察。其结果，上述得到的配线用基板中确认到在形成于贯通孔内的铜层中产生了许多空洞。

由以上的结果可知，根据第2发明的配线用基板的制造方法，能够制造在形成于贯通孔内的金属层内不产生空洞的配线用基板。

工业实用性

根据发明的配线用基板的制造方法，能够高效地制造在填充于贯通孔内的金属层内不产生空洞的配线用基板，因此，本发明的配线用基板的制造方法是在工业上制造例如用于搭载半导体芯片等的配线用基板等的方面有用的方法。

符号的说明

1 绝缘基板

2 贯通孔

3 种子层

4 掩蔽膜

5 阳极

6 电解槽

7 镀覆浴

8 金属层

8a 金属层的表面

9 抗蚀层

10 电极

11 贯通孔

12 掩蔽膜

13 金属层