1.一种高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：包括普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件及温控电路，所述的半导体致热/冷元件置于普通恒温晶体振荡器之上，测温元件置于半导体致热/冷元件元件之下；所述普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件封装于真空封装外壳内且均与温控电路电连接；所温控电路外置于真空封装外壳。
2.根据权利要求1所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的高稳定度恒温晶振荡器还包括转接电路板，该转接电路板置于普通恒温晶体振荡器下并封装于真空封装外壳中，所述真空封装外壳设置有引脚，所述普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件及测温元件的各引脚通过转接电路板与真空封装外壳上相对应的引脚相连，所述温控电路通过真空封装外壳上的引脚与普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件及测温元件电连接。
3.根据权利要求1或2所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的半导体致热/冷元件模块大小大于所述的普通恒温晶体振荡器的顶部平面尺寸并完全覆盖住所述的普通恒温晶体振荡器的顶部。
4.根据权利要求1或2所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的半导体致热/冷元件为二引脚式元件。
5.根据权利要求3所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的测温元件位于所述的半导体致热/冷元件覆盖所述的普通恒温晶体振荡器顶部平面后剩余在外的部分。
6.根据权利要求5所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的测温元件为负温度系数电阻式测温元件和二引脚式元件。
7.根据权利要求1或2所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的真空封装外壳为金属外壳；封装后的真空度低于10Pa。
8.根据权利要求或2所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的真空封装外壳设置有8个引脚。
9.一种提高晶体振荡器温度的方法，所述晶体振荡器为普通恒温晶体振荡器，其特征在于：该方法包括如下步骤：
1)将普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件分别与温控电路进行电连接，并将普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件一起进行用真空封装外壳进行真空封装，而将温控电路外置于真空封装外壳；
2)利用测温元件测定普通恒温晶体振荡器表面的温度，当测得的温度低于所设定温度时，利用温控电路对半导体致热/冷元件输出正向电流，使其紧贴普通恒温晶体振荡器的一面产生加热效应，从而提升普通恒温晶体振荡器的温度。当测得的温度高于所设定温度时，温控电路对半导体致热/冷元件输出负向电流，使其紧贴普通恒温晶体振荡器的一面产生致冷效应，从而降低普通恒温晶体振荡器的温度；如此反复，使得普通恒温晶体振荡器稳定于所设定温度；
3)在利用半导体致热/冷元件实现一次恒温之后，普通恒温晶体振荡器的自身电阻式恒温系统将在恒温状态下自动实现快速的二次恒温，从而实现普通恒温晶体振荡器的快速启动；同时，所采用的真空封装也会进一步阻隔恒温晶体振荡器内外的热交换，从而达到提高恒温晶体振荡器稳定度的目的。
10.根据权利要求9所述的提高晶体振荡器温度的方法，其特征在于：所述设定温度为普通恒温晶体振荡器的工作温度±1℃。