高低电平混合有效开关复位电路的制作方法

本发明属于开关复位技术领域，涉及一种开关复位电路，尤其涉及一种高低电平混合有效开关复位电路。

背景技术：

随着高新技术的迅速发展，越来越多的场合用到集成芯片，传统对芯片的复位包括上电复位，开关复位，但仅适用于单个芯片的复位，而不能对多个芯片同时进行复位操作。

有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的复位方式，以便克服现有复位方式存在的上述缺陷。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是：提供一种高低电平混合有效开关复位电路，可实现一对多的复位操作，同时能延伸应用于其他一对多操作的场合的一种适用性较广的电路结构。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种高低电平混合有效开关复位电路，所述复位电路包括：总复位电路、至少一低电平子复位电路、至少一高电平子复位电路，各低电平子复位电路、各高电平子复位电路分别与总复位电路连接；

各低电平子复位电路用于对应低电平子系统复位，各高电平子复位电路用于对应高电平子系统复位；

各低电平子复位电路包括第一上拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接地，另一端作为低电平子复位信号端，并经第一上拉电阻接至电源端VCC；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过各自的第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流入总复位信号端；

各高电平子复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、第二开关、第二二极管，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为高电平子复位信号端，并经第二下拉电阻接地；各高电平子系统的高电平子复位信号端分别通过各自的第二二极管与推挽电路输出端连接在一起，且各第二二极管的PN结电流导通方向均流出推挽电路输出端；

所述总复位电路包括第三上拉电阻、第三电容、总开关，第三电容与第三开关并联后一端接地，另一端作为总复位信号端，并经第三上拉电阻接至电源端VCC；总复位信号端控制P沟道、N沟道构成的推挽电路的门极，各高电平子系统的高电平子复位信号端分别通过第二二极管与推挽电路输出端连接在一起，且各第二二极管的PN结电流导通方向均流出推挽电路输出端；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过第一二极管与总复位信号端连接；

所述推挽电路包括P沟道的第一MOS管Q1、N沟道的第二MOS管Q2，第一MOS管Q1的栅极、第二MOS管Q2的栅极连接总复位信号端，第一MOS管Q1的源极连接电源端VCC，第二MOS管Q2的源极接地，第一MOS管Q1的漏极、第二MOS管Q2的漏极连接各个第二二极管的正极；

系统上电时，各个低电平子系统的低电平子复位电路中的第一电容两端电压从0突变，这时低电平子复位电路对第一电容充电，电流经第一电容流入地，低电平子复位信号端为低电平，完成对低电平子电路系统上电复位过程；

当某低电平子系统中的第一开关闭合后，该低电平子系统记为第一低电平子系统，第一低电平子系统的低电平子复位信号端被短接至地，呈低电平，与此同时其他低电平子系统的低电平子复位信号端和总复位信号端因各第一上拉电阻常态为高电平，由于第一低电平子系统的第一二极管的单向导电性，此时第一低电平子系统的低电平子复位信号端的低电平因第一低电平子系统的第一二极管处于未导通状态，而不会受到其他低电平子复位信号端上以及总复位信号端上高电平的影响，保持低电平，从而对该第一低电平子系统复位，即实现各个低电平子系统的单独复位功能；

当总开关闭合时，总复位信号端被短接至地，呈低电平，与此同时各低电平子系统的低电平子复位信号端因第一上拉电阻常态为高电平，因此在第一二极管两端产生电势差，致使第一二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经第一上拉电阻、第一二极管、总开关后流入地；各个第一二极管均被导通，各个低电平子复位信号端的电压均等于所接第一二极管的前向导通压降，成功复位各个低电平子系统；

为保证可靠复位，各个第一二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降为0.3V,为低电平，成功复位各个低电平子系统；

系统上电时，各个高电平子系统的高电平子复位电路中的第二电容两端电压从0突变，这时高电平子复位电路对第二电容充电，电流经第二电容、第二下拉电阻后流入地，高电平子复位信号端为高电平，完成对高电平子电路系统上电复位过程；

当某高电平子系统中的第二开关闭合后，该高电平子系统记为第一高电平子系统，第一高电平子系统的高电平子复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时其他高电平子系统的高电平子复位信号端和总复位信号端因第二下拉电阻常态为低电平，由于第一高电平子系统的第二二极管的单向导电性，此时第一高电平子系统的高电平子复位信号端的高电平因第一高电平子系统的第二二极管处于未导通状态，而不会受到其他高电平子复位信号端上以及总复位信号端上低电平的影响，保持高电平，从而对子第一高电平子系统复位，即实现各个高电平子系统的单独复位功能；

当总开关闭合时，总复位信号端被短接至地，呈低电平，推挽电路P沟道第一MOS管导通，N沟道第一MOS管关断，推挽电路输出(Reset_H)高电平；与此同时各高电平子系统的高电平子复位信号端因其第二下拉电阻常态为低电平，因此在各高电平子系统的第二二极管两端产生电势差，致使对应的第二二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经总开关、第二二极管、第二下拉电阻后流入地；各个第二二极管均被导通；各个高电平子系统的高电平子复位信号端的电压均等于电源端VCC的电压值减去所接第二二极管的前向导通压降；

为保证可靠复位，各第二二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降约为0.3V,高电平子系统的高电平子复位信号端的电压依然为高电平，成功复位各个高电平子系统。

一种高低电平混合有效开关复位电路，所述复位电路包括：总复位电路、至少一低电平子复位电路、至少一高电平子复位电路，各低电平子复位电路分别经低压降二级管与总复位电路连接，各高电平子复位电路分别经低压降二极管与推挽电路的输出端；总复位信号端与推挽电路的控制端门极相连；

各低电平子复位电路用于对应低电平子系统复位，各高电平子复位电路用于对应高电平子系统复位。

本发明的有益效果在于：本发明提出的高低电平混合有效开关复位电路，填充了对子系统电路或芯片组批量复位处理设计的空白，兼容了不同极性的复位信号，能够利用成本极低的元器件实现同时对多个复位信号极性相同或不同的电路进行复位操作，并且能延伸应用于其他一对多操作的场合(如基于此电路结构的统一按键或开关入网、离网操作；基于此电路结构的统一点亮LED灯操作等)。

附图说明

图1为本发明高低电平混合有效开关复位电路的电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

实施例一

请参阅图1，本发明揭示了一种高低电平混合有效开关复位电路，所述复位电路包括：总复位电路、至少一低电平子复位电路、至少一高电平子复位电路，各低电平子复位电路、各高电平子复位电路分别与总复位电路连接；

各低电平子复位电路用于对应低电平子系统复位，各高电平子复位电路用于对应高电平子系统复位；

各低电平子复位电路包括第一上拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接地，另一端作为低电平子复位信号端，并经第一上拉电阻接至电源端VCC；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过各自的第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流入总复位信号端；

各高电平子复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、第二开关、第二二极管，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为高电平子复位信号端，并经第二下拉电阻接地；各高电平子系统的高电平子复位信号端分别通过各自的第二二极管与总复位信号端连接在一起，且各第二二极管的PN结电流导通方向均流出推挽电路输出端；

所述总复位电路包括第三上拉电阻、第三电容、总开关，第三电容与第三开关并联后一端接地，另一端作为总复位信号端，并经第三上拉电阻接至电源端VCC；总复位信号端控制P沟道、N沟道构成的推挽电路的门极，各高电平子系统的高电平子复位信号端分别通过对应第二二极管与推挽电路输出端连接在一起，且各第二二极管的PN结电流导通方向均流出推挽电路输出端；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过第一二极管与总复位信号端连接；

所述推挽电路包括P沟道的第一MOS管Q1、N沟道的第二MOS管Q2，第一MOS管Q1的栅极、第二MOS管Q2的栅极连接总复位信号端，第一MOS管Q1的源极连接电源端VCC，第二MOS管Q2的源极接地，第一MOS管Q1的漏极、第二MOS管Q2的漏极连接各个第二二极管的正极；

系统上电时，各个低电平子系统的低电平子复位电路中的第一电容两端电压从0突变，这时低电平子复位电路对第一电容充电，电流经第一电容流入地，低电平子复位信号端为低电平，完成对低电平子电路系统上电复位过程；

当某低电平子系统中的第一开关闭合后，该低电平子系统记为第一低电平子系统，第一低电平子系统的低电平子复位信号端被短接至地，呈低电平，与此同时其他低电平子系统的低电平子复位信号端和总复位信号端因各第一上拉电阻常态为高电平，由于第一低电平子系统的第一二极管的单向导电性，此时第一低电平子系统的低电平子复位信号端的低电平因第一低电平子系统的第一二极管处于未导通状态，而不会受到其他低电平子复位信号端上以及总复位信号端上高电平的影响，保持低电平，从而对该第一低电平子系统复位，即实现各个低电平子系统的单独复位功能；

当总开关闭合时，总复位信号端被短接至地，呈低电平，与此同时各低电平子系统的低电平子复位信号端因第一上拉电阻常态为高电平，因此在第一二极管两端产生电势差，致使第一二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经第一上拉电阻、第一二极管、总开关后流入地；各个第一二极管均被导通，各个低电平子复位信号端的电压均等于所接第一二极管的前向导通压降，成功复位各个低电平子系统；

为保证可靠复位，各个第一二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降为0.3V,为低电平，成功复位各个低电平子系统；

系统上电时，各个高电平子系统的高电平子复位电路中的第二电容两端电压从0突变，这时高电平子复位电路对第二电容充电，电流经第二电容、第二下拉电阻后流入地，高电平子复位信号端为高电平，完成对高电平子电路系统上电复位过程；

当某高电平子系统中的第二开关闭合后，该高电平子系统记为第一高电平子系统，第一高电平子系统的高电平子复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时其他高电平子系统的高电平子复位信号端和总复位信号端因第二下拉电阻常态为低电平，由于第一高电平子系统的第二二极管的单向导电性，此时第一高电平子系统的高电平子复位信号端的低电平因第一高电平子系统的第二二极管处于未导通状态，而不会受到其他高电平子复位信号端上以及总复位信号端上低电平的影响，保持高电平，从而对子第一高电平子系统复位，即实现各个高电平子系统的单独复位功能；

当总开关闭合时，总复位信号端被短接至地，呈低电平，推挽电路P沟道第一MOS管导通，N沟道第一MOS管关断，推挽电路输出(Reset_H)高电平；与此同时各高电平子系统的高电平子复位信号端因其第二下拉电阻常态为低电平，因此在各高电平子系统的第二二极管两端产生电势差，致使对应的第二二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经总开关、第二二极管、第二下拉电阻后流入地；各个第二二极管均被导通；各个高电平子系统的高电平子复位信号端的电压均等于电源端VCC的电压值减去所接第二二极管的前向导通压降；

为保证可靠复位，各第二二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降约为0.3V,高电平子系统的高电平子复位信号端的电压依然为高电平，成功复位各个高电平子系统。

子系统信号端与总信号端的信号流向是单向的，且通过低压降二极管连接实现，不局限于一对多开关复位操作，可拓展作其他用途的高低电平混合有效的一对多操作，如一对多LED灯点亮，一对多入离网等操作。

实施例二

如图1所示的高低电平混合有效总复位电路结构，包括用于各个低电平子系统复位的独立复位电路，各个高电平子系统复位的独立复位电路和总复位电路。

各个低电平子系统的复位电路由电容、开关和上拉电阻组成，电容与开关并联后一端接地，另一端作为低电平子复位信号端，并经上拉电阻接至VCC电源端；总复位电路也具有子系统相同的电路元件，此外，各子系统的低电平子复位信号端分别通过二极管与总复位信号端连接在一起，且各二极管的PN结电流导通方向均流入总复位信号端。系统上电时，各个子系统(如子系统1)复位电路中的电容(如C1)两端电压从0突变，这时电路对电容充电，电流经电容流入地，低电平子复位信号端(如Reset1)为低电平，完成对子电路系统上电复位过程；当子系统(如子系统1)中的开关(如S1)闭合后，子系统(如子系统1)的低电平子复位信号端(如Reset1)被短接至地，呈低电平，与此同时其他子系统的低电平子复位信号端和总复位信号端(如Reset2、Reset_L)因上拉电阻(R2、R0)常态为高电平，由于二极管(D1)的单向导电性，此时低电平子复位信号端(如Reset1)的低电平因二极管(D1)处于未导通状态，而不会受到其他低电平子复位信号端上以及总复位信号端上高电平的影响，保持低电平，从而对子电路系统(如子系统1)复位，即实现各个子系统的单独复位功能；当总开关(S0)闭合时，总复位信号端(Reset_L)被短接至地，呈低电平，与此同时子系统的低电平子复位信号端(如Reset1)因上拉电阻(R1)常态为高电平，因此在二极管(如D1)两端产生电势差，致使二极管(D1)单向导通，电流从VCC先后流经电阻(R1)、二极管(D1)、总开关(S0)后流入地；同理各个二极管均被导通，各个低电平子复位信号端的电压均等于所接二极管的前向导通压降，为保证可靠复位，二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降约为0.3V,子系统的低电平子复位信号端为低电平，成功复位各个低电平复位有效的子电路系统(二极管的类型和前向导通压降等参数可根据实际应用需要)。

各个高电平子系统的复位电路由电容、开关和下拉电阻组成，电容与开关并联后一端接VCC电源，另一端作为高电平子复位信号端，并经下拉电阻接至地；总复位电路也具有子系统相同的电路元件，此外，各子系统的高电平子复位信号端分别通过二极管与总复位信号端连接在一起，且各二极管的PN结电流导通方向均流出总复位信号端。系统上电时，各个子系统(如图1中子系统a)复位电路中的电容(如Ca)两端电压从0突变，这时电路对电容充电，电流经电容、电阻后流入地，高电平子复位信号端(如Reseta)为高电平，完成对子电路系统上电复位过程；当子系统(如子系统a)中的开关(如Sa)闭合后，子系统(如子系统a)的高电平子复位信号端(如Reseta)被短接至VCC，呈高电平，与此同时其他子系统的高电平子复位信号端(Resetb)因下拉电阻(Rb)常态为低电平，而总复位信号端(Reset_L)因上拉电阻(R0)常态为高电平，推挽电路的P沟道场效应管关断，N沟道场效应管导通，推挽电路输出端(Reset_H)为低电平，由于二极管(Da)的单向导电性，此时高电平子复位信号端(如Reseta)的低电平因二极管(Da)处于未导通状态，而不会受到其他高电平子复位信号端上以及推挽输出(Reset_H)低电平的影响，保持高电平，从而对子电路系统(如子系统1)复位，即实现各个子系统的单独复位功能；当总开关(S0)闭合时，总复位信号端(Reset_L)被短接至地，呈低电平，推挽电路P沟道导通，N沟道关断，推挽输出(Reset_H)高电平，与此同时子系统的高电平子复位信号端(如Reseta)因下拉电阻(Ra)常态为低电平，因此在二极管(如Da)两端产生电势差，致使二极管(Da)单向导通，电流从VCC先后流经P沟道、二极管(Da)、电阻(Ra)后流入地；同理各个二极管均被导通，各个高电平子复位信号端的电压均近似等于VCC的电压值减去所接二极管的前向导通压降，为保证可靠复位，二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降约为0.3V,子系统的高电平子复位信号端电压依然为高电平，成功复位各个高电平复位有效的子电路系统(二极管的类型和前向导通压降等参数可根据实际应用需要)。

综上所述，本发明提出的高低电平混合有效开关复位电路，填充了对子系统电路或芯片组批量复位处理设计的空白，兼容了不同极性的复位信号，能够利用成本极低的元器件实现同时对多个复位信号极性相同或不同的电路进行复位操作，并且能延伸应用于其他一对多操作的场合(如基于此电路结构的统一按键或开关入网、离网操作；基于此电路结构的统一点亮LED灯操作等)。

这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。