L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺的制作方法

文档序号:11158533阅读:917来源:国知局
L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺的制造方法与工艺

本发明涉及微波模块制作加工工艺,具体地,涉及L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺。



背景技术:

射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备。

在有源相控阵雷达中,微波功率放大器扮演着重要的角色。有源相控阵雷达的重要组成部分是T/R组件,T/R组件是系统成本高低的决定性因素之一,其性能的好坏将影响相控阵雷达系统的发现能力、作用距离等技战术指标。在T/R组件的设计中一方面要求有高功率,同时还要求体积小、重量轻、可靠性高、成本低等,而微波功率放大器作为T/R组件的重要组成部分,直接决定上述技术参数。在通信中,微波功率放大器广泛用于小功率或低数据率终端;在电子战中,微波功放可制成有源诱饵,避免飞机被导弹攻击。总之,在需要对微波信号进行功率放大的设备组成中都离不开微波功率放大器。微波器件及微波技术的发展是推动微波固态功率放大器发展的两大因素,微波器件的发展使微波固态功率放大器的发展成为可能,微波技术的发展使微波固态功率放大器的性能得到提高。

因此,急需要提供一种工艺流程科学、简便,生产的产品合格率高,易掌握的L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺,该制作工艺流程科学、简便,生产的产品合格率高,并且容易掌握。

为了实现上述目的,本发明提供了一种L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺,包括:

步骤1、将元器件烧结到Rogers电路板上;

步骤2、将装好元器件的Rogers电路板烧结到底板上;

步骤3、对装好的组件进行调试、测试、打标。

优选地,步骤1包括:

首先,分别将L波段4瓦高增益宽带功率放大器的底板、Rogers电路板和压板放在盛有60℃无水乙醇的培养皿中,并用刷子进行刷洗;

其次,将清洗干净后的底板、Rogers电路板和压板放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃;

然后,在Rogers电路板焊盘处,用气动点胶机点上熔点为217℃的ALPHA OM338焊膏,并将待焊接元器件正确放置在焊膏处;

接着,将Rogers电路板放在245-255℃的加热平台上烧结,并在显微镜下检查焊接效果,待焊接完成后将焊好的Rogers电路板放置在滤纸上自然冷却;

最后,将Rogers电路板放置在盛有60℃ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡18-22分钟后取出,在盛有60℃无水乙醇的培养皿中刷洗4-6min,再将清洗后的Rogers电路板放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃。

优选地,步骤2包括:

首先,在Rogers电路板背面印刷上熔点为183℃的SN63CR32焊膏,随后将刷有焊膏的Rogers电路板安装在底板上,在压板底部贴上一层3M白色胶带后将压板与底板相固定;

然后,将固定好的组件放在185-195℃的加热平台上烧结后放置在滤纸上自然冷却;

最后,将焊好的组件放置在盛有60℃ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡18-22分钟后取出,在盛有60℃无水乙醇的培养皿中刷洗4-6min,再将清洗后的组件放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃。

优选地,在步骤1之前还包括:

首先,对Rogers电路板的表面做双面沉金处理;

然后,在Rogers电路板的顶层做阻焊绿油,Rogers电路板的底层不做处理;

最后,在Rogers电路板上制作金属化过孔。

优选地,底板为H62黄铜制成。

优选地,底板的表面镀有一层金层且金层的厚度大于6um。

优选地,Rogers电路板为FR-4板材,并且Rogers电路板的介电常数为4.6,厚度为0.6mm,铜厚为0.035mm。

优选地,L波段4瓦高增益宽带功率放大器的压板为LY12硬铝材料制成。

根据上述技术方案,经过此工艺生产的L波段4瓦高增益宽带功率放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试,各项性能指标完全达到整机要求。该工艺流程科学、简便,生产的产品合格率较高,对生产员工的要求不高,容易掌握。

本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:

图1是根据本发明提供的L波段4瓦高增益宽带功率放大器的底板的结构示意图;

图2是根据本发明提供的L波段4瓦高增益宽带功率放大器的Rogers电路板的结构示意图;

图3是根据本发明提供的L波段4瓦高增益宽带功率放大器的元器件贴装示意图;

图4是根据本发明提供的L波段4瓦高增益宽带功率放大器的Rogers电路板和压板烧结示意图;以及

图5是根据本发明提供的L波段4瓦高增益宽带功率放大器的压板的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。

在本发明中,在未作相反说明的情况下,“顶、底”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位,或为本领域技术人员理解的俗称,而不应视为对该术语的限制。

本发明提供一种L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺,包括:

步骤1、将元器件烧结到Rogers电路板上;

步骤2、将装好元器件的Rogers电路板烧结到底板上;

步骤3、对装好的组件进行调试、测试、打标。

具体的,步骤1包括:首先,分别将L波段4瓦高增益宽带功率放大器的底板(如图1所示)、Rogers电路板(如图2所示)和压板(如图5所示)放在盛有60℃无水乙醇的培养皿中,并用刷子进行刷洗;其次,将清洗干净后的底板、Rogers电路板和压板放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃;然后,在Rogers电路板焊盘处,用气动点胶机点上熔点为217℃的ALPHA OM338焊膏,并将待焊接元器件正确放置在焊膏处;接着,将Rogers电路板放在245-255℃的加热平台上烧结,并在显微镜下检查焊接效果,待焊接完成后将焊好的Rogers电路板放置在滤纸上自然冷却;最后,将Rogers电路板放置在盛有60℃ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡18-22分钟后取出,在盛有60℃无水乙醇的培养皿中刷洗4-6min,再将清洗后的Rogers电路板放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃。

步骤2包括:首先,在Rogers电路板背面印刷上熔点为183℃的SN63CR32焊膏,随后将刷有焊膏的Rogers电路板安装在底板上,在压板底部贴上一层3M白色胶带后将压板与底板相固定;然后,将固定好的组件放在185-195℃的加热平台上烧结后放置在滤纸上自然冷却;最后,将焊好的组件(如图4所示)放置在盛有60℃ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡18-22分钟后取出,在盛有60℃无水乙醇的培养皿中刷洗4-6min,再将清洗后的组件放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃。

在一种实施方式中,上述步骤1中的元器件焊接如图3所示,其中,

R1、R2、R3、R4为1.5Ω电阻,R5、R6、R9、R13、R19、R20、R22为0Ω的电阻,R7、R18、R21为100Ω的电阻,R8、R14、R17、R24为11KΩ的电阻,R23、R25为220Ω的电阻,R10、R15为2KΩ的电阻,R11、R12、R16为10KΩ的电阻,L1为4.7nH电感,L2、L3、L4为12nH电感,C10为0.5pF电容,C9为2pF电容,C7、C8、C11为22pF电容,C2、C13、C14为1000pF电容,C4为100nF电容,C1为22uF电容,C3、C5、C12、C15为1uF电容,D1为NZ9F5V1ST5G二极管,Q2为9013(SOT-23)三极管,Q1为IRFML9301TRBF晶体管,IC5为SN74LVC1G08DRLR逻辑芯片,IC4为UCC27511DBV驱动器,IC3为TPS60403DBV电源芯片,IC2为MGF0915A高功率放大器,IC1为TQL9042低噪声放大器。

在使用Rogers电路板前,为了使得Rogers电路板上印刷线路表面上沉积颜色稳定、光亮度好,同时镀层平整且具有良好的可焊性,优选地,在步骤1之前还包括:

首先,对Rogers电路板的表面做双面沉金处理;

然后,在Rogers电路板的顶层做阻焊绿油,Rogers电路板的底层不做处理;

最后,在Rogers电路板上制作金属化过孔。

在一种实施方式中,优选底板为H62黄铜制成,这样利用了铜的导热性良好的特点,有利于功放模块的传导性散热的效果。

此外,为了便于在焊锡膏焊接时保证Rogers电路板底部与金层表面焊接良好,优选底板的表面镀有一层金层且金层的厚度大于6um。

同样的,为了使得Rogers电路板具有良好的机械性能和尺寸稳定性,提高其抗冲击性和耐湿性能,优选地,Rogers电路板为FR-4板材,并且Rogers电路板的介电常数为4.6,厚度为0.6mm,铜厚为0.035mm。

为了在保证压板的高强度的同时使得其仍然具有良好的耐热性,优选地,L波段4瓦高增益宽带功率放大器的压板为LY12硬铝材料制成。

以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。

另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。

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