一种取消可控硅RC吸收回路的控制器的制作方法

文档序号:12198017阅读:454来源:国知局
一种取消可控硅RC吸收回路的控制器的制作方法与工艺

本实用新型涉及控制器技术领域,尤其涉及一种取消可控硅RC吸收回路的控制器。



背景技术:

目前,随着科技发展,各种产品不断交替更换,而人们对产品的要求也越来越高,原本功能单一的产品项目已经不得不淘汰,现有市场上控制器采用普通可控硅RC吸收电路的质量和功能已经不能满足人们的需要,如图3所示,可控硅RC吸收电路占一定体积,且市场反馈RC电路有很大比例不良,采用高抗可控硅SCR模块,驱动方式合理,保护到位,无需附加RC吸收电路,因此根据市场需要,亟需一款可控硅RC吸收回路的控制器来弥补现有技术中的不足。



技术实现要素:

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

本实用新型公开了一种取消可控硅RC吸收回路的控制器,包括可控硅控制器主体、红外线发射装置和可控硅控制器内壳,所述可控硅控制器主体上表面安装有开关键,且开关键右侧安装有模式键,所述可控硅控制器主体上表面安装有显示器装置,且显示器装置下方安装有工作指示灯装置,所述可控硅控制器主体下方安装有蓄电池装置,所述可控硅控制器主体内部安装有可控硅控制器内壳,所述可控硅控制器内壳上方安装有红外线发射装置,所述红外线发射装置下方安装有数据连接线装置,所述可控硅控制器内壳上方安装有高抗可控硅SCR模块,所述可控硅控制器内壳上方安装有处理器装置,所述可控硅控制器内壳上方安装有主板固定装置。

优选的,所述高抗可控硅SCR模块为三端双向可控硅开关。

优选的,所述蓄电池装置左侧上方安装有时间加键。

优选的,所述蓄电池装置右侧上方安装有时间减键。

优选的,所述开关键下方安装有温度加键。

优选的,所述模式键下方安装有温度减键。

本实用新型中,主要采用三端双向的高抗可控硅SCR模块,无需附加RC吸收电路,从而避免的常规情况下使用RC吸收电路所导致的电路成本过高、品质不良率高等缺点,采用高抗可控硅SCR模块,驱动方式合理,保护到位,无需附加RC吸收电路,控制器反馈更加流畅,增加其运行速度提升控制器整体的质量,在可控硅控制器内部安装有主板固定装置,可以有效的控制内部零件的松紧性,使其更加牢固、安全,在可控硅控制器内部上方安装有红外线发射装置,能轻松的使用控制器来遥控物品,方便快捷。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器的外部结构示意图;

图2为本实用新型提出的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器的内部结构示意图;

图3为本实用新型提出的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器未取消RC吸收回路的电路图;

图4为本实用新型提出的高抗可控硅SCR模块取消RC吸收电路后的电路图。

图中:1可控硅控制器主体、2开关键、3温度加键、4时间加键、5显示器装置、6工作指示灯装置、7模式键、8温度减键、9时间减键、10蓄电池装置、11红外线发射装置、12数据连接线装置、13高抗可控硅SCR模块、14可控硅控制器内壳、15主板固定装置、16处理器装置。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。

参照图1-2,本实用新型公开了一种取消可控硅RC吸收回路的控制器,包括可控硅控制器主体1、红外线发射装置11和可控硅控制器内部14,可控硅控制器主体1上表面安装有开关键2,且开关键2右侧安装有模式键7,可控硅控制器主体1上表面安装有显示器装置5,且显示器装置5下方安装有工作指示灯装置6,可控硅控制器主体1下方安装有蓄电池装置10,可控硅控制器主体1内部安装有可控硅控制器内壳14,可控硅控制器内壳14上方安装有红外线发射装置11,红外线发射装置11下方安装有数据连接线装置12,可控硅控制器内壳14上方安装有高抗可控硅SCR模块13,可控硅控制器内壳14上方安装有处理器装置16,可控硅控制器内壳14上方安装有主板固定装置15,蓄电池装置10左侧上方安装有时间加键4,蓄电池装置10右侧上方安装有时间减键9,开关键2下方安装有温度加键3,模式键7下方安装有温度减键8。

参照图4,本实施例中的高抗可控硅SCR模块13为三端双向可控硅开关。

工作原理:当使用该可控硅RC吸收回路的控制器时,先将电池安放进蓄电池装置10里,保持可控硅控制器主体1的通电状态,好随时工作,拿起可控硅控制器主体1点击开关键2,可控硅控制器主体1正常运行,可点击模式键7来选择适应的模式,此时可点击温度加键3、温度减键8、时间加键4、时间减键9通过红外线发射装置11来进行调节,控制是否进行中可通过工作指示灯装置6来进行判断,如失效应采取修补措施,可在显示器装置5中观看运行状态,运行该可控硅RC吸收回路的控制器时,主板固定装置15起到了固定作用,为了避免晃动而引起的机械故障和不适,运行时红外线发射装置11连接数据连接线装置12通电发射红外线作为信号,在可控硅控制器内壳14的高抗可控硅SCR模块13,当发放指令时高抗可控硅SCR模块13迅速处理信息,反馈速率极高,把信息迅速传输到处理器装置16上,经处理将信号发射出去,通过高抗可控硅SCR模块13取消RC吸收回路,可杜绝RC损坏所带来的品质问题,给整机品质提供保证。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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