本实用新型涉及MOS管驱动电路，具体涉及一种低压小信号驱动高压MOS的电路。
背景技术：
目前的MOS驱动电路要实现小信号驱动高压MSO或双电源隔离驱动时，必须使用专用的IC，成本高，应用灵活性差，结构复杂。
技术实现要素：
本实用新型针对上述问题，提供一种低压小信号驱动高压MOS的电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6，稳压管D1；电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6，稳压管D1；电源V1分别连接R1和R2；PWM输入端连接Q4基极；所述Q4集电极分别连接R1、Q2发射极、Q3发射极；所述Q4发射极连接地；所述Q2集电极连接Q1基极；所述Q2基极分别连接Q3基极、R2、R4、Q5集电极；所述Q3集电极连接Q6基极；所述Q1发射极连接电源V2；所述Q1集电极分别连接R3、Q6集电极；所述Q5基极分别连接R5、R6；所述R6、Q5发射极、Q6发射极、R4另一端分别连接地；所述D1正极连接R5，负极分别连接R3和电压输出端。
进一步地，所述电源V1的电压小于或等于电源V2的电压。
更进一步地，所述三极管Q2、Q4、Q5、Q6均为NPN型的三极管。
更进一步地，所述三极管Q1、Q3均为PNP型的三极管。
更进一步地，所述Q1和Q6用以为MOS管提供驱动电流。
本实用新型的优点：
本实用新型的将低压小信号驱动高压MOS的电路结构简单，应用范围广，能满足较高的工作频率和驱动电流，适用于单片机驱动的MOS管和低驱动电压的IC，也可用于双电压应用，或用于3.3V或者5V的数字电压驱动，或用于12V或者24V的模拟功率部分，有效降低成本，调整方便灵活。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。
图1是本实用新型实施例的一种低压小信号驱动高压MOS的电路原理图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
参考图1，如图1所示的一种低压小信号驱动高压MOS的电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6，稳压管D1；电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6，稳压管D1；电源V1分别连接R1和R2；PWM输入端连接Q4基极；所述Q4集电极分别连接R1、Q2发射极、Q3发射极；所述Q4发射极连接地；所述Q2集电极连接Q1基极；所述Q2基极分别连接Q3基极、R2、R4、Q5集电极；所述Q3集电极连接Q6基极；所述Q1发射极连接电源V2；所述Q1集电极分别连接R3、Q6集电极；所述Q5基极分别连接R5、R6；所述R6、Q5发射极、Q6发射极、R4另一端分别连接地；所述D1正极连接R5，负极分别连接R3和电压输出端。
所述电源V1的电压小于或等于电源V2的电压。
所述三极管Q2、Q4、Q5、Q6均为NPN型的三极管。
所述三极管Q1、Q3均为PNP型的三极管。
所述Q1和Q6用以为MOS管提供驱动电流。
本实用新型的电路用以低压驱动信号如2V-5V的驱动信号，驱动高压MOS。
本实用新型的电路工作原理：
Vl和V2分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过V2。Q4和R1组成一个反向器，以保证驱动信号和输出的信号同相位。Q2和Q3组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q1和Q6不会同时导通。以防止驱动信号失真导致后级MOS管击穿现象发生。R1和R4提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以调整Q2，Q3的开启时间和驱动电压上升跌落的速度。Q1和Q6用来为MOS管提供驱动电流，已完成电路设计要求。D1，R5，R6，Q5用于限制最大输出电压，当R3端输出的电压超过D1稳压值0.7V左右时，Q5导通拉低R2，R4节点电压从而降低输出电压，保证MOS管安全。
本实用新型的将低压小信号驱动高压MOS的电路结构简单，应用范围广，能满足较高的工作频率和驱动电流，适用于单片机驱动的MOS管和低驱动电压的IC，也可用于双电压应用，或用于3.3V或者5V的数字电压驱动，或用于12V或者24V的模拟功率部分，有效降低成本，调整方便灵活。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。