应用于多频率射频信号源的衰减电路的制作方法

文档序号:11055604
应用于多频率射频信号源的衰减电路的制造方法与工艺

本实用新型涉及衰减电路,具体涉及应用于多频率射频信号源的衰减电路。



背景技术:

PIN二极管有一项已知且特殊的特性,那就是它在射频下的电阻可以随变偏置电流的变化而变化。单一的PIN二极管衰减器是非常简单的,但是这样简单的设计很难达到良好的阻抗匹配,因为二极管的阻抗会随着偏置电压的变化而改变,多频率射频信号源中,衰减电路之前连接有滤波电路,它们之间不良的阻抗匹配会带来问题,因为连接到衰减器的滤波器的响应通常会因负载的不同而改变。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是二极管的阻抗会随着偏置电压的变化而改变,衰减器与连接的滤波器之间不良的阻抗匹配会带来问题,目的在于提供应用于多频率射频信号源的衰减电路,使用多个PIN二极管,组成两条支路,使衰减电路的阻抗特性不变,使衰减电路对连接的滤波器的阻抗失配的影响降到最低程度。

本实用新型通过下述技术方案实现:

应用于多频率射频信号源的衰减电路,包括二极管衰减电路,二极管衰减电路包括信号输入端IN、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C5、电容C6、电容C7、二极管V8、二极管V9、二极管V10、信号输出端OUT,所述信号输入端IN与二极管V8的阳极连接,二极管V8的阴极与二极管V9的阳极连接,二极管V9的阴极与信号输出端OUT连接;电容C5一端连接在二极管V8的阳极,其另一端与二极管V10的阳极连接,二极管V10的阴极与二极管V9的阴极连接;所述电阻R1一端与信号输入端IN连接,其另一端接地;所述电阻R2一端连接在电阻R1与信号输入端IN连接的线路上,其另一端接地;电阻R3一端连接在电阻R2接地的一端,其另一端与电容C6连接;电容C6与电阻R3连接的另一端接地,电容C6与电阻R3连接的线路上接正12V电压。二极管V8、二极管V9、二极管V10均采用PIN二极管,使用多个PIN二极管,组成两条支路,达到不变的阻抗特性,使衰减电路对连接的滤波器的阻抗失配的影响降到最低程度。

进一步地,应用于多频率射频信号源的衰减电路,还包括控制输入端电路,所述控制输入端电路包括电阻R5、电阻R6、电位器R7、电容C8、电感L2、控制输入端ATT,所述电感L2一端连接在电容C5与二极管V10连接的线路上,其另一端与控制输入端ATT连接,电容C8一端连接在电感L2与控制输入端ATT连接的线路上,其另一端接地;电位器R7的中心抽头连接在电感L2与电容C8连接的线路上,电阻R5的一端接正12V电压,其另一端与电位器R7的固定上端连接,电位器R7的固定下端与电阻R6的一端连接,电阻R6的另一端接地。为了方便调试,电路中增加了一路由电位器R7的中心抽头给出的控制电压;当控制输入端ATT电压不够高时,整个衰减电路的射频衰减量很大,当控制输入端ATT电压较高时,整个衰减器的射频衰减量减小,当控制输入端ATT电压控制在一定程度时,衰减电路的射频衰减量可以达到最小。

进一步地,在信号输入端IN与二极管V8之间还连接有输入调理电路,所述输入调理电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C3、晶振F1,信号输入端IN与二极管V8连接的线路上依次连接有电阻R8、晶振F1、电阻R12、电容C3,所述电阻R11一端连接在电阻R8与晶振F1连接的线路上,其另一端接地;电阻R9一端连接在信号输入端IN与电阻R8连接的线路上,其另一端与电阻R10的一端连接,电阻R10的另一端接地。使用晶振F1为衰减电路提供基本的时钟信号,使用的电阻起到限流、降压、升压的作用。

本实用新型与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:本实用新型使用多个PIN二极管,组成两条支路,达到阻抗不变的特性,通过选择合适的二极管偏置电流,使得上下两条支路的阻抗从输入端看进去始终保持在一定的阻值,从而使射频信号源中衰减电路之前的滤波器的阻抗失配的影响降到最低。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中:

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本实用新型作进一步的详细说明,本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型,并不作为对本实用新型的限定。

实施例

如图1所示,应用于多频率射频信号源的衰减电路,包括二极管衰减电路,所述二极管衰减电路包括信号输入端IN、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C5、电容C6、电容C7、二极管V8、二极管V9、二极管V10、电容C9、信号输出端OUT,所述信号输入端IN与二极管V8的阳极连接,二极管V8的阴极与二极管V9的阳极连接,二极管V9的阴极与信号输出端OUT连接,电容C9连接在二极管C9与信号输出端OUT连接的线路上;电容C5一端连接在二极管V8的阳极,其另一端与二极管V10的阳极连接,二极管V10的阴极与二极管V9的阴极连接;所述电阻R1一端与信号输入端IN连接,其另一端接地;所述电阻R2一端连接在电阻R1与信号输入端IN连接的线路上,其另一端接地;电阻R3一端连接在电阻R2接地的一端,其另一端与电容C6连接;电阻R2和电阻R3接地的那一端还连接有电容C4的右端,电容C4左端接地;电容C6与电阻R3连接的另一端接地,电容C6与电阻R3连接的线路上接正12V电压。控制输入端电路,所述控制输入端电路包括电阻R5、电阻R6、电位器R7、电容C8、电感L2、控制输入端ATT,所述电感L2一端连接在电容C5与二极管V10连接的线路上,其另一端与控制输入端ATT连接,电容C8一端连接在电感L2与控制输入端ATT连接的线路上,其另一端接地;电位器R7的中心抽头连接在电感L2与电容C8连接的线路上,电阻R5的一端接正12V电压,其另一端与电位器R7的固定上端连接,电位器R7的固定下端与电阻R6的一端连接,电阻R6的另一端接地。在信号输入端IN与二极管V8之间还连接有输入调理电路,所述输入调理电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C3、晶振F1,信号输入端IN与二极管V8连接的线路上依次连接有电阻R8、晶振F1、电阻R12、电容C3,所述电阻R11一端连接在电阻R8与晶振F1连接的线路上,其另一端接地;电阻R9一端连接在信号输入端IN与电阻R8连接的线路上,其另一端与电阻R10的一端连接,电阻R10的另一端接地。

控制输入端ATT是衰减电路的控制电压输入端口,当控制输入端ATT的电压不够高时,由于二极管V10处于反偏状态,所以流经二极管V10的电流极小,二极管V10的电阻很大,从而使电容C5和二极管V10的支路射频通路的电阻很大,而此时二极管V8和二极管V9支路从电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4获得直流正向偏置,有电流流过二极管V8和二极管V9,使二极管V8和二极管V9呈现较低的阻抗,从而使二极管V8、电容C7组成的射频通路的阻抗很低,射频功率从该支路旁路到地,使得整个衰减电路的射频衰减量很大。

当控制输入端口ATT的控制电压较高时,二极管V10获得正向偏置,从而有电流从上流过,该电流在降低二极管V10阻抗的同时会在电阻R4上提高其两端的电压,从而使二极管V8和二极管V9的直流偏置电流降低,提高二极管V8和二极管V9的阻抗,从而使二极管V8、电容C7组成的射频通路的阻抗变高,使得整个衰减器的射频衰减量减小。

当控制输入端口ATT的控制电压高到一定程度时,二极管V10上电流达到最大,二极管V10阻抗变到最小,而此时二极管V8和二极管V9的直流偏置变成反向偏置,阻抗变到最大,从而使二极管V8、电容C7组成的射频通路的阻抗变到最高,从而使整个衰减电路的射频衰减量达到最小。

综上所述,两条射频通路的交流阻抗呈现负相关变化,总是在一条支路的阻抗变大时,另一条支路的阻抗变小,通过选择合适的工作点,可以使整个衰减器的输入输出阻抗保持在一定阻值,使阻抗失配减到最小。

本实施例中采用的元器件型号如下所示:

电阻R1-39K欧姆、电阻R2-22K欧姆、电阻R3-12K欧姆、电阻R4-2.7K欧姆、电阻R5-4.7K欧姆、电阻R6-4.7K欧姆、电阻R8-10K欧姆、电阻R9-10K欧姆、电阻R10-10K欧姆、电阻R11-10K欧姆、电阻R12-10K欧姆、电容C3-100nF、电容C5-100nF、电容C6-100nF、电容C7-100nF、电容C8-100nF、二极管V8-2K4C、二极管V9-2K4C、二极管V10-2K4C、电位器R7-10K欧姆、电感L2-0.33H。

以上所述的具体实施方式,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施方式而已,并不用于限定本实用新型的保护范围,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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