一种大功率LDMOS器件内匹配结构的制作方法

本实用新型涉及一种微电子、射频微波测量方法，特别涉及一种LDMOS器件内匹配方法。

背景技术：

针对目前大功率器件的内匹配电路设计，一般使用LC组成的“T”型网络结构或者“π”型匹配网络结构进行匹配，如图1-2所示，实现将裸芯片较小的阻抗值匹配到适合测试的阻抗。针对器件工作频率较低的范围，器件本身特性导致低频段稳定性较差，容易产生振荡，最终造成器件烧毁甚至导致测试仪器烧毁。为了达到更高的输出功率，器件栅宽逐渐增大，芯片的输入阻抗变得越来越低，器件无载Q值会变得很高，馈送电信号的幅度不平衡和相位不平衡的问题加重，尤其在器件的较低工作频段，不稳定性就表现的更加明显。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种大功率LDMOS器件内匹配结构，在管壳内部使用合适的内匹配电路一方面可以提升工作频段的阻抗值，另一方面可以很好的解决低频振荡问题，降低失配反射，降低功率损耗，使封装的器件能够在低频段稳定工作且发挥最佳RF性能，保证器件的可靠性。

本实用新型的目的是这样实现的：一种大功率LDMOS器件内匹配结构，包括的“T”型网络结构，所述“T”型网络结构的管芯版图上增加有多晶电阻R，所述多晶电阻R串接在管芯与靠近管芯的电感L之间，即从管芯向外的第一结构为R-L-C-L。

作为本实用新型的进一步改进，所述多晶电阻R上还并联有电容C，即从管芯向外的第一结构为R-C-L-C-L。

作为本实用新型的进一步改进，所述“T”型网络结构的尾部还增加有LC结构，即从管芯向外的第一结构R-C-L-C-L-C-L。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于，本实用新型通过在现有的管芯版图上增加多晶电阻R，使得芯片内部形成负反馈，降低增益，可使器件维持在稳定增益范围，提高了整体工作稳定性，进一步达到改善匹配结构提高稳定性的目的。

附图说明

图1为现有技术中“T”型网络结构和“π”网络结构示意图。

图2为现有技术中“T”型网络结构和“π”网络结构电路原理图。

图3为本实用新型中“T”型网络结构示意图。

图4为本实用新型中“T”型网络结构电路原理图。

图中：DIE 器件管芯，Inductor 电感，Capacitor 电容，Resistor 电阻。

具体实施方式

如图3-4所示的一种大功率LDMOS器件内匹配结构，包括的“T”型网络结构，“T”型网络结构的管芯版图上增加有多晶电阻R，多晶电阻R串接在管芯与靠近管芯的电感L之间，多晶电阻R上还并联有电容C，“T”型网络结构的尾部还增加有LC结构，即从管芯向外的第一结构R-C-L-C-L-C-L。

本实用新型用在射频微波大功率器件的内匹配封装中，用此方法封装的LDMOS器件，低频振荡可以得到很好的抑制，且可以在一定程度上扩展工作带宽，使器件在低频段可以稳定的工作，最终充分验证管子的性能。

本实用新型并不局限于上述实施例，在本实用新型公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的技术内容，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本实用新型的保护范围内。