用于射频链路的全温幅度补偿实现电路的制作方法

本实用新型涉及电子电路技术，具体涉及一种用于射频链路的全温幅度补偿实现电路。
背景技术：
：随着国内外微波通信技术的快速发展，对TR组件、子系统的全温幅度一致性研制要求越来越高。图1是现有技术的示意图。如图1所示，包括由射频信号输入端口至射频信号输出端口串联有第一低噪声放大器LNA1以及第二低噪声放大器LNA2。图1显示的是一种实施例，可由图1为基本结构，集成更多的射频微波单片集成电路组成射频链路。目前常用的射频微波单片集成电路(如低噪声放大器、功率放大器等)，由于其基板材料及电路拓扑的区别，全温下幅度会有所变化，当链路中集成的该种芯片数量较多时，全温下累加的幅度变化更加明显，这时就需求一种幅度温度补偿电路。在现有技术中，通常使用温补衰减器实现温度补偿，但用温补衰减器补偿1dB以上的幅度变化时，可选的温补衰减器本身插损一般都大于3dB，甚至更大，且成本较高。技术实现要素：针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种可满足稍大幅度的补偿、自身插损同等条件下较温补的小，且成本低廉、易于批产调试的用于射频链路的全温幅度补偿实现电路。本实用新型的技术方案如下：一种用于射频链路的全温幅度补偿实现电路，所述射频链路包括一系列串联的噪声放大器，所述全温幅度补偿实现电路还包括电调衰减器、热敏电阻以及固定阻值电阻；所述电调衰减器包括输入端口、输出端口以及偏置电压调节端口；所述电调衰减器的通过输入端口和输出端口串接于射频链路之中的两个相邻的噪声放大器之间；所述热敏电阻和固定阻值电阻相串联，此串联回路一端连接电源电压，一端接地；热敏电阻和固定阻值电阻的公共端连接于电调衰减器的偏置电压调节端口。其进一步的技术方案为，所述热敏电阻的型号为NCP15XM472J03RC。其进一步的技术方案为，所述电调衰减器包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管；还包括第一电阻、第二电阻和第三电阻；第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管均包括第一端和第二端；当所述第一端为源极时，所述第二端为漏极；当所述第一端为漏极时，所述第二端为源极；所述第一场效应管的第一端为电调衰减器的输入端口，第一场效应管的第二端连接第二场效应管的第一端，第二场效应管的第二端为电调衰减器的输出端口；所述第一电阻和第二电阻相串联，此串联回路一端连接于第一场效应管的门级，另一端连接于第二场效应管的门级；第三场效应管的第一端连接于第一场效应管的第二端和第二场效应管的第一端的公共端；第三场效应管的第三端接地；第三场效应管的门级连接第三电阻的一端，第三电阻的另一端为电调衰减器的偏置电压调节端口。本实用新型的有益技术效果是：(1)本实用新型可实现射频链路全温下的幅度补偿，使射频链路全温幅度满足一致性需求；(2)本实用新型电路实现方式简单、成本低、大规模批产时一致性好；(3)本实用新型提出了电调衰减器片与片间大差异、一致性不好的解决方案；(4)本实用新型所引入的额外插损小。附图说明图1是现有技术的示意图。图2是本实用新型的电路图。图3是电调衰减器的原理图。具体实施方式图2时本实用新型的电路图。如图2所示，与现有技术相同，射频链路包括一系列串联的噪声放大器，本实用新型在现有技术中，增加了全温幅度补偿实现电路。全温幅度补偿实现电路包括电调衰减器、热敏电阻R1以及固定阻值电阻R2。电调衰减器包括输入端口、输出端口以及偏置电压调节端口，电调衰减器的通过输入端口和输出端口串接于射频链路之中的两个相邻的噪声放大器之间，具体到本实施例中，如图2所示，电调衰减器的输入端口与第一低噪声放大器LNA1的输出端相连接，电调衰减器的输出端口与第二低噪声放大器LNA2的输入端口相连接。随着偏置电压调节端口的供电电压变化，电调衰减器能提供连续变化的不同插损值，利用这个特性，在使用过程中只需通过控制电调衰减器的偏置电压，使其本身的插损变化与原链路的增益变化相反，就可以实现增益补偿作用。热敏电阻R1和固定阻值电阻R2相串联，此串联回路一端连接电源电压Vin，一端连接接地端GND。热敏电阻R1和固定阻值电阻R2的公共端连接于电调衰减器的偏置电压调节端口。Vin电源电压可以使用现有技术的产品中既有的供电电源，经热敏电阻R1和固定阻值电阻R2两个电阻分压后得到偏置电压V0，供给电调衰减器。具体的，热敏电阻R1可使用型号为NCP15XM472J03RC的热敏电阻，固定阻值电阻R2可使用特定阻值的普通封装电阻。不同温度下，热敏电阻R1的阻值会有规律的变化，故温度不同，分压得到的偏置电压V0会变化，最终电调衰减器的插损值会相应变化，即可实现所需的增益补偿功能。其中热敏电阻的阻值补偿方向需根据电路需求选择。图3是电调衰减器的原理图。如图3所示，本实用新型中所使用的电调衰减器包括第一场效应管FET1、第二场效应管FET2、第三场效应管FET3。还包括第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3。第一场效应管FET1、第二场效应管FET2、第三场效应管FET3均包括第一端和第二端；当第一端为源极时，第二端为漏极；当第一端为漏极时，第二端为源极。第一场效应管FET1的第一端为电调衰减器的输入端口J1，第一场效应管FET1的第二端连接第二场效应管FET2的第一端，第二场效应管FET2的第二端为电调衰减器的输出端口J2；第一电阻R1和第二电阻R2相串联，此串联回路一端连接于第一场效应管FET1的门级，另一端连接于第二场效应管FET2的门级；第一电阻R1和第二电阻R2的公共端也是一个调节端口VB，在本实用新型中空置。第三场效应管FET3的第一端连接于第一场效应管FET1的第二端和第二场效应管FET2的第一端的公共端；第三场效应管FET3的第二端接地；第三场效应管FET3的门级连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端为电调衰减器的偏置电压调节端口VA。热敏电阻R1和固定阻值电阻R2两个电阻分压后得到偏置电压V0输入至偏置电压调节端口VA电调衰减器在不同偏置电压V0下能提供连续变化的不同插损值，利用这个特性，在使用过程中只需通过控制电调衰减器的偏置电压调节端口VA处的电压，使其本身的插损变化与原链路的增益变化相反，就可以实现增益补偿作用。以下使用一个实施例来说明本实用新型的工作原理。在一个微波模块中，要求链路增益指标高温、低温相对常温变化量均小于2.5dB，但图1所示的现有技术设计时，实测结果高温-常温变化量最大达3dB，低温-常温变化量最大达4dB，偏离要求较大。如果采取如图2所示本实用新型所述的方案，具体的配置方法如下：1、选取多个包含有射频链路的模块进行测试。初始装配时，热敏电阻R1的型号为NCP15XM472J03RC，固定阻值电阻R2选用普通封装3.3K电阻，测得此时各个模块的高温-常温变化量G1；2、设定高温-低温变化量需要调到的指标范围，例如，本产品选定为1.6dB～2.3dB，以G2表示；3、计算G2-G1的差值，按下表所示更换R2的阻值；表1R2的阻值选择标准G2-G1(dB)R2阻值(欧姆)03.3K0.54.3K14.7K1.55.6K4、再次测试此时各个模块的高温-常温变化量。依上述方法试验了多个样件，最终测得高温-常温变化量在1.6dB～2.3dB之间，均满足了要求且一致性好，后将该电路转批量生产，进一步验证了其可行性。本实用新型中提到的包括一系列串联的噪声放大器的射频链路，为现有技术，不再详述。以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。当前第1页1 2 3