晶体片以及晶体振子的制作方法

文档序号:13742334阅读:153来源:国知局
晶体片以及晶体振子的制作方法
本发明涉及at切割型的晶体片以及晶体振子。
背景技术
:近年来,由于要求晶体振子的小型化,而需要使晶体片小型化。但是,若晶体片小型化,则副振动的影响显得更显著,或者出现振动泄漏的影响,串联电阻值容易变大。作为以减少串联电阻值为目的的现有的晶体片的发明,已知例如专利文献1所记载的晶体振动板。在该晶体振动板中,对晶体振动板的端部实施了倒角加工(斜角加工)。据此,振动能量被封闭在激励电极下,从而得到良好的串联电阻值。如以上所述,为了在晶体片中得到良好的串联电阻值而进行了各种研究。专利文献1:日本特开2013-34176号公报技术实现要素:因此,本发明的目的在于提供能够减少ci(晶体阻抗)值的晶体片以及晶体振子。本发明的一方式所涉及的晶体片是呈板状且从主面的法线方向观察时呈矩形形状的at切割型的晶体片,其特征在于,上述主面的长边与上述晶体片的z’轴实质平行,上述主面的短边与上述晶体片的x轴实质平行,上述晶体片的主振动的频率是24.5mhz以上28.5mhz以下,上述晶体片包括:第一区域,在从上述主面的法线方向观察时包括该主面的中央;第二区域以及第三区域,在上述长边延伸的长边方向的两侧与该第一区域相邻;以及第四区域以及第五区域,在上述短边延伸的短边方向的两侧与该第一区域相邻,上述第一区域的厚度实质均匀,上述第二区域的厚度以及上述第三区域的厚度小于上述第一区域的厚度和/或上述第四区域的厚度以及上述第五区域的厚度小于该第一区域的厚度,在上述第一区域、上述第四区域以及上述第五区域的短边方向的长度是w且上述第一区域的厚度是t的情况下,13.92≤w/t≤14.44成立。本发明还涉及具备上述晶体片的晶体振子。根据本发明,能够减少ci值。附图说明图1是晶体振子10的外观立体图。图2是晶体振子10的分解立体图。图3是沿图1的a-a的剖面结构图。图4是沿图2的b-b的剖面结构图。图5是沿图2的c-c的剖面结构图。图6是从上侧观察晶体片17的图。图7是区域a1的放大图。图8是表示在主振动的频率为24.5mhz的晶体片17中主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。图9是表示在主振动的频率为25.0mhz的晶体片17中主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。图10是表示在主振动的频率为28.5mhz的晶体片17中主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。图11是表示第1样本至第4样本的实验结果的图表。图12是表示第5样本至第8样本的实验结果的图表。图13是表示第9样本至第11样本的实验结果的图表。图14是表示第12样本至第17样本的实验结果的图表。图15是表示第18样本至第21样本的实验结果的图表。图16是表示第22样本至第25样本的实验结果的图表。图17是变形例所涉及的晶体振子10a的剖面结构图。图18是晶体振荡器300的剖面结构图。图19是其他的实施方式所涉及的晶体片17a的剖面结构图。图20是其他的实施方式所涉及的晶体片17b的剖面结构图。具体实施方式(晶体振子的构造)以下,参照附图对具备本发明的电子部件的一实施方式所涉及的晶体片的晶体振子进行说明。图1是晶体振子10的外观立体图。图2是晶体振子10的分解立体图。图3是沿图1的a-a的剖面结构图。以下,将针对晶体振子10的主面的法线方向定义为上下方向,在从上侧观察时,将晶体振子10的长边延伸的方向定义为长边方向,将晶体振子10的短边延伸的方向定义为短边方向。另外,下文中也有将晶体片17的at切割的轴向作为基准对各结构进行说明的情况。如图1至图3所示,晶体振子10具备基板12、金属盖14、晶体振动片16以及粘合剂50。晶体振子10的短边的宽度是1.6mm,晶体振子10的长边的长度是2.0mm。基板12(电路基板的一个例子)包括基板主体21、外部电极22、26、40、42、44、46、布线24、27、49以及导通孔导体25、28。基板主体21呈板状,从上侧观察时呈矩形形状。基板主体21由例如氧化铝烧结体、莫来石烧结体、氮化铝烧结体、炭化硅烧结体、玻璃陶瓷烧结体等陶瓷绝缘材料、晶体、玻璃、硅等制成。基板主体21在上下具有2个主面。将基板主体21的上侧的主面(+y’侧的主面)称为表面,将基板主体21的下侧的主面(-y’侧的主面)称为背面。另外,基板主体21的4个角在从上侧观察时由于被切割成中心角为90度的扇形而缺损。其中,为了简化说明,将角被切割而形成的圆弧状的部分称为角。在基板主体21的表面上,外部电极22、26在长边方向的一端侧沿短边方向排列设置。具体而言,外部电极22是设置于基板主体21的表面的-z’且+x侧的角附近的矩形形状的导体层。外部电极26是设置于基板主体21的表面的-z’且-x侧的角附近的矩形形状的导体层。外部电极40、42、44、46设置于基板主体21的背面的各角附近。外部电极40是设置于基板主体21的背面的-z’且-x侧的角附近的正方形的导体层。外部电极40与基板主体21的背面的-z’且-x侧的角接触。外部电极42是设置于基板主体21的背面的-z’且+x侧的角附近的正方形的导体层。外部电极42与基板主体21的背面的-z’且+x侧的角接触。外部电极44是设置于基板主体21的背面的+z’且-x侧的角附近的正方形的导体层。外部电极44与基板主体21的背面的+z’且-x侧的角接触。外部电极46是设置于基板主体21的背面的+z’且+x侧的角附近的正方形的导体层。外部电极46与基板主体21的背面的+z’且+x侧的角接触。布线24是设置于基板主体21的表面且从外部电极22朝向+z’侧延伸的直线状的导体层。布线24的+z’侧的端部与基板主体21的表面的+z’且+x侧的角接触。导通孔导体25形成为覆盖基板主体21的+z’且+x侧的角被切割而形成的曲面,且连接布线24的+z’侧的端部和外部电极46。布线27是从外部电极26朝向-z’且-x侧延伸的带状的导体层。布线27的-z’且-x端与基板主体21的表面的-z’且-x侧的角接触。导通孔导体28形成为覆盖基板主体21的-z’且-x侧的角被切割而形成的曲面,且连接布线27的-z’且-x侧的端部和外部电极40。布线49设置于基板主体21的背面,且连接外部电极42和外部电极44。外部电极22、26、40、42、44、46、布线24、27、49以及导通孔导体25、28呈3层结构,具体而言,通过从下层侧向上层侧层叠钼层、镍层以及金层而构成。晶体振动片16包括晶体片17、外部电极97、98、激励电极100、101以及引出导体102、103。晶体片17呈板状且从上侧观察时呈矩形形状。将晶体片17的上侧的主面称为表面,将晶体片17的下侧的主面称为背面。晶体片17例如是从晶体的原矿石等以规定角度切取的at切割型的晶体片。at切割的晶体片17是将使作为人造晶体的晶轴的x轴、y轴、z轴中的y轴以及z轴绕x轴从y轴向z轴的方向旋转了35度15分±1分30秒的轴分别作为y’轴以及z’轴的情况下,与由x轴以及z’轴确定出的面平行的面作为主面切取的晶体片。如图2所示,晶体片17的表面以及背面的长边与晶体片17的z’轴实质平行。晶体片17的表面以及背面的短边与晶体片17的x轴实质平行。与晶体片17的表面或者背面垂直的方向的厚度与晶体片17的y’轴实质平行。实质平行是指相对于z’轴、x轴在大约±1度的范围内。使用at切割晶体片的晶体振动元件在较宽的温度范围内具有极高的频率稳定性,另外在时间变化特性上也优异,因此能够进行制造。另外,at切割晶体振动元件包括厚度剪切振动模式(thicknessshearmode)作为主要振动。此外,对晶体片17实施了斜角加工,而详细内容将在下文中描述。另外,在图2、3中,没有体现出实施了斜角加工这一点。晶体振子的尺寸落在长边方向的长度是2.0mm,短边方向的宽度是1.6mm的范围内,所以考虑到封装的厚度、密封材料的渗出、元件的安装精度等,将晶体片17设计为晶体片17的尺寸是长边方向的长度为1.5mm以下,晶体片17的短边方向的宽度为1.0mm以下。外部电极97是设置于晶体片17的-z’且+x侧的角以及其附近的导体层。外部电极97形成为从晶体片17的表面跨到背面,也形成于晶体片17的+x侧且-z’侧的各侧面。外部电极98是设置于晶体片17的背面的-z’且-x侧的角以及其附近的导体层。外部电极97形成为从晶体片17的表面跨到背面,也形成于晶体片17的-x侧且-z’侧的各侧面。据此,外部电极97、98沿着晶体片17的短边排列。激励电极100设置于晶体片17的表面的中央,且从上侧观察时呈矩形形状。激励电极101设置于晶体片17的背面的中央,且从上侧观察时呈矩形形状。激励电极100和激励电极101在从上侧观察时,以一致的状态重叠。引出导体102设置于晶体片17的表面,且连接外部电极97和激励电极100。引出导体103设置于晶体片17的背面,且连接外部电极98和激励电极101。外部电极97、98、激励电极100、101以及引出导体102、103例如通过在铬的基底层上层叠金而制成。晶体振动片16安装于基板12的表面。具体而言,外部电极22和外部电极97在通过导电性粘合剂210电连接的状态下固定,外部电极26和外部电极98在通过导电性粘合剂212电连接的状态下固定。金属盖14是具有矩形形状的开口的壳体,例如,通过对铁镍合金或者钴镍合金的母材实施镀镍以及镀金而制成。在本实施方式中,金属盖14是下侧开口的长方体状的箱子,通过对铁镍合金的母材的表面实施镀镍以及镀金而制成。粘合剂50呈矩形形状的框状,呈与金属盖14的开口的外边缘一致的形状。粘合剂50例如以低熔点玻璃、树脂或者金属为原料,将金属盖14固定于基板12。据此,由基板主体21的表面以及金属盖14形成了封闭空间sp。因此,晶体振动片16被金属盖14覆盖而收容于封闭空间sp内。另外,封闭空间sp通过金属盖14经由粘合剂50与基板主体21紧贴,而保持为真空状态。但是,也可以是大气状态。(关于晶体片的详细内容)以下,参照附图对晶体片17的详细内容进行说明。图4是沿图2的b-b的剖面结构图。图5是沿图2的c-c的剖面结构图。图6是从上侧观察晶体片17的图。图7是区域a1的放大图。本实施方式所涉及的晶体片17为了减少ci值,满足以下说明的条件。条件1:晶体片17的主振动的频率是24.5mhz以上28.5mhz以下。条件2:晶体片17的表面以及背面的长边与晶体片17的z’轴实质平行。条件3:晶体片17的表面以及背面的短边与晶体片17的x轴实质平行。条件4:通过实施斜角加工,而如图4以及图5所示,晶体片17的表面以及背面的外边缘附近的厚度比晶体片17的表面以及背面的中央附近的厚度薄。条件5:在晶体片17的区域a1、a4、a5的短边方向的长度是w且晶体片17的区域a1的厚度是t的情况下,13.92≤w/t≤14.44成立。关于区域a1、a4、a5,将在下文中描述。<关于条件1>晶体片17的主振动的频率取决于晶体片17的厚度t。因此,晶体片17的厚度t被设定在0.0586mm以上0.0682mm以下的范围。<关于条件2以及条件3>晶体片一般是在其短边附近利用导电性粘合剂固定于基板,另外,已知at切割的晶体片的厚度剪切振动的振动方向是x轴向。因此,以往的长边与x轴向平行的晶体片容易经由短边侧的导电性粘合剂使基板受到振动泄漏的影响。对此,由于本实施方式所涉及的at切割型的晶体片17的长边与z’轴向平行,所以针对z’轴区域的振动泄露少,即使是在晶体片17的短边附近利用导电性粘合剂210、212固定于基板12的情况下,针对基板的振动泄露的影响也少。因此,根据本实施方式所涉及的at切割型的晶体片,和长边与x轴向平行的晶体片相比,振动泄露的影响少,ci值良好。<关于条件4>如图6所示,晶体片17在从上侧观察时包括区域a1~a5。区域a1是从上侧观察时包括表面的中央的长方形的区域。但是,区域a1在从上侧观察时,也可以是长方形以外的形状,例如也可以是椭圆形状。区域a2是在+z’侧与区域a1相邻的长方形的区域。区域a2与表面的+z’侧的整个短边、表面的-x侧以及+x侧的长边的+z’侧的端部附近接触。即,区域a2在晶体片17中位于+z’侧的端部。区域a3是在-z’侧与区域a1相邻的长方形的区域。区域a3与表面的-z’侧的整个短边、表面的-x侧以及+x侧的长边的-z’侧的端部附近接触。即,区域a3在晶体片17中位于+z’侧的端部。区域a4是在-x侧与区域a1相邻,并且被区域a2、a3从左右夹着的长方形的区域。区域a4与表面的-x侧的长边的除了两端以外的部分接触。即,区域a4在晶体片17中位于-x侧的端部。区域a5是在+x侧与区域a1相邻,并且被区域a2、a3从左右夹着的长方形的区域。区域a5与表面的+x侧的长边的除了两端以外的部分接触。即,区域a5在晶体片17中位于+x侧的端部。如图4以及图5所示,区域a1的厚度t实质均匀。其中,区域a1的表面以及背面略微弯曲。因此,如图7所示,实质均匀的区域a1是指在区域a1中的晶体片的厚度的最大值是tmax的情况下,具有tmax-2μm以上tmax以下的厚度的区域。其中,区域a1是包括表面的中央并且连续的区域。另外,区域a1的厚度t实质均匀,将tmax作为其值。如图4以及图5所示,区域a2~a5的厚度小于区域a1的厚度t。在本实施方式中,区域a2~a5的厚度随着远离区域a1而连续变小。在本实施方式中,区域a2~a5处的表面以及背面呈凸面。<关于条件5>在晶体片17的区域a1、a4、a5的短边方向的长度是w且晶体片17的区域a1的厚度是t的情况下,13.92≤w/t≤14.44成立。另外,优选13.95≤w/t≤14.22成立,进一步优选14.07≤w/t≤14.18成立。<关于其他的条件>优选除了上述条件1~条件5以外,在区域a1~a3的长边方向的长度是l且区域a1的长边方向的长度是rl的情况下,0.50≤rl/l≤0.95成立,并且,区域a1的短边方向的长度是rw的情况下,0.50≤rw/w≤0.95。并且,优选在区域a1~a3的长边方向的长度是l,区域a1的长边方向的长度是rl的情况下,0.50≤rl/l≤0.67成立,并且,在区域a1的短边方向的长度是rw的情况下,0.50≤rw/w≤0.66成立。并且,进一步优选在区域a1~a3的长边方向的长度是l,区域a1的长边方向的长度是rl的情况下,0.59≤rl/l≤0.61成立,并且,在区域a1的短边方向的长度是rw的情况下,0.55≤rw/w≤0.58成立。这里,长度rl是通过区域a1中厚度为tmax的点,长边方向上的区域a1的长度。长度rw是通过区域a1中厚度为tmax的点,短边方向上的区域a1的长度。(晶体振子的制造方法)以下,参照附图对晶体振子10的制造方法进行说明。首先,对基板12的制造方法进行说明。准备呈矩阵状地排列有多个基板主体21的母板。母板由例如氧化铝烧结体、莫来石烧结体、氮化铝烧结体、炭化硅烧结体、玻璃陶瓷烧结体等陶瓷绝缘性材料、晶体、玻璃、硅等制成。接下来,在母板中,向基板主体21的4个角照射光束,来形成贯导通孔。接下来,在基板主体21形成外部电极22、26、40、42、44、46、布线24、27、49以及导通孔导体25、28的基底电极。具体而言,将钼层印刷到母板,并使其干燥。然后,对钼层进行烧结。据此,形成有外部电极22、26、40、42、44、46、布线24、27、49以及导通孔导体25、28的基底电极。接下来,依次对外部电极22、26、40、42、44、46、布线24、27、49以及导通孔导体25、28的基底电极实施镀镍以及镀金。据此,形成了外部电极22、26、40、42、44、46、布线24、27、49以及导通孔导体25、28的基底电极。接下来,通过切片机将母板分割成多个基板主体21。接下来,对晶体振动片16的制造方法进行说明。通过at切割切取晶体的原矿石来得到矩形形状的板状的晶体片17。此时,将晶体的原矿石切割为晶体片17的表面以及背面的长边与晶体片17的z’轴实质平行,晶体片17的表面以及背面的短边与晶体片17的x轴实质平行。接下来,对于晶体片17使用滚筒抛光装置施加斜角加工。据此,晶体片17的棱线附近被削掉,如图4以及图5所示,晶体片17具有厚度随着远离表面的中央而变小的剖面形状。接下来,在晶体片17形成外部电极97、98、激励电极100、101以及引出导体102、103。此外,由于外部电极97、98、激励电极100、101以及引出导体102、103的形成是一般工序,所以省略说明。接下来,在基板主体21的表面安装晶体振动片16。具体而言,如图2以及图3所示,通过导电性粘合剂210粘合外部电极22和外部电极97,并且通过导电性粘合剂212粘合外部电极26和外部电极98。接下来,通过粘合剂50将金属盖14安装到基板12。经过以上的工序,晶体振子10完成。(效果)根据本实施方式所涉及的晶体片17以及晶体振子10,能够减少ci值。更详细而言,如图4以及图5所示,晶体片17具有厚度随着远离表面的中央而变小的剖面形状。据此,晶体片17的主振动的振动能量被封闭在区域a1。在区域a1设置有激励电极100、101。结果,主振动被高效地转换成电信号,从激励电极100、101输出电信号。因此,根据晶体片17以及晶体振子10,能够减少ci值。另外,根据晶体片17以及晶体振子10,由于以下说明的理由,也能够减少ci值。图8是表示在主振动的频率为24.5mhz的晶体片17中主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。图9是表示在主振动的频率为25.0mhz的晶体片17中主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。图10是表示在主振动的频率为28.5mhz的晶体片17中主振动以及副振动的频率与w/t的关系的图表。此外,在图8至10中,△表示主振动,□以及◇表示副振动。在晶体片17以及晶体振子10中,除了主振动以外产生副振动。主振动是由厚度剪切产生的振动。主振动的频率取决于晶体片17的厚度t。另一方面,副振动是主振动以外的振动,是通过晶体片17的短边方向的伸缩、长边方向的伸缩、晶体片17的挠曲等产生的振动。副振动的频率取决于长度l、宽度w等。这样的副振动是所谓的杂波。此外,根据在使晶体片17的长边方向的长度l恒定的情况下使w/t变动的后述的模拟结果可知,能够通过调整w/t来抑制能够在晶体片17以及晶体振子10产生的副振动。这里,为了减少晶体片17以及晶体振子10的ci值,将晶体片17以及晶体振动片16设计为主振动的频率和副振动的频率错开即可。因此,本申请发明人通过计算机模拟调查了w/t与主振动以及副振动的频率的关系。在计算机模拟中,对于具有24.5mhz、25.0mhz以及28.5mhz这3种主振动的频率的晶体片17,将厚度t保持恒定,使宽度w变化。下面,记载模拟条件。(1)24.5mhz厚度t:0.0682mm长度l:1.350mm长度rl:0.760mmrw/w:0.54(2)25.0mhz厚度t:0.0668mm长度l:1.350mm长度rl:0.760mmrw/w:0.54(3)28.5mhz厚度t:0.0586mm长度l:1.350mm长度rl:0.760mmrw/w:0.54以以上条件进行模拟的结果,得到了图8至图10所示的结果。而且,本申请发明人基于模拟结果求出优选的w/t。根据图8,在主振动的频率为24.5mhz的情况下,若w/t是13.92以上14.45以下,则主振动1与副振动2不交叉。即,若w/t是13.92以上14.45以下(即,t是0.0682mm,w是0.949mm以上0.985mm以下),则主振动的频率和副振动的频率错开。根据图9,在主振动的频率为25.0mhz的情况下,若w/t是13.92以上14.44以下,则主振动1与副振动2不交叉。即,若w/t是13.92以上14.44以下(即,t是0.0668mm,w是0.930mm以上0.965mm以下),则主振动的频率和副振动的频率错开。根据图10,在主振动的频率为28.5mhz的情况下,若w/t是13.92以上14.45以下,则主振动1与副振动2不交叉。即,若w/t是13.92以上14.45以下(即,t是0.0586mm,w是0.816mm以上0.847mm以下),则主振动的频率和副振动的频率错开。通过以上可知,在晶体片17的主振动的频率是24.5mhz以上28.5mhz以下的情况下,若13.92≤w/t≤14.44,则主振动的频率和副振动的频率错开。综上,在主振动的频率为24.5mhz以上28.5mhz以下的晶体片17中,若为13.92≤w/t≤14.44,则能够减少ci值。另外,若使用模拟则能够分别独立地解析主振动和副振动,所以有根据ci值求出24.5mhz以上28.5mhz以下的主振动中的副振动给予主振动的影响小的范围的优点。但是,在实际的样本的ci值的测量中,虽然只能得到主振动和副振动重叠的ci值,但得到了尺寸、形状、材料特性等反映了实际变动的详细的测量结果。因此,本申请发明人进行以下说明的使用实际制作的样本的实验,在利用模拟求出的24.5mhz以上28.5mhz以下的频率范围内,求出更优选的w/t的范围。更详细而言,本申请发明人将晶体振子10的第1样本至第11样本分别各制作了40个。下面,记载第1样本至第11的样本的条件。(1)第1样本至第4样本(主振动的频率:25.0mhz)[表1]第1样本第2样本第3样本第4样本t[mm]0.06680.06680.06680.0668l[mm]1.3501.3501.3501.350rl[mm]0.7600.7600.7600.760w[mm]0.9400.9430.9450.950rw[mm]0.5050.5070.5080.511(2)第5样本至第8样本(主振动的频率:27.0mhz)[表2]第5样本第6样本第7样本第8样本t[mm]0.06190.06190.06190.0619l[mm]1.3501.3501.3501.350rl[mm]0.8500.8500.8500.850w[mm]0.8630.8680.8730.878rw[mm]0.5380.5400.5420.544(3)第9样本至第11样本(主振动的频率:27.12mhz)[表3]第9样本第10样本第11样本t[mm]0.06160.06160.0616l[mm]1.3501.3501.350rl[mm]0.8500.8500.850w[mm]0.8630.8680.873rw[mm]0.5380.5400.542在以上的第1样本至第11样本中,测量了ci值。在实验中,使周围的温度从-30℃变化到85℃。ci值使用在各样本中从-30℃变化到85℃时的最大值。图11是表示第1样本至第4样本(主振动的频率:25.0mhz)的实验结果的图表。图12是表示第5样本至第8样本(主振动的频率:27.0mhz)的实验结果的图表。图13是表示第9样本至第11样本(主振动的频率:27.12mhz)的实验结果的图表。在图11至图13中,纵轴表示ci值,横轴表示宽度w。图11示出主振动的频率是25.0mhz的情况且ci值成为小ci的最小值32ω的约2倍的60ω以下的w是0.940mm以上0.950mm以下的ci值的测量值。为使ci值成为60ω以下且成为充分低的值,而在根据主振动的频率决定的厚度t是0.668mm的情况下,w/t在14.07以上14.22以下的范围内。图12示出主振动的频率是27.0mhz的情况且ci值成为60ω以下的w是0.863mm以上0.878mm以下的ci值的测量值。为使ci值成为60ω以下且成为充分低的值,而在根据主振动的频率决定的厚度t是0.619mm的情况下,w/t在13.95以上14.20以下的范围内。图13示出主振动的频率是27.12mhz的情况且ci值成为60ω以下的w是0.863mm以上0.873mm以下的ci值的测量值。为使ci值成为60ω以下且成为充分低的值,而在根据主振动的频率决定的厚度t是0.616mm的情况下,w/t在14.01以上14.18以下的范围内。综上可知,由于将ci值减少到60ω以下,所以在晶体片17的主振动的频率是25.0mhz以上27.12mhz以下的情况下,是13.95≤w/t≤14.22的范围。进一步,若为14.07≤w/t≤14.18,则能够进一步减少ci值。接下来,本申请发明人进行以下说明的实验,求出优选的rl/l以及rw/w的范围。更详细而言,将第12样本至第25样本分别各制作了40个。下面,记载第12样本至第25样本的条件。(1)第12样本至第17样本(主振动的频率:25.0mhz)[表4](2)第18样本至第21样本(主振动的频率:27.0mhz)[表5]第18样本第19样本第20样本第21样本t[mm]0.06190.06190.06190.0619l[mm]1.3501.3501.3501.350rl[mm]0.7500.8000.8500.900w[mm]0.8680.8680.8680.868rw[mm]0.4800.5000.5400.570(3)第22样本至第25样本(主振动的频率:27.12mhz)[表6]第22样本第23样本第24样本第25样本t[mm]0.06160.06160.06160.0616l[mm]1.3501.3501.3501.350rl[mm]0.7500.8000.8500.900w[mm]0.8680.8680.8680.868rw[mm]0.4800.5000.5400.570在以上的第12样本至第25样本中,测量了ci值。在实验中,使周围的温度从-30℃变化到85℃。ci值使用在各样本中从-30℃变化到85℃时的最大值。图14是表示第12样本至第17样本(主振动的频率:25.0mhz)的实验结果的图表。图15是表示第18样本至第21样本(主振动的频率:27.0mhz)的实验结果的图表。图16是表示第22样本至第25样本(主振动的频率:27.12mhz)的实验结果的图表。在图14至图16中,纵轴表示ci值,横轴表示rl/l以及rw/w。图14示出主振动的频率是25.0mhz的情况且ci值成为60ω以下的范围的rw/w是0.50以上0.58以下并且rl/l是0.50以上0.61以下的ci值的测量值。图15示出主振动的频率是27.0mhz的情况且ci值成为60ω以下的范围的rw/w是0.55以上0.66以下并且rl/l是0.56以上0.67以下的ci值的测量值。图16示出主振动的频率是27.12mhz的情况且ci值成为60ω以下的范围的rw/w是0.55以上0.66以下并且rl/l是0.56以上0.67以下的ci值的测量值。若rl/l以及rw/w大于0.95,则在区域a1封闭晶体片17的主振动的振动能量变得不充分。因此,优选rl/l以及rw/w的上限是0.95。另外,为了使ci值成为60ω以下,而根据晶体片17的主振动的频率是25.0mhz以上27.12mhz以下的样本的实验结果可知,是0.50≤rl/l≤0.67并且0.50≤rw/w≤0.66的构成即可。并且,若为0.56≤rl/l≤0.61并且0.55≤rw/w≤0.58的构成,则能够进一步减少ci值。(变形例)以下,参照附图对变形例所涉及的晶体振子10a进行说明。图17是变形例所涉及的晶体振子10a的剖面结构图。如图17所示,本变形例所涉及的晶体振子10a具备包括晶体片17的晶体振动片16,与在上述实施方式中说明的晶体振子10在基板12的背面设置有热敏电阻60的点上不同。此外,晶体片17能够应用在上述实施方式中说明的结构。(晶体振荡器)以下参照附图对具备晶体片17的晶体振荡器300进行说明。图18是晶体振荡器300的剖面结构图。如图18所示,晶体振荡器300具备包括晶体片17的晶体振动片16,与图3的晶体振子10在基板12的背面安装有ic302的点上不同。此外,晶体片17能够应用在上述实施方式中说明的结构。(其他的实施方式)本发明所涉及的晶体片以及晶体振子并不局限于晶体片17以及晶体振子10,能够在其主旨的范围内进行变更。此外,晶体片17具有厚度随着沿短边方向以及长边方向双方远离表面的中央而变薄的形状。然而,晶体片17的厚度既可以随着沿短边方向远离表面的中央而变小,也可以随着沿长边方向远离表面的中央而变小。即,区域a2的厚度以及区域a3的厚度小于区域a1的厚度和/或区域a4的厚度以及区域a5的厚度小于区域a1的厚度即可。图19以及图20是其他的实施方式所涉及的晶体片17a、17b的剖面结构图。如图19所示,既可以在比区域a2靠+z’侧设置有具有大于区域a2的厚度的区域,也可以在比区域a3靠-z’侧设置有具有大于区域a3的厚度的区域。同样地,既可以在比区域a4靠-x侧设置有具有大于区域a4的厚度的区域,也可以在比区域a5靠+x侧设置有具有大于区域a5的厚度的区域。即,若具有小于区域a1的厚度的区域a2~a5设置于区域a1的周围,则主振动的振动能量被封闭在区域a1,因此在区域a2~a5的周围可以存在也可以不存在其他区域。另外,区域a2~a5呈连续变化的凸面,但也可以呈凹面,也可以是不连续变化的面。即,如图20所示,区域a2~a5也可以呈阶梯状。工业上的可用性如上所述,本发明对晶体片以及晶体振子有用,特别是在能够减少ci值的点上优异。附图标记的说明10、10a:晶体振子;12:基板;14:金属盖;16:晶体振动片;17、17a、17b:晶体片;21:基板主体;22、26、40、42、44、46:外部电极;50:粘合剂;60:热敏电阻;100、101:激励电极;300:晶体振荡器;a1~a5:区域。当前第1页12
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