技术特征：
技术总结
本发明是一种薄膜体声波谐振器(FBAR)及其加工方法。该声波谐振器包括硅衬底、二氧化硅薄膜、压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从上到下依次包括顶电极、压电层、底电极。其制造加工方法的特征是：在硅衬底上生长缓冲层，物理气相沉积生长底电极、压电材料和顶电极，形成压电薄膜换能器堆叠结构。然后将带有空腔的绝缘体硅基片与压电薄膜换能器堆叠结构进行键合，形成空气腔，最终剥离原先硅衬底。与现有技术相比，本发明采用预设的空腔结构，在空腔内形成压电薄膜换能器堆叠结构的支撑结构，有利于减少薄膜体声波谐振器早键合过程的断裂、损伤，能有效地提高器件生产稳定性，适合批量生产。
技术研发人员：张树民;王国浩;房华
受保护的技术使用者：杭州左蓝微电子技术有限公司
技术研发日：2017.05.16
技术公布日：2017.10.03