一种上电复位电路的制作方法

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种上电复位电路。

背景技术：

上电复位电路的作用在于：在电路上电期间产生复位信号对系统进行复位，目前的上电复位电路大都结构复杂，占用芯片面积大。

如公开号为cn101795129a的上电复位电路，其在电源电压达到第一规定电压时输出复位信号，该上电复位电路包括：第一输出电路，其具有第一pmos晶体管和第一电流源，且具有第一输出电路反转阈值电压，对第一控制电路进行控制；第二输出电路，其具有第二pmos晶体管和第二电流源，且具有作为比所述第一输出电路反转阈值电压低的第二输出电路反转阈值电压的所述第一规定电压。该第二输出电路以如下方式进行工作：当所述电源电压高于所述第一规定电压时，输出所述复位信号；第一源极跟随电路，其被施加比所述第二输出电路反转阈值电压低的基准电压，向所述第一控制电路的输入端子输出基于所述基准电压的电压；第二源极跟随电路，其被施加所述基准电压，向所述第一pmos晶体管和所述第二pmos晶体管的栅极输出基于所述基准电压的电压；所述第一控制电路，其具有第一电容，且以如下方式进行工作：当所述电源电压高于所述第一输出电路反转阈值电压时，开始对所述第一电容进行充电，在经过规定时间后，不输出所述复位信号；以及第二控制电路，其具有第二电容，当所述电源电压低于第二规定电压时，该第二控制电路将所述第二电容与所述第一pmos晶体管和所述第二pmos晶体管的栅极连接起来。

该上电复位电路具有第一输出电路、第二输出电路、第一源极跟随电路、第二源极跟随电路、第一控制电路、第二控制电路等实现电路的复位，结构复杂，占用芯片面积大。

技术实现要素：

为解决现有上电复位电路需要对电源进行比较复杂的检测，然后输出一个有效的复位信号，从而造成复位电路比较复杂，占用芯片面积大的技术问题，本发明提供了一种电路结构简单的上电复位电路。

一种上电复位电路，包括：第一pmos晶体管p1、第二pmos晶体管p2、第一nmos晶体管n1、电阻r1、电容c1以及反相器inv1；第一pmos晶体管p1的源极接电源，栅极和漏极相接并接到第二pmos晶体管p2的漏极以及电阻r1的一端；电阻r1的另一端接电容c1的一端以及第一nmos晶体管n1的栅极；电容c1的另一端接地；第二pmos晶体管p2的源极接电源，栅极接第一nmos晶体管n1的漏极以及反相器inv1的输入；第一nmos晶体管n1的源极接地；反相器inv1的输出为电路的输出端out。上述方案提供的上电复位电路中，利用电源电压与第一pmos晶体管和第一nmos晶体管阈值之和比较，产生电路的上电复位信号，大大简化了上电复位电路，减小了芯片面积，从而降低了系统的成本。

附图说明

图1是本发明实施方式提供的上电复位电路结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。

为了解决现有上电复位电路结构比较复杂，占用芯片面积大，成本高的技术问题，本发明提供了一种电路结构简单的上电复位电路。如图1所示，包括：第一pmos晶体管p1、第二pmos晶体管p2、第一nmos晶体管n1、电阻r1、电容c1以及反相器inv1；第一pmos晶体管p1的源极接电源vdd，栅极和漏极相接并接到第二pmos晶体管p2的漏极以及电阻r1的一端；电阻r1的另一端接电容c1的一端以及第一nmos晶体管n1的栅极；电容c1的另一端接地；第二pmos晶体管p2的源极接电源vdd，栅极接第一nmos晶体管n1的漏极以及反相器inv1的输入；第一nmos晶体管n1的源极接地；反相器inv1的输出为电路的输出端out。

本发明的上电复位电路中，当电源电压超过第一pmos晶体管p1的阈值电压与第一nmos晶体管n1的阈值电压之和时，第一nmos晶体管n1导通，输出一个复位信号。

上述方案提供的上电复位电路中，利用电源电压与第一pmos晶体管和第一nmos晶体管阈值之和比较，产生电路的上电复位信号，大大简化了上电复位电路，减小了芯片面积，从而降低了系统的成本。

应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

技术特征：

技术总结
本发明提供了一种上电复位电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一PMOS晶体管的源极接电源，栅极和漏极相接并接到第二PMOS晶体管的漏极以及电阻的一端；电阻的另一端接电容的一端以及第一NMOS晶体管的栅极；电容的另一端接地；第二PMOS晶体管的源极接电源，栅极接第一NMOS晶体管的漏极以及反相器的输入；第一NMOS晶体管的源极接地；反相器的输出为电路的输出端。上述方案提供的上电复位电路中，利用电源电压与第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管阈值之和比较，产生电路的上电复位信号，大大简化了上电复位电路，减小了芯片面积，从而降低了系统的成本。

技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：长沙方星腾电子科技有限公司
技术研发日：2017.05.30
技术公布日：2017.09.29