技术总结
本发明提供一种隔离电路，包括：主隔离电容器、第二电容器、次隔离电容器、第四电容器和放大器，其中，所述主隔离电容器的第二端连接到所述第二电容器的第一端和所述放大器的输入端；所述次隔离电容器的第二端连接到所述第四电容器的第一端和所述放大器的输入端；所述第二电容器的第二端和第四电容器的第二端共同连接到接地端；所述主隔离电容器的第一端和所述次隔离电容器的第一端的输入呈反相；并且其中所述第二电容器、第四电容器和放大器处于第二管芯中。通过本发明的一个或多个实施方式，可以实现较高的隔离电压，并且由于电路和隔离电容由CMOS工艺制成，不存在光耦的老化问题，性能随温度变化，电性能差等问题，因此质量稳定，寿命长，成本低。
技术研发人员：董志伟
受保护的技术使用者：荣湃半导体（上海）有限公司
文档号码：201710558211
技术研发日：2017.07.10
技术公布日：2017.09.29