表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法与流程

文档序号:14685334发布日期:2018-06-12 23:26
表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法与流程

本发明涉及一种表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。



背景技术:

最近半个世纪以来,印刷配线板取得了长足进步,现在几乎已经用于所有电子机器。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求增大,搭载零件的高密度安装化及信号的高频化正不断发展,对印刷配线板要求良好地应对高频。

为了确保输出信号的品质,要求高频用基板减少传输损耗。传输损耗主要包括由树脂(基板侧)引起的介电损耗、及由导体(铜箔侧)引起的导体损耗。树脂的介电常数及介电损耗因子越小,那么介电损耗越减少。在高频信号中,导体损耗的主要原因在于:频率越高,那么电流流通的截面面积会因为电流只在导体的表面流通的集肤效应而越减少,从而使电阻变高。

作为以减少高频用铜箔的传输损耗为目的的技术,例如,在专利文献1中,公开了一种高频电路用金属箔,在金属箔表面的单面或两面被覆银或银合金属,并在该银或银合金被覆层上施加比所述银或银合金被覆层的厚度薄的银或银合金以外的被覆层。而且,记载了由此能够提供一种金属箔,即便在像卫星通信所使用的超高频区域中,也会减少由集肤效应产生的损耗。

另外,在专利文献2中,公开了一种高频电路用粗化处理压延铜箔,其特征在于:压延铜箔的再结晶退火后的压延面以X射线衍射所求出的(200)面的积分强度(I(200))相对于微粉末铜以X射线衍射所求出的(200)面的积分强度(I0(200)),I(200)/I0(200)>40,对该压延面通过电镀进行粗化处理后,粗化处理面的算术平均粗糙度(以下设为Ra)为0.02μm~0.2μm,十点平均粗糙度(以下设为Rz)为0.1μm~1.5μm,且所述压延铜箔为印刷电路基板用素材。而且,记载了由此能够提供一种能在超过1GHz的高频下使用的印刷电路板。

进而,在专利文献3中,公开了一种电解铜箔,其特征在于:铜箔的表面的一部分为由瘤状突起所构成且表面粗度为2μm~4μm的凹凸面。而且,记载了由此能够提供一种高频传输特性优异的电解铜箔。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利第4161304号公报

[专利文献2]日本专利第4704025号公报

[专利文献3]日本专利特开2004-244656号公报。



技术实现要素:

[发明要解决的课题]

虽然如上所述对控制铜箔在用于高频电路基板时的传输损耗进行了各种研究,但仍然留有较大开发余地。另外,在将表面处理铜箔从表面处理层侧与树脂积层,且以指定温度及指定时间(180℃下10天)加热后,表面处理铜箔与树脂的剥离强度(ピール強度)必须良好。

[解决课题的技术手段]

本发明者等人发现:通过控制在铜箔上形成一次粒子层所获得的表面处理层、或形成一次粒子层及二次粒子层所获得的表面处理层中的指定金属的附着量及表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz,从而即便用于高频电路基板也能够很好地减少传输损耗,且在与树脂积层并以指定温度及指定时间(180℃下10天)加热后,表面处理铜箔与树脂的剥离强度(ピール強度)良好。

本发明是基于所述见解完成的,在一观点中,是一种表面处理铜箔,具有铜箔、及在所述铜箔的一面或两面的表面处理层,所述表面处理层具有一次粒子层,或从所述铜箔侧起依次具有一次粒子层及二次粒子层,所述表面处理层含有Zn,所述表面处理层中的Zn的附着量为150μg/dm2以上,所述表面处理层不含Ni,或在所述表面处理层含有Ni的情况下所述表面处理层中的Ni的附着量为800μg/dm2以下,所述表面处理层不含Co,或在所述表面处理层含有Co的情况下所述表面处理层中的Co的附着量为3000μg/dm2以下,且所述表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以下。

本发明在另一观点中,是一种表面处理铜箔,具有铜箔、及在所述铜箔的一面或两面的表面处理层,所述表面处理层具有一次粒子层,或从所述铜箔侧起依次具有一次粒子层及二次粒子层,所述表面处理层含有Zn及Mo,所述表面处理层中的Zn及Mo的合计附着量为200μg/dm2以上,所述表面处理层不含Ni,或在所述表面处理层含有Ni的情况下所述表面处理层中的Ni的附着量为800μg/dm2以下,所述表面处理层不含Co,或在所述表面处理层含有Co的情况下所述表面处理层中的Co的附着量为3000μg/dm2以下,且所述表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以下。

本发明的表面处理铜箔在另一实施方式中,所述表面处理层含有Co。

本发明的表面处理铜箔在进而另一实施方式中,所述表面处理层含有Ni。

本发明的表面处理铜箔在进而另一实施方式中,所述表面处理层含有Co及Ni,且所述表面处理层中的Co及Ni的合计附着量为3500μg/dm2以下。

本发明的表面处理铜箔在进而另一实施方式中,在准备所述表面处理铜箔及树脂,并将所述表面处理铜箔从所述表面处理层侧与所述树脂积层后,从所述树脂剥离所述表面处理铜箔时,剥离强度为0.5kg/cm以上。

本发明的表面处理铜箔在进而另一实施方式中,所述剥离强度为0.7kg/cm以上。

本发明的表面处理铜箔在进而另一实施方式中,所述表面处理层在所述一次粒子层或所述二次粒子层上,从所述铜箔侧起依次具有:

(A)由Ni与选自由Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti所组成的群中的一种以上元素所构成的合金层、及

(B)铬酸盐处理层

中的任一层或两层。

本发明的表面处理铜箔在进而另一实施方式中,所述表面处理层在所述一次粒子层或所述二次粒子层上,从所述铜箔侧起依次具有:

(A)由Ni与选自由Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti所组成的群中的一种以上元素所构成的合金层、及

(B)铬酸盐处理层

中的任一层或两层、以及硅烷偶联处理层。

本发明的表面处理铜箔在进而另一实施方式中,所述表面处理层在所述一次粒子层或所述二次粒子层上,从所述铜箔侧起依次具有Ni-Zn合金层、及铬酸盐处理层中的任一层或两层。

本发明的表面处理铜箔在进而另一实施方式中,所述表面处理层在所述一次粒子层或所述二次粒子层上,从所述铜箔侧起依次具有Ni-Zn合金层、及铬酸盐处理层中的任一层或两层、以及硅烷偶联处理层。

本发明的表面处理铜箔在进而另一实施方式中,在所述表面处理层的表面具备树脂层。

本发明的表面处理铜箔在进而另一实施方式中,用于高频电路基板。

本发明在进而另一观点中,是一种附载体铜箔,在载体的一面或两面依次具有中间层及极薄铜层,且所述极薄铜层为本发明的表面处理铜箔。

本发明在进而另一观点中,是一种积层体,具有本发明的表面处理铜箔或本发明的附载体铜箔。

本发明在进而另一观点中,是一种积层体,含有本发明的附载体铜箔及树脂,且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。

本发明在进而另一观点中,是一种积层体,是将一个本发明的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层于另一个本发明的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。

本发明在进而另一观点中,是一种印刷配线板的制造方法,使用本发明的表面处理铜箔或本发明的附载体铜箔。

本发明在进而另一观点中,是一种印刷配线板的制造方法,包括如下步骤:准备本发明的表面处理铜箔或本发明的附载体铜箔、及绝缘基板;

经过将所述表面处理铜箔与所述绝缘基板积层的步骤形成覆铜积层板、或经过将所述附载体铜箔与所述绝缘基板积层后剥离所述附载体铜箔的载体的步骤形成覆铜积层板;及

其后,利用半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法形成电路。

本发明在进而另一观点中,是一种印刷配线板的制造方法,包括如下步骤:

在本发明的表面处理铜箔的所述表面处理层侧表面形成电路、或在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路;

以埋没所述电路的方式,在所述表面处理铜箔的所述表面处理层侧表面、或所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层;及

通过在形成所述树脂层后去除所述表面处理铜箔,或通过在剥离所述载体或所述极薄铜层后去除所述极薄铜层或所述载体,使埋没于所述树脂层中的电路露出。

本发明在进而另一观点中,是一种印刷配线板的制造方法,包括如下步骤:

将本发明的附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与树脂基板积层;

在所述附载体铜箔的与树脂基板积层一侧的相反侧表面,至少设置一次树脂层与电路这两层;及

在形成所述树脂层及电路这两层后,从所述附载体铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层。

本发明在进而另一观点中,是一种印刷配线板的制造方法,包括如下步骤:

在本发明的积层体的任一面或两面进行至少一次设置树脂层与电路这两层;及

在形成所述树脂层及电路这两层后,从构成所述积层体的附载体铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层。

本发明在进而另一观点中,是一种电子机器的制造方法,使用印刷配线板,所述印刷配线板为利用本发明的方法制成。

[发明的效果]

根据本发明,能够提供一种表面处理铜箔,即便用于高频电路基板也能够很好地减少传输损耗,且在与树脂积层并以指定温度及指定时间(180℃下10天)加热后,表面处理铜箔与树脂的剥离强度(ピール強度)良好。

附图说明

图1中的A~C是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法的具体例中,到镀覆电路、去除阻剂为止的步骤中的配线板剖视示意图。

图2中的D~F是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法的具体例中,从积层树脂及第二层附载体铜箔到激光开孔为止的步骤中的配线板剖视示意图。

图3中的G~I是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法的具体例中,从形成通孔填料到剥离第一层载体为止的步骤中的配线板剖视示意图。

图4中的J~K是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法的具体例中,从快速蚀刻到形成凸块、铜柱为止的步骤中的配线板剖视示意图。

具体实施方式

<表面处理铜箔>

本发明的表面处理铜箔具有铜箔、及且在铜箔的一面或两面的表面处理层。能够在将本发明的表面处理铜箔贴合于绝缘基板后,将表面处理铜箔蚀刻为目标导体图案,最终制造印刷配线板。本发明的表面处理铜箔也可以用作高频电路基板用表面处理铜箔。这里,高频电路基板是指使用该电路基板的电路所传输的信号的频率为1GHz以上的电路基板。另外,所述信号的频率优选3GHz以上,更优选5GHz以上,更优选8GHz以上,更优选10GHz以上,更优选15GHz以上,更优选18GHz以上,更优选20GHz以上,更优选30GHz以上,更优选38GHz以上,更优选40GHz以上。

<铜箔>

能够用于本发明的铜箔的形态没有特别限定,在本发明中使用的铜箔典型可以是电解铜箔或压延铜箔的任一种。通常,电解铜箔是使铜从硫酸铜镀浴电解析出到钛或不锈钢的鼓上制造的,压延铜箔是反复进行利用压延辊的塑性加工与热处理制造的。要求弯曲性的用途多使用压延铜箔。

作为铜箔材料,除了通常用作印刷配线板的导体图案的精铜(JIS H3100合金编号C1100)或无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS H3510合金编号C1011)或磷脱氧铜(JIS H3100合金编号C1201、C1220或C1221)或电解铜等高纯度的铜以外,例如也可以使用添加Sn的铜、添加Ag的铜、添加Cr、Fe、P、Ti、Sn、Zn、Mn、Mo、Co、Ni、Si、Zr、及/或Mg等的铜合金、添加Ni及Si等的科森系铜合金之类的铜合金。另外,也可以使用具有公知组成的铜箔及铜合金箔。此外,本说明书中,当单独使用用语“铜箔”时,也包括铜合金箔。

此外,铜箔的板厚无须特别限定,例如为1~1000μm,或为1~500μm,或为1~300μm,或为3~100μm,或为5~70μm,或为6~35μm,或为9~18μm。

另外,本发明在另一观点中,是一种附载体铜箔,在载体的一面或两面依次具有中间层及极薄铜层,且极薄铜层为本发明的表面处理铜箔。在本发明中,在使用附载体铜箔的情况下,在极薄铜层表面设置以下粗化处理层等表面处理层。此外,将在下文对附载体铜箔的另一实施方式进行叙述。

<表面处理层>

表面处理层具有一次粒子层,或从铜箔侧起依次具有一次粒子层及二次粒子层。一次粒子层及二次粒子层是由电镀层形成的。该二次粒子的特征为:其是成长于所述一次粒子上的1个或多个粒子。或二次粒子层为成长于所述一次粒子上的正常镀层。二次粒子也可以具有树枝状的形状。即,在本说明书中,在使用用语“二次粒子层”的情况下,也包括被覆镀层等正常镀覆层。另外,二次粒子层可以具有一层以上由粗化粒子形成的层,可以具有一层以上正常镀覆层,也可以分别具有一层以上由粗化粒子形成的层与正常镀覆层。此外,表面处理层也可以具有一次粒子层或二次粒子层以外的一层或多层其它层。

此外,一次粒子层为:直接形成在铜箔上的粗化粒子;及重叠在该粗化粒子上的粗化粒子,组成与直接形成在铜箔上的粗化粒子相同,或具有与直接形成在铜箔上的粗化粒子所含有的元素相同的元素。二次粒子层为:形成在一次粒子层所含的粗化粒子上的粗化粒子,组成与形成一次粒子层的粗化粒子不同,或含有形成一次粒子层的粗化粒子所不含的元素。

另外,在无法测定构成所述一次粒子及/或二次粒子的元素的有无、及/或该元素的浓度或附着量的情况下,关于一次粒子及二次粒子,例如在通过扫描式电子显微镜照片来进行观察时,可以将看上去重叠且存在于铜箔侧(下方)的粒子、及不重叠的粒子设为一次粒子,将看上去重叠且存在于其它粒子上的粒子判定为二次粒子。

本发明的表面处理铜箔在一观点中,表面处理层含有Zn,且表面处理层中Zn的附着量为150μg/dm2以上。如果Zn的附着量小于150μg/dm2,那么担心在用作高频电路基板用表面处理铜箔时耐热性不良。该Zn的附着量优选155μg/dm2以上,优选165μg/dm2以上,优选180μg/dm2以上,优选200μg/dm2以上,优选250μg/dm2以上,优选270μg/dm2以上,优选280μg/dm2以上,进而更优选290μg/dm2以上。该Zn的附着量的上限无须特别设置,典型例如为50000μg/dm2以下,例如为30000μg/dm2以下,例如为10000μg/dm2以下,例如为5000μg/dm2以下,例如为3000μg/dm2以下,例如为2000μg/dm2以下,例如为1000μg/dm2以下。

此外,在本发明中,虽然规定了表面处理层中的Zn、Ni、Co、Mo等元素的附着量,但这些是在表面处理层存在于铜箔的两面的情况下对于一面的表面处理层的规定,并非形成在两面的表面处理层所含有的元素(例如Zn等)的合计值。

本发明的表面处理铜箔在另一观点中,表面处理层含有Zn及Mo,且表面处理层中Zn及Mo的合计附着量为200μg/dm2以上。如果Zn及Mo的合计附着量小于200μg/dm2,那么担心在用作高频电路基板用表面处理铜箔时耐热性不良。该Zn及Mo的合计附着量优选250μg/dm2以上,更优选300μg/dm2以上,更优选340μg/dm2以上,更优选360μg/dm2以上,更优选400μg/dm2以上,更优选420μg/dm2以上,更优选450μg/dm2以上,更优选460μg/dm2以上,更优选500μg/dm2以上。该Zn及Mo的合计附着量的上限无须特别设置,典型例如为100000μg/dm2以下,例如为50000μg/dm2以下,例如为30000μg/dm2以下,例如为10000μg/dm2以下,例如为8000μg/dm2以下,例如为5000μg/dm2以下,例如为3000μg/dm2以下,例如为1000μg/dm2以下。

本发明的表面处理铜箔的表面处理层不含Co,或在表面处理层含有Co的情况下表面处理层中Co的附着量为3000μg/dm2以下。如果该Co的附着量超过3000μg/dm2,那么担心会产生高频传输特性变差的问题。该Co的附着量更优选2900μg/dm2以下,更优选2800μg/dm2以下,更优选2790μg/dm2以下,更优选2700μg/dm2以下,更优选2500μg/dm2以下,进而更优选1500μg/dm2以下,进而更优选1000μg/dm2以下。此外,在表面处理层含有Co的情况下,表面处理层中Co的附着量的下限无须特别限定,Co的附着量典型例如大于0μg/dm2,例如为0.10μg/dm2以上,例如为1μg/dm2以上,例如为2μg/dm2以上,例如为3μg/dm2以上,例如为4μg/dm2以上,例如为5μg/dm2以上,例如为10μg/dm2以上,例如为15μg/dm2以上,例如为20μg/dm2以上。此外,在表面处理层含有Co的情况下,有时与不含Co的情况相比产生使表面处理铜箔的耐候性提升的效果。

本发明的表面处理铜箔的表面处理层不含Ni,或在表面处理层含有Ni的情况下表面处理层中Ni的附着量为800μg/dm2以下。如果该Ni的附着量超过800μg/dm2,那么担心会产生高频传输特性变差的问题。该Ni的附着量更优选750μg/dm2以下,进而更优选600μg/dm2以下,进而更优选400μg/dm2以下,进而更优选250μm/dm2以下。此外,在表面处理层含有Ni的情况下,表面处理层中Ni的附着量的下限无须特别限定,Ni的附着量典型例如大于0μg/dm2,例如为0.10μg/dm2以上,例如为1μg/dm2以上,例如为2μg/dm2以上,例如为3μg/dm2以上,例如为4μg/dm2以上,例如为5μg/dm2以上,例如为10μg/dm2以上,例如为15μg/dm2以上,例如为20μg/dm2以上。此外,在表面处理层含有Ni的情况下,有时与不含Ni的情况相比产生使表面处理铜箔的耐化学品性提升的效果。

本发明的表面处理铜箔的表面处理层进而含有Co及Ni,表面处理层中Co及Ni的合计附着量优选3500μg/dm2以下。如果该Co及Ni的合计附着量超过3500μg/dm2,那么担心会产生高频传输特性变差的问题。该Co及Ni的合计附着量更优选3100μg/dm2以下,进而更优选1900μg/dm2以下,进而更优选1400μg/dm2以下。此外,在表面处理层含有Co及Ni的情况下,表面处理层中Co及Ni的合计附着量的下限无须特别限定,Co及Ni的合计附着量典型例如大于0μg/dm2,例如为0.10μg/dm2以上,例如为1μg/dm2以上,例如为2μg/dm2以上,例如为3μg/dm2以上,例如为4μg/dm2以上,例如为5μg/dm2以上,例如为10μg/dm2以上,例如为15μg/dm2以上,例如为20μg/dm2以上,例如为30μg/dm2以上,例如为40μg/dm2以上,例如为50μg/dm2以上,例如为60μg/dm2以上,例如为70μg/dm2以上。此外,在表面处理层含有Co及Ni的情况下,有时与不含Co及Ni的情况相比产生使表面处理铜箔的耐化学品性及耐候性提升的效果。

此外,通过提高形成表面处理层时所使用的表面处理液中的该元素的浓度,及/或在表面处理为镀覆的情况下提高电流密度,及/或延长表面处理时间(进行镀覆时的通电时间)等,能够增多表面处理层所含有的元素的附着量。另外,通过降低形成表面处理层时所使用的表面处理液中的该元素的浓度,及/或在表面处理为镀覆的情况下降低电流密度,及/或缩短表面处理时间(进行镀覆时的通电时间)等,能够减少表面处理层所含有的元素的附着量。

本发明的表面处理铜箔的表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以下。如果表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz超过1.5μm,那么担心会产生高频传输特性变差的问题。表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz更优选1.3μm以下,进而更优选1.1μm以下,进而更优选1.0μm以下,进而更优选0.9μm以下。在由通过表面处理所形成的多个层来形成表面处理层的情况下,“表面处理层最表面”是指该多个层的最外侧(最表面)的层的表面。而且,对该多个层的最外侧(最表面)的层的表面测定十点平均粗糙度Rz。表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz的下限无须特别限定,典型例如为0.01μm以上,例如为0.05μm以上,例如为0.1μm以上。

本发明的表面处理铜箔的表面处理层也可以在一次粒子层或二次粒子层上,从所述铜箔侧起依次具有:

(A)由Ni与选自由Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti所组成的群中的一种以上元素所构成的合金层、及

(B)铬酸盐处理层

中的任一层或两层。

另外,本发明的表面处理铜箔的表面处理层也可以在一次粒子层或二次粒子层上,从铜箔侧起依次具有:

(A)由Ni与选自由Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti所组成的群中的一种以上元素所构成的合金层、及

(B)铬酸盐处理层

中的任一层或两层、以及硅烷偶联处理层。

另外,本发明的表面处理铜箔的表面处理层也可以在一次粒子层或二次粒子层上,从铜箔侧起依次具有Ni-Zn合金层及铬酸盐处理层中的任一层或两层。

另外,本发明的表面处理铜箔的表面处理层也可以在一次粒子层或二次粒子层上,从铜箔侧起依次具有Ni-Zn合金层及铬酸盐处理层中的任一层或两层、以及硅烷偶联处理层。

此外,所述Ni-Zn合金层是指含有Ni与Zn的合金层。Ni-Zn合金层可以是Ni与Zn的合计浓度为80原子%以上的层。Ni与Zn的合计浓度可以通过使用XPS等进行深度方向的Ni与Zn的原子浓度分析,对所得的Ni原子浓度与Zn原子浓度进行合计来测定。Ni-Zn合金层也可以是仅由Ni与Zn所构成的层。

本发明的表面处理铜箔在准备该表面处理铜箔与树脂,将表面处理铜箔从表面处理层侧与该树脂积层,并对该表面处理铜箔进行蚀刻而制作10mm宽的电路后,从该树脂向90°方向剥离该电路时,剥离强度能够达成0.5kg/cm以上,剥离强度能够进而达成0.7kg/cm以上。

另外,本发明的表面处理铜箔在准备该表面处理铜箔与树脂,将表面处理铜箔从表面处理层侧与该树脂积层,对该表面处理铜箔进行蚀刻而制作10mm宽的电路,并在大气下以180℃对该电路加热10天后,从该树脂向90°方向剥离该电路时,剥离强度能够达成0.4kg/cm以上,剥离强度能够进而达成0.5kg/cm以上。

此外,所述树脂及所述积层的条件为以下(1)~(3)的任一项、两项或三项。即,优选基于以下(1)~(3)的条件的任一项所获得的剥离强度为所述范围内。

(1)树脂:羟基苯甲酸与羟基萘甲酸的共聚物,为液晶聚合物树脂,厚度50μm

积层的条件:压力3.5MPa,加热温度300℃,加热时间10分钟

(2)树脂:低介电聚酰亚胺树脂,厚度50μm

积层的条件:压力4MPa,加热温度300℃,加热时间10分钟

(3)树脂:聚四氟乙烯,厚度50μm

<传输损耗>

在传输损耗小的情况下,以高频进行信号传输时,信号的衰减得以抑制,所以在以高频进行信号传输的电路中,能够进行稳定的信号传输。因此,传输损耗值小则适合用于以高频进行信号传输的电路用途,所以优选。将表面处理铜箔与市售的液晶聚合物树脂(Kuraray股份有限公司制造的Vecstar CTZ-厚度50μm,羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的树脂)贴合后,通过蚀刻以特性阻抗成为50Ω的方式形成微带电路,使用HP公司制造的网络分析仪HP8720C测定透过系数,求出频率20GHz及频率40GHz下的传输损耗,此时频率20GHz下的传输损耗优选小于5.0dB/10cm,更优选小于4.1dB/10cm,进而更优选小于3.7dB/10cm。

<附载体铜箔>

本发明的另一实施方式的附载体铜箔在载体的一面或两面依次具有中间层及极薄铜层。而且,所述极薄铜层是所述本发明的一个实施方式的表面处理铜箔。

<载体>

能够用于本发明的载体典型为金属箔或树脂膜,例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟树脂膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚丙烯(PP)膜、聚酰胺膜、聚酰胺酰亚胺膜的形态提供。

能够用于本发明的载体典型以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。通常,电解铜箔是使铜从硫酸铜镀浴电解析出到钛或不锈钢的鼓上制造的,压延铜箔是反复进行利用压延辊的塑性加工与热处理制造的。作为铜箔的材料,除了可以使用精铜(JIS H3100合金编号C1100)或无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS H3510合金编号C1011)或磷脱氧铜或电解铜等高纯度的铜以外,例如也可以使用添加Sn的铜、添加Ag的铜、添加Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加Ni及Si等的科森系铜合金之类的铜合金。另外,也可以使用公知的铜合金。此外,在本说明书中,当单独使用用语“铜箔”时,也包括铜合金箔。

对于能够用于本发明的载体的厚度也没有特别限制,只要实现作为载体的作用并适当调节为合适的厚度即可,例如可设为5μm以上。但是,如果过厚,那么生产成本会变高,所以一般来说优选设为35μm以下。因此,载体的厚度典型为8~70μm,更典型为12~70μm,更典型为18~35μm。另外,就减少原料成本的观点来说,优选载体的厚度较小。因此,载体的厚度典型为5μm以上且35μm以下,优选5μm以上且18μm以下,优选5μm以上且12μm以下,优选5μm以上且11μm以下,优选5μm以上且10μm以下。此外,在载体的厚度较小的情况下,在载体送箔时容易产生折叠皱褶。为了防止产生折叠皱褶,例如有效的是使附载体铜箔制造装置的搬送辊平滑或缩短搬送辊与下一搬送辊的距离。此外,在将附载体铜箔用于作为印刷配线板制造方法之一的埋设工法(埋入法(Enbedded Process))的情况下,需要载体的刚性高。因此,在用于埋设工法的情况下,载体的厚度优选18μm以上且300μm以下,优选25μm以上且150μm以下,优选35μm以上且100μm以下,更优选35μm以上且70μm以下。

此外,也可以在载体的与设置极薄铜层一侧的表面为相反侧的表面设置一次粒子层及二次粒子层。在载体的与设置极薄铜层一侧的表面为相反侧的表面设置一次粒子层及二次粒子层具有如下优点:当将载体从具有该一次粒子层及二次粒子层的表面侧积层于树脂基板等支撑体时,载体与树脂基板不易剥离。

以下,表示将电解铜箔用作载体的情况下的制造条件的一例。

<电解液组成>

铜:90~110g/L

硫酸:90~110g/L

氯:50~100ppm

均化剂1(双(3-磺丙基)二硫醚):10~30ppm

均化剂2(胺化合物):10~30ppm

所述胺化合物可以使用以下化学式的胺化合物。

此外,用于本发明的电解、表面处理或镀覆等所使用的处理液的其余部分只要没有特别说明均为水。

[化1]

(所述化学式中,R1及R2选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的群)

<制造条件>

电流密度:70~100A/dm2

电解液温度:50~60℃

电解液线速度:3~5m/sec

电解时间:0.5~10分钟

<中间层>

在载体上设置中间层。也可以在载体与中间层之间设置其它层。本发明所使用的中间层只要构成为在附载体铜箔向绝缘基板积层的步骤前极薄铜层不易从载体剥离,另一方面,在向绝缘基板积层的步骤后极薄铜层能够从载体剥离,就没有特别限定。例如,本发明的附载体铜箔的中间层也可以含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物所组成的群中的一种或两种以上。另外,中间层也可以是多层。

另外,例如,中间层能够由如下方式构成:从载体侧形成单一金属层,其由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种元素所构成;或合金层,其由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或两种以上的元素所构成;并在其上形成如下层,由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或两种以上的元素的水合物或氧化物、或有机物所构成;或单一金属层,其由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种元素所构成;或合金层,其由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或两种以上的元素所构成。

在将中间层仅设置在单面的情况下,优选在载体的相反面设置Ni镀覆层等防锈层。此外,在利用铬酸盐处理、铬酸锌处理或镀覆处理来设置中间层的情况下,认为存在铬或锌等附着金属的一部分成为水合物或氧化物的情况。

另外,例如中间层可以在载体上依次积层镍、镍-磷合金或镍-钴合金与铬来构成。因为镍与铜的接着力高于铬与铜的接着力,所以在剥离极薄铜层时,在极薄铜层与铬的界面产生剥离。另外,对于中间层的镍期待防止铜成分从载体向极薄铜层扩散的阻挡效果。中间层中的镍的附着量优选100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下,更优选100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下,更优选100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下,更优选100μg/dm2以上且小于1000μg/dm2,中间层中的铬的附着量优选5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。

<极薄铜层>

在中间层上设置极薄铜层。也可以在中间层与极薄铜层之间设置其它层。极薄铜层可以通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰化铜等的电解浴进行电镀来形成,因为硫酸铜浴用于一般的电解铜箔,且能够以高电流密度形成铜箔,所以优选。极薄铜层的厚度没有特别限制,通常比载体薄,例如为12μm以下。典型为0.5~12μm,更典型为1~5μm,进而更典型为1.5~5μm,进而更典型为2~5μm。此外,也可以在载体的两面设置极薄铜层。

<一次粒子层、二次粒子层的形成条件>

在表面处理铜箔的情况下,在铜箔上形成一次粒子层,或依次形成一次粒子层及二次粒子层,另外,在附载体铜箔的情况下,在极薄铜层上形成一次粒子层,或依次形成一次粒子层及二次粒子层。以下表示一次粒子层、二次粒子层的形成条件,但这只表示适当的示例,只要与所使用的树脂的密接强度充分,例如初始剥离为0.5kg/cm以上的范围,那么下述所示以外的镀覆条件也无妨。本发明包括这些条件。

·一次粒子层

在利用一次粒子镀覆液(I)进行处理后,利用一次粒子镀覆液(II)进行处理的情况下,可在以下条件下形成一次粒子层。

(利用一次粒子镀覆液(I)的处理)

<电解液组成>

铜:5~10g/L

硫酸:70~80g/L

<制造条件>

电流密度:50~55A/dm2

电解液温度:35℃

电解时间:0.5~1.6秒

(利用一次粒子镀覆液(II)的处理)

<电解液组成>

铜:20~50g/L

硫酸:60~100g/L

<制造条件>

电流密度:4~10A/dm2

电解液温度:35~45℃

电解时间:1.4~2.5秒

在仅通过利用一次粒子镀覆液(I)进行处理来形成一次粒子层的情况下,可以在以下利用一次粒子镀覆液(I)的处理1、或利用一次粒子镀覆液(I)的处理2所记载的条件下实施。

(利用一次粒子镀覆液(I)的处理1)

<电解液组成>

铜:10~45g/L

钴:5~30g/L

镍:5~30g/L

pH值:2.8~3.2

<制造条件>

电流密度:30~45A/dm2

电解液温度:30~40℃

电解时间:0.3~0.8秒

(利用一次粒子镀覆液(I)的处理2)

<电解液组成>

铜:5~15g/L

镍:3~30g/L

pH值:2.6~3.0

<制造条件>

电流密度:50~70A/dm2

电解液温度:30~40℃

电解时间:0.3~0.9秒

·二次粒子层

在形成二次粒子层的情况下,可以通过以下利用二次粒子镀覆液(I)或二次粒子镀覆液(II)的处理来实施。

(利用二次粒子镀覆液(I)的处理)

<电解液组成>

铜:10~15g/L

钴:5~15g/L

镍:5~15g/L

pH值:2.8~3.2

<制造条件>

电流密度:30~35A/dm2

电解液温度:33~37℃

电解时间:0.5~1.0秒

(利用二次粒子镀覆液(II)的处理)

<电解液组成>

铜:5~12g/L

镍:2~11g/L

pH值:2.8

<制造条件>

电流密度:55~65A/dm2

电解液温度:35~40℃

电解时间:0.3~0.9秒

<被覆镀覆>

在一次粒子层上,或者,在形成着二次粒子层的情况下在二次粒子层上进行被覆镀覆。通过被覆镀覆所形成的层例如可列举:Zn-Cr合金层、Ni-Mo合金层、Zn层、Co-Mo合金层、Co-Ni合金层、Ni-W合金层、Ni-P合金层、Ni-Fe合金层、Ni-Al合金层、Co-Zn合金层、Co-P合金层、Zn-Co合金层、Ni层、Co层、Cr层、Al层、Sn层、Sn-Ni层、Ni-Sn层或Zn-Ni合金层等之类的由选自由Zn、Cr、Ni、Fe、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As、Ti、Mo及Co等所组成的群中的一种元素所构成的金属层、或含有选自由Zn、Cr、Ni、Fe、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As、Ti、Mo及Co所组成的群中的两种或三种以上的合金层、或由选自所述元素群中的两种或三种以上元素所构成的合金层。

被覆镀覆能够通过利用以下被覆镀覆液等进行处理,或通过组合这些处理来实施。另外,无法通过湿式镀覆设置的金属层、及/或合金层可通过溅镀、物理蒸镀(PVD)、化学蒸镀(CVD)等干式镀覆法来设置。

·利用被覆镀覆液的处理(1)Zn-Cr

液体组成:重铬酸钾1~1g/L、Zn0.1~5g/L

液温:40~60℃

pH值:0.5~10

电流密度:0.01~2.6A/dm2

通电时间:0.05~30秒

·利用被覆镀覆液的处理(2)Ni-Mo

液体组成:硫酸镍270~280g/L、氯化镍35~45g/L、乙酸镍10~20g/L、钼酸钠1~60g/L、柠檬酸三钠10~50g/L、十二烷基硫酸钠50~90ppm

液温:20~65℃

pH值:4~12

电流密度:0.5~5A/dm2

通电时间:0.1~5秒

·利用被覆镀覆液的处理(3)Zn

液体组成:Zn1~15g/L

液温:25~50℃

pH值:2~6

电流密度:0.5~5A/dm2

通电时间:0.01~0.3秒

·利用被覆镀覆液的处理(4)Co-Mo

液体组成:Co1~20g/L、钼酸钠1~60g/L、柠檬酸钠10~110g/L

液温:25~50℃

pH值:5~7

电流密度:1~4A/dm2

通电时间:0.1~5秒

·利用被覆镀覆液的处理(5)Co-Ni

液体组成:Co1~20g/L、N1~20g/L

液温:30~80℃

pH值:1.5~3.5

电流密度:1~20A/dm2

通电时间:0.1~4秒

·利用被覆镀覆液的处理(6)Zn-Ni

液体组成:Zn1~30g/L、N1~30g/L

液温:40~50℃

pH值:2~5

电流密度:0.5~5A/dm2

通电时间:0.01~0.3秒

·利用被覆镀覆液的处理(7)Ni-W

液体组成:Ni1~30g/L、W1~300mg/L

液温:30~50℃

pH值:2~5

电流密度:0.1~5A/dm2

通电时间:0.01~0.3秒

·利用被覆镀覆液的处理(8)Ni-P

液体组成:Ni1~30g/L、P1~10g/L

液温:30~50℃

pH值:2~5

电流密度:0.1~5A/dm2

通电时间:0.01~0.3秒

<其它表面处理>

也可以在被覆镀覆后,进而在其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。也就是说,也可以在一次粒子层或二次粒子层的表面形成选自耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。此外,所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层也可以分别由多个层形成(例如两层以上、三层以上等)。

在本说明书中,铬酸盐处理层是指利用包含铬酸酐、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的液体处理过的层。铬酸盐处理层也可以包含Co、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Sn、As及Ti等元素(可以是金属、合金、氧化物、氮化物、硫醚等任何形态)。作为铬酸盐处理层的具体例,可列举利用铬酸酐或二铬酸钾水溶液处理过的铬酸盐处理层或利用包含铬酸酐或二铬酸钾及锌的处理液处理过的铬酸盐处理层等。

作为耐热层、防锈层,可以使用公知的耐热层、防锈层。例如,耐热层及/或防锈层可以是含有选自镍、锌、錫、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素的层,也可以是由选自镍、锌、錫、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素所构成的金属层或合金层。另外,耐热层及/或防锈层也可以具有含有所述元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外,耐热层及/或防锈层也可以是含镍-锌合金的层。另外,耐热层及/或防锈层也可以是镍-锌合金层。所述镍-锌合金层也可以除不可避免的杂质以外,含有镍50wt%~99wt%,锌50wt%~1wt%。所述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量也可以是5~1000mg/m2,优选10~500mg/m2,优选20~100mg/m2。另外,所述含有镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量与锌的附着量的比(=镍的附着量/锌的附着量)优选1.5~10。另外,所述含有镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量优选0.5mg/m2~500mg/m2,更优选1mg/m2~50mg/m2。在耐热层及/或防锈层为含有镍-锌合金的层的情况下,当通孔或导孔等的内壁部与去钻污液接触时,铜箔与树脂基板的界面不易被去钻污液侵蚀,铜箔与树脂基板的密接性提升。

例如耐热层及/或防锈层是依次积层附着量为1mg/m2~100mg/m2、优选5mg/m2~50mg/m2的镍或镍合金层、与附着量为1mg/m2~80mg/m2、优选5mg/m2~40mg/m2的锡层而成,所述镍合金层也可以由镍-钼合金、镍-锌合金、镍-钼-钴合金、镍-锡合金的任一种所构成。

硅烷偶联处理层既可以使用公知的硅烷偶联剂来形成,也可以使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷、乙烯系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶联剂等来形成。此外,这种硅烷偶联剂也可以混合两种以上使用。其中,优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂来形成。

另外,能够对铜箔、极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶联处理层或铬酸盐处理层的表面进行公知的表面处理。

本发明的表面处理层也可以含有利用所述表面处理所形成的层。例如本发明的表面处理层可以含有一层或多层所述被覆镀覆层、及/或金属层、及/或合金层、及/或耐热层、及/或防锈层、及/或铬酸盐处理层、及/或硅烷偶联处理层、及/或粗化处理层。

如上所述制造表面处理铜箔、及/或具备载体、积层在载体上的中间层、及积层在中间层上的极薄铜层的附载体铜箔。表面处理铜箔、及/或附载体铜箔本身的使用方法对业者而言是众所周知的,例如能够将表面处理铜箔、及/或极薄铜层的表面贴合于纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物、氟树脂、聚酰胺树脂、低介电聚酰亚胺膜等绝缘基板,(在附载体铜箔的情况下,于热压接后剥离载体)制成覆铜积层板,将接着在绝缘基板的表面处理铜箔、及/或极薄铜层蚀刻为目标导体图案,最终制造印刷配线板。

<树脂层>

本发明的表面处理铜箔也可以在表面处理层的表面具备树脂层。另外,也可以在由Ni与选自由Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti所组成的群中的一种以上元素所构成的合金层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层、或Ni-Zn合金层的表面具备树脂层。树脂层更优选形成在表面处理铜箔的最表面。

本发明的附载体铜箔也可以在一次粒子层或二次粒子层上、在耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、或硅烷偶联处理层上具备树脂层。

所述树脂层可以是接着剂,也可以是接着用半硬化状态(B阶段)的绝缘树脂层。半硬化状态(B阶段)包括如下状态:用手指触碰其表面也没有粘着感,能够将该绝缘树脂层重叠保管,进而当受到加热处理时发生硬化反应。

另外,所述树脂层既可以含有热硬化性树脂,也可以是热塑性树脂。另外,所述树脂层也可以含有热塑性树脂。其种类没有特别限定,作为优选的树脂,例如可列举含有选自环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚马来酰亚胺化合物、马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、氨基甲酸酯树脂、聚醚砜(也称为polyethersulphone)、聚醚砜(polyethersulphone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、羧酸的酐、多元羧酸的酐、具有能够交联的官能基的线性聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸基苯基)丙烷、含有磷的酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、磷腈系树脂、橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧基树脂、高分子环氧、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂的群中的一种以上的树脂。

另外,所述环氧树脂只要在分子内具有两个以上的环氧基,且可用于电气、电子材料用途,那么就能够没有特别问题地使用。另外,所述环氧树脂优选使用分子内具有两个以上缩水甘油基的化合物加以环氧化而成的环氧树脂。另外,能够混合选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、甲酚酚醛型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(臭素化)环氧树脂、苯酚酚醛型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、三缩水甘油基异三聚氰酸酯、N,N-二缩水甘油苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含有磷的环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群中的一种或两种以上使用,或者能够使用所述环氧树脂的氢化物或卤化物。

作为所述含有磷的环氧树脂,可以使用公知的含有磷的环氧树脂。另外,所述含有磷的环氧树脂例如优选以分子内具备两个以上环氧基的来自9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物的形式获得的环氧树脂。

所述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体(可以使用含有无机化合物及/或有机化合物的介电体、含有金属氧化物的介电体等任意介电体)、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等。另外,所述树脂层也可以使用公知的形成方法、形成装置来形成。

将所述这些树脂溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶剂中而制成树脂液,通过例如辊式涂布机法等将其涂布在所述表面处理铜箔上、及/或所述极薄铜层上、或所述含有耐热层、防锈层、或所述铬酸盐皮膜层、或所述硅烷偶联剂层等在内的表面处理层上,接下来,视需要进行加热干燥,去除溶剂而设为B阶段状态。干燥例如使用热风干燥炉即可,干燥温度为100~250℃,优选130~200℃下即可。

具备所述树脂层的表面处理铜箔、及/或附载体铜箔(附树脂的附载体铜箔)是以如下形态使用:将该树脂层重叠于基材后,对整体进行热压接使该树脂层热硬化,接下来,在为附载体铜箔时,剥离载体而使极薄铜层露出(当然,露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面),在表面处理铜箔或极薄铜层形成指定配线图案。

如果使用该附树脂的表面处理铜箔、及/或附载体铜箔,那么能够减少制造多层印刷配线基板时预浸料材的使用片数。而且,能够使树脂层的厚度成为能够确保层间绝缘的厚度,或即便完全不使用预浸料材也能够制造覆铜积层板。另外,这时也可以在基材的表面底涂绝缘树脂来进一步改善表面的平滑性。

此外,在不使用预浸料材时,有如下优点:节约了预浸料材的材料成本,另外,积层步骤也变得简略,因此经济上有利,而且,使所制造的多层印刷配线基板的厚度减薄了预浸料材的厚度,能够制造一层的厚度为100μm以下的极薄多层印刷配线基板。

该树脂层的厚度优选0.1~80μm。如果树脂层的厚度小于0.1μm,那么接着力会降低,在不介置预浸料材而将该附树脂的附载体铜箔积层于具备内层材的基材时,存在难以确保与内层材的电路间的层间绝缘的情况。

另一方面,如果使树脂层的厚度大于80μm,那么难以通过一次涂布步骤来形成目标厚度的树脂层,会花费多余的材料费与工时,因此经济上不利。进而,所形成的树脂层的柔性较差,因此在处理时容易产生裂痕等,另外,存在当与内层材热压接时发生过剩的树脂流动而难以顺利地进行积层的情况。

进而,作为附树脂的附载体铜箔的另一个制品形态,也可以在所述极薄铜层所具有的表面处理层上、或所述耐热层、防锈层、或所述铬酸盐处理层、或所述硅烷偶联处理层上利用树脂层进行被覆,制成半硬化状态后,接下来,将载体剥离,从而以不存在载体的附树脂的铜箔的形态制造。

通过在印刷配线板搭载电子零件类,从而完成了印刷电路板。在本发明中,“印刷配线板”也包括像这样搭载了电子零件类的印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。

另外,既可以使用该印刷配线板来制作电子机器,又可以使用该搭载了电子零件类的印刷电路板来制作电子机器,也可以使用该搭载了电子零件类的印刷基板来制作电子机器。以下,表示若干个使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的示例。此外,将本发明的表面处理铜箔用作附载体铜箔的极薄铜层也能够同样地制造印刷配线板。

在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中,包括如下步骤:准备本发明的附载体铜箔(以下,也可以将“附载体铜箔”及“极薄铜层”替换为表面处理铜箔,而且将“极薄铜层侧”替换为“表面处理层侧”制造印刷配线板;在像这样替换的情况下,也可以不记载载体而制造印刷配线板)与绝缘基板;将所述附载体铜箔与绝缘基板积层;将所述附载体铜箔与绝缘基板以使极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式积层后,经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤来形成覆铜积层板,其后利用半加成法、改良半加成法、部分加成法及减成法的任一种方法来形成电路。绝缘基板也可以是设有内层电路的绝缘基板。

在本发明中,半加成法是指在绝缘基板或铜箔晶种层上进行薄无电解镀覆,形成图案后,使用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。

因此,在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中,包括如下步骤:

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后,剥离所述附载体铜箔的载体;

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法,将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除;

在通过利用蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去钻污处理;

对所述树脂及包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层;

在所述无电解镀覆层上设置镀覆阻剂;

对所述镀覆阻剂进行曝光,其后,去除要形成电路的区域的镀覆阻剂;

在已去除所述镀覆阻剂的所述要形成电路的区域设置电解镀覆层;

去除所述镀覆阻剂;及

通过快速蚀刻(フラッシュエッチング)等去除所述要形成电路的区域以外的区域中存在的无电解镀覆层。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中,包括如下步骤:

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后,剥离所述附载体铜箔的载体;

在剥离所述载体而露出的极薄铜层与所述绝缘树脂基板设置通孔或/及盲孔;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去钻污处理;

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法,将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除;

对通过利用蚀刻等去除所述极薄铜层而露出的所述树脂及包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层;

在所述无电解镀覆层上设置镀覆阻剂;

对所述镀覆阻剂进行曝光,其后,去除要形成电路的区域的镀覆阻剂;

在已去除所述镀覆阻剂的所述要形成电路的区域设置电解镀覆层;

去除所述镀覆阻剂;及

通过快速蚀刻等去除所述要形成电路的区域以外的区域中存在的无电解镀覆层。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中,包括如下步骤:

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后,剥离所述附载体铜箔的载体;

在剥离所述载体而露出的极薄铜层与所述绝缘树脂基板设置通孔或/及盲孔;

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法,将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去钻污处理;

对通过利用蚀刻等去除所述极薄铜层而露出的所述树脂及包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层;

在所述无电解镀覆层上设置镀覆阻剂;

对所述镀覆阻剂进行曝光,其后,去除要形成电路的区域的镀覆阻剂;

在已去除所述镀覆阻剂的所述要形成电路的区域设置电解镀覆层;

去除所述镀覆阻剂;及

通过快速蚀刻等去除所述要形成电路的区域以外的区域中存在的无电解镀覆层。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中,包括如下步骤:

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后,剥离所述附载体铜箔的载体;

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法,将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除;

对通过利用蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂的表面设置无电解镀覆层;

在所述无电解镀覆层上设置镀覆阻剂;

对所述镀覆阻剂进行曝光,其后,去除要形成电路的区域的镀覆阻剂;

在已去除所述镀覆阻剂的所述要形成电路的区域设置电解镀覆层;

去除所述镀覆阻剂;及

通过快速蚀刻等去除所述要形成电路的区域以外的区域中存在的无电解镀覆层及极薄铜层。

在本发明中,改良半加成法是指如下方法:在绝缘层上积层金属箔,利用镀覆阻剂来保护非电路形成部,通过电解镀覆在电路形成部赋予铜厚后,去除阻剂,通过(快速)蚀刻去除所述电路形成部以外的金属箔,由此在绝缘层上形成电路。

因此,在使用改良半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中,包括如下步骤:

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后,剥离所述附载体铜箔的载体;

在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去钻污处理;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层;

在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置镀覆阻剂;

设置所述镀覆阻剂后,利用电解镀覆来形成电路;

去除所述镀覆阻剂;及

利用快速蚀刻将通过去除所述镀覆阻剂而露出的极薄铜层去除。

在使用改良半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中,包括如下步骤:

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后,剥离所述附载体铜箔的载体;

在剥离所述载体而露出的极薄铜层上设置镀覆阻剂;

对所述镀覆阻剂进行曝光,其后,去除要形成电路的区域的镀覆阻剂;

在已去除所述镀覆阻剂的所述要形成电路的区域设置电解镀覆层;

去除所述镀覆阻剂;及

通过快速蚀刻等去除所述要形成电路的区域以外的区域中存在的无电解镀覆层及极薄铜层。

在本发明中,部分加成法是指如下方法:对设置导体层而成的基板、视需要开设通孔或导孔用孔而成的基板上赋予催化核,进行蚀刻来形成导体电路,视需要设置阻焊剂或镀覆阻剂后,通过无电解镀覆处理对所述导体电路上、通孔或导孔等进行加厚,由此制造印刷配线板。

因此,在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中,包括如下步骤:

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后,剥离所述附载体铜箔的载体;

在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去钻污处理;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化核;

在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂;

对所述蚀刻阻剂进行曝光,形成电路图案;

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述催化核,形成电路;

去除所述蚀刻阻剂;

在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述催化核而露出的所述绝缘基板表面,设置阻焊剂或镀覆阻剂;及

在未设置所述阻焊剂或镀覆阻剂的区域设置无电解镀覆层。

在本发明中,减成法是指通过蚀刻等选择性地去除覆铜积层板上的铜箔的无用部分,从而形成导体图案的方法。

因此,在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中,包括如下步骤:

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后,剥离所述附载体铜箔的载体;

在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去钻污处理;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层;

在所述无电解镀覆层的表面设置电解镀覆层;

在所述电解镀覆层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂;

对所述蚀刻阻剂进行曝光,形成电路图案;

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述无电解镀覆层及所述电解镀覆层,形成电路;及

去除所述蚀刻阻剂。

在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中,包括如下步骤:

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层;

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后,剥离所述附载体铜箔的载体;

在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去钻污处理;

对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层;

在所述无电解镀覆层的表面形成掩模;

在未形成掩模的所述无电解镀覆层的表面设置电解镀覆层;

在所述电解镀覆层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂;

对所述蚀刻阻剂进行曝光,形成电路图案;

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述无电解镀覆层,形成电路;及

去除所述蚀刻阻剂。

也可以不进行设置通孔或/及盲孔的步骤及其后的去钻污步骤。

这里,使用附图对使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法的具体例进行详细说明。此外,这里对设置一次粒子层及二次粒子层作为粗化处理层的情况进行说明。

首先,如图1-A所示,准备具有在表面形成了粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第一层)。

其次,如图1-B所示,在极薄铜层的粗化处理层上涂布阻剂,进行曝光、显影,将阻剂蚀刻为指定形状。

其次,如图1-C所示,形成电路用镀层后,去除阻剂,由此形成指定形状的电路镀层。

其次,如图2-D所示,以覆盖电路镀层的方式(以埋没电路镀层的方式)在极薄铜层上设置埋设树脂而积层树脂层,接下来,从极薄铜层侧接着另一附载体铜箔(第二层)。

其次,如图2-E所示,从第二层附载体铜箔剥离载体。

其次,如图2-F所示,在树脂层的指定位置进行激光开孔,使电路镀层露出而形成盲孔。

其次,如图3-G所示,在盲孔埋设铜,形成通孔填料。

其次,如图3-H所示,在通孔填料上,像所述图1-B及图1-C那样形成电路镀层。

其次,如图3-I所示,从第一层附载体铜箔剥离载体。

其次,如图4-J所示,通过快速蚀刻去除两表面的极薄铜层,使树脂层内的电路镀层的表面露出。

其次,如图4-K所示,在树脂层内的电路镀层上形成凸块,在该焊料上形成铜柱。像这样制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。

此外,在所述印刷配线板的制造方法中,也可以将“极薄铜层”替换为载体,将“载体”替换为极薄铜层,在附载体铜箔的载体侧的表面形成电路,利用树脂埋设电路,从而制造印刷配线板。

所述另一附载体铜箔(第二层)既可以使用本发明的附载体铜箔,也可以使用现有的附载体铜箔,进而也可以使用通常的铜箔。另外,也可以在图3-H所示的第二层的电路上,进而形成一层或多层电路,也可以通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法的任一种方法来形成这些电路。

根据如上所述的印刷配线板的制造方法,因为成为电路镀层埋入到树脂层中的构成,所以在例如图4-J所示的利用快速蚀刻去除极薄铜层时,电路镀层被树脂层保护,其形状得以保持,由此,容易形成微细电路。另外,因为电路镀层被树脂层保护,所以耐迁移性提升,从而很好地抑制电路配线的导通。因此,变得容易形成微细电路。另外,如图4-J及图4-K所示,当利用快速蚀刻去除极薄铜层时,电路镀层的露出面成为从树脂层凹陷的形状,因此容易在该电路镀层上形成凸块,进而容易在其上形成铜柱,从而提升制造效率。

此外,埋设树脂可以使用公知的树脂、预浸料。例如可以使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸了BT树脂的玻璃布的预浸料、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外,所述埋设树脂可以使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料。

另外,所述第一层所使用的附载体铜箔也可以在该附载体铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层而有支撑用于第一层的附载体铜箔,不易产生皱褶,因此生产性提升的优点。此外,所述基板或树脂层只要发挥支撑所述第一层所使用的附载体铜箔的效果,那么就可以使用所有的基板或树脂层。例如,作为所述基板或树脂层,可以使用本申请说明书所记载的载体、预浸料、树脂层、或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔。

另外,本发明的印刷配线板的制造方法也可以包括如下步骤:将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板积层;在与所述树脂基板积层的极薄铜层侧表面或在与所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面,至少进行设一次置树脂层与电路这两层;及当形成所述树脂层及电路这两层后,从所述附载体铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层(无芯工法)。关于该无芯工法,作为具体例,首先,将本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板积层,制造积层体(也称为覆铜积层板、覆铜积层体)。其后,在与树脂基板积层的极薄铜层侧表面、或在与所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。也可以在形成于载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层,从载体侧或极薄铜层侧进而积层另一附载体铜箔。另外,也可以将如下积层体用于所述印刷配线板的制造方法(无芯工法),所述积层体具有以树脂基板或树脂或预浸料为中心,在该树脂基板或树脂或预浸料的两表面侧,以载体/中间层/极薄铜层的顺序或极薄铜层/中间层/载体的顺序积层附载体铜箔的构成;或者具有以“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板或树脂或预浸料/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层的构成;或者具有以“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层的构成;或者具有以“极薄铜层/中间层/载体/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层的构成。而且,也可以通过在该积层体的两端的极薄铜层或载体的露出表面设置另一树脂层,进而设置铜层或金属层后,对该铜层或金属层进行加工而形成电路。进而,也可以将另一树脂层以埋入该电路的方式设置在该电路上。另外,也可进行一次以上这种电路及树脂层的形成(堆积工法)。然后,对于这样形成的积层体(以下也称为积层体B),能够将各个附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。此外,所述无芯基板的制作也可以使用两个附载体铜箔,制作下述具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体,将该积层体用于中心。可以在这些积层体(以下也称为积层体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面进行一次以上设置树脂层及电路这两层,在进行一次以上设置树脂层及电路这两层后,将各个附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。所述积层体也可以在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其它层。其它层也可以是树脂基板或树脂层。此外,在本说明书中,“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“极薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”在极薄铜层、载体、积层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其它层的情况下,是包含该其它层的表面(最表面)的概念。另外,积层体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。其原因在于:当使用该积层体来制作无芯基板时,在无芯基板侧配置极薄铜层,所以容易使用改良半加成法在无芯基板上形成电路。另外,其原因在于:极薄铜层的厚度薄,因此容易去除该极薄铜层,容易在去除极薄铜层后使用半加成法在无芯基板上形成电路。

此外,在本说明书中,没有特别记载为“积层体A”或“积层体B”的“积层体”表示至少包括积层体A及积层体B在内的积层体。

此外,在所述无芯基板的制造方法中,通过利用树脂覆盖附载体铜箔或所述积层体(包括积层体A)的端面的一部分或全部,而以堆积工法制造印刷配线板时,能够防止药液渗入中间层或构成积层体的一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔之间,从而能够防止因药液渗入导致极薄铜层与载体分离或附载体铜箔腐蚀,能够提升产率。作为这里使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”,可以使用可用作树脂层的树脂或公知的树脂。另外,在所述无芯基板的制造方法中,当俯视附载体铜箔或积层体时,附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周的至少一部分也可以被树脂或预浸料覆盖。另外,利用所述无芯基板的制造方法所形成的积层体(积层体A)也可以使一对附载体铜箔可相互分离地接触而构成。另外,在俯视该附载体铜箔时,也可以遍及附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周整体或积层部分的整个面被树脂或预浸料覆盖。另外,优选当俯视时树脂或预浸料大于附载体铜箔或积层体或积层体的积层部分,且优选设为如下积层体:具有在附载体铜箔或积层体的两面积层该树脂或预浸料,且由树脂或预浸料包裹(包围)附载体铜箔或积层体的构成。通过设为这种构成,当俯视附载体铜箔或积层体时,附载体铜箔或积层体的积层部分被树脂或预浸料覆盖,能够防止其它部件从来自侧面的方向碰到该部分的侧向、即积层方向,结果能够减少处理中的载体与极薄铜层、或附载体铜箔彼此的剥离。另外,通过以不使附载体铜箔或积层体的积层部分的外周露出的方式利用树脂或预浸料进行覆盖,能够防止如上所述在药液处理步骤中药液渗入到该积层部分的界面,能够防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。此外,当从积层体的一对附载体铜箔分离一个附载体铜箔时、或将附载体铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时,在被树脂或预浸料覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)被树脂或预浸料等牢固地密接的情况下,有时必须通过切断等去除该积层部分等。

也可以将本发明的附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层于另一个本发明的附载体铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。另外,也可以将所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面视需要经由接着剂直接积层而获得积层体。另外,也可以将所述一个附载体铜箔的载体或极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的载体或极薄铜层接合。这里,在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下,该“接合”也包括隔着该表面处理层而相互接合的形态。另外,也可利用树脂来覆盖该积层体的端面的一部分或全部。

载体彼此、极薄铜层彼此、载体与极薄铜层、附载体铜箔彼此的积层除了单纯地重叠以外,例如还可以通过以下方法进行。

(a)冶金接合方法:熔焊(弧焊、TIG(钨-惰性气体)焊接、MIG(金属-惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超音波焊接、摩擦搅拌焊接)、钎焊;

(b)机械接合方法:嵌缝、利用铆钉的接合(利用自穿孔铆钉的接合、利用铆钉的接合)、连接机;

(c)物理接合方法:接着剂、(双面)胶带

通过使用所述接合方法将一载体的一部分或全部与另一载体的一部分或全部或极薄铜层的一部分或全部接合,而将一载体与另一载体或极薄铜层积层,从而能够制造使载体彼此或载体与极薄铜层可分离地接触而构成的积层体。在一载体与另一载体或极薄铜层较弱地接合而将一载体与另一载体或极薄铜层积层的情况下,即便不去除一载体与另一载体或极薄铜层的接合部,也能够将一载体与另一载体或极薄铜层分离。另外,在一载体与另一载体或极薄铜层牢固地接合的情况下,通过利用切断或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等去除一载体与另一载体或极薄铜层接合的部位,能够将一载体与另一载体或极薄铜层分离。

另外,通过实施在以这种方式构成的积层体上至少进行一次设置树脂层与电路这两层的步骤、及至少进行一次形成所述树脂层及电路这两层后从所述积层体的附载体铜箔剥离所述极薄铜层或载体的步骤,能够制作无芯的印刷配线板。此外,也可以在该积层体的一表面或两表面设置树脂层与电路这两层。

所述积层体所使用的树脂基板、树脂层、树脂、预浸料可以是本说明书所记载的树脂层,也可以含有本说明书所记载的树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等。此外,所述附载体铜箔或积层体在俯视时也可以小于树脂或预浸料或树脂基板或树脂层。

另外,树脂基板只要具有能够应用于印刷配线板等的特性,那么就不受特别限制,例如,用于刚性PWB时,可以使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃无纺布复合基材环氧树脂、及玻璃布基材环氧树脂等,用于FPC时,可以使用聚酯膜或聚酰亚胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟树脂等。此外,使用LCP(液晶聚合物)膜或氟树脂膜的情况与使用聚酰亚胺膜的情况相比,有该膜与表面处理铜箔的剥离强度变小的倾向。因此,在使用LCP(液晶聚合物)膜或氟树脂膜的情况下,通过形成铜电路后利用覆盖层来覆盖铜电路,能够使该膜与铜电路不易剥离,从而能够防止因剥离强度降低引起该膜与铜电路剥离。

[实施例]

以下,基于实施例及比较例进行说明。此外,本实施例仅为一例,并不仅限制于该例。即,也包含本发明所包含的其它形态或变化。

实施例1~2、4~6、9~16及比较例1~2、4、6~7的原箔使用厚度12μm的标准压延铜箔TPC(JIS H3100C1100所规范的精铜,JX金属制造,表面的十点平均粗糙度Rz=0.7μm)。实施例3、8及比较例3、5的原箔使用厚度12μm的电解铜箔(JX金属制造HLP箔,析出面(M面)的表面的十点平均粗糙度Rz=0.7μm),在析出面(M面)设置表面处理层。

另外,实施例7及比较例8的原箔使用通过以下方法所制造的附载体铜箔。

实施例7是准备厚度18μm的电解铜箔(JX金属制造JTC箔)作为载体,比较例8是准备所述厚度18μm的标准压延铜箔TPC作为载体。然后,在下述条件下,在载体的表面形成中间层,在中间层的表面形成极薄铜层。此外,在载体为电解铜箔的情况下,在光泽面(S面)形成中间层。

·实施例7、比较例8

<中间层>

(1)Ni层(Ni镀层)

通过在以下条件下利用辊对辊型的连续镀覆线进行电镀而在载体形成附着量为1000μg/dm2的Ni层。具体的镀覆条件如下所述。

硫酸镍:270~280g/L

氯化镍:35~45g/L

乙酸镍:10~20g/L

硼酸:30~40g/L

光泽剂:糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸钠:55~75ppm

pH值:4~6

液温:55~65℃

电流密度:10A/dm2

(2)Cr层(电解铬酸盐处理)

其次,对由(1)形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后,接着,通过在辊对辊型的连续镀覆线上在以下条件下进行电解铬酸盐处理而使附着量为11μg/dm2的Cr层附着于Ni层上。

重铬酸钾1~10g/L、锌0g/L

pH值:7~10

液温:40~60℃

电流密度:2A/dm2

<极薄铜层>

其次,对由(2)形成的Cr层表面进行水洗及酸洗后,接着,通过在辊对辊型的连续镀覆线上在以下条件下进行电镀而在Cr层上形成厚度1.5μm的极薄铜层,制作附载体铜箔。

铜浓度:90~110g/L

硫酸浓度:90~110g/L

氯化物离子浓度:50~90ppm

均化剂1(双(3-磺丙基)二硫醚):10~30ppm

均化剂2(胺化合物):10~30ppm

此外,使用下述胺化合物作为均化剂2。

[化2]

(所述化学式中,R1及R2选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的群)

电解液温度:50~80℃

电流密度:100A/dm2

电解液线速度:1.5~5m/sec

接下来,在压延铜箔、电解铜箔或附载体铜箔的极薄铜层表面,在表1~3所示的条件范围下形成一次粒子层或一次粒子层及二次粒子层。表1的一次粒子电流条件栏中记载了两个电流条件、库仑量的示例意味着在左边记载的条件下进行镀覆后,在右边记载的条件下进一步进行镀覆。例如,在实施例1的一次粒子电流条件栏中记载了“(50A/dm2、65As/dm2)+(8A/dm2、16As/dm2)”,这表示将形成一次粒子的电流密度设为50A/dm2、将库仑量设为65As/dm2进行镀覆后,进而将形成一次粒子的电流密度设为8A/dm2,将库仑量设为16As/dm2进行镀覆。

接下来,在一次粒子层上、或当形成着二次粒子层时在二次粒子层上以表1、4所示的条件范围形成被覆镀层。此外,在被覆镀覆的栏中记载进行了多个处理的情况下,意味着从左侧的处理开始依次进行。例如,在实施例2中,表1中在“被覆镀覆条件(表4的被覆镀覆液)”的栏中记载了“(2)Ni-Mo+(1)Zn-Cr”,在“被覆镀覆通电时间(秒)”的栏中记载了“(2)0.17、(1)1.0”。这意味着在实施例2中,以表4的(2)Ni-Mo镀覆、(1)Zn-Cr镀覆的顺序进行被覆镀覆,并将其通电时间分别设为(2)Ni-Mo镀覆0.17秒,(1)Zn-Cr镀覆1.0秒。

<一次粒子层及二次粒子层及被覆镀层以外的表面处理层>

形成被覆镀层后,对实施例3、5、比较例6进行以下电解铬酸盐处理。对除此以外的实施例、比较例不进行以下电解铬酸盐处理。

·电解铬酸盐处理

液体组成:重铬酸钾1~1g/L

液温:40~60℃

pH值:0.5~10

电流密度:0.01~2.6A/dm2

通电时间:0.05~30秒

其后,对实施例3~5、10进行以下使用了二氨基硅烷的硅烷偶联处理。

·硅烷偶联处理

硅烷偶联剂:N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷

硅烷偶联剂浓度:0.5~1.5vol%

处理温度:20~70℃

处理时间:0.5~5秒

(十点平均粗糙度Rz的测定)

依照JIS B0601-1982,使用小阪研究所股份有限公司制造的接触粗糙度计Surfcorder SE-3C触针式粗度计,测定粗化处理层侧表面的表面粗糙度Rz(十点平均粗糙度)。在任意10个部位测定Rz,将该Rz的10个部位的平均值设为Rz的值。

(传输损耗的测定)

对于各样品,与液晶聚合物树脂基板(Kuraray股份有限公司制造的Vecstar CTZ-厚度50μm,作为羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的树脂)贴合后,通过蚀刻以特性阻抗成为50Ω的方式形成微带电路,使用HP公司制造的网络分析仪N5247A测定透过系数,求出频率20GHz下的传输损耗。作为频率20GHz下的传输损耗的评价,将4.0dB/10cm以下设为○,将4.1dB/10cm以上设为×。

(剥离强度的测定)

将铜箔的表面处理面与表2所记载的树脂基板通过热压贴合而制作覆铜积层板,使用一般的氯化铜电路蚀刻液,制作10mm宽的电路,将铜箔从基板剥离,一边向90°方向拉伸一边测定初始剥离强度。另外,将所制作的电路投入到180℃的大气下的烘箱中,10天后取出,与常态剥离同样地一边向90°方向拉伸,一边测定加热后的剥离强度。剥离强度的评价是将初始剥离强度为0.5kg/cm以上、且加热后剥离强度为0.3kg/cm以上的情况设为○,将初始剥离强度小于0.5kg/cm或加热后剥离强度小于0.3kg/cm的情况设为×。

另外,关于表2所记载的积层树脂,“LCP”为液晶聚合物,“低介电PI”为低介电聚酰亚胺,“PTFE”为聚四氟乙烯。

液晶聚合物使用Kuraray公司制造的vecstor CT-Z,是羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物,为液晶聚合物树脂。

低介电聚酰亚胺使用介电损耗因子的值为0.002的聚酰亚胺。此外,在本说明书中,将介电损耗因子的值为0.01以下的聚酰亚胺设为低介电聚酰亚胺。介电损耗因子能够通过一般社团法人日本电子电路工业会的《印刷配线板用覆铜积层板试验方法相对介电常数及介电损耗因子》JPCA-TM001-2007所记载的三板共振器法来测定。

此外,所述铜箔与树脂基板的热压条件如下所述。

在将液晶聚合物设为树脂基板的情况下:压力3.5MPa,加热温度300℃,加热时间10分钟

在将低介电聚酰亚胺设为树脂基板的情况下:压力4MPa,加热温度360℃,加热时间5分钟

在将聚四氟乙烯设为树脂基板的情况下:压力5MPa,加热温度350℃,加热时间30分钟

所述树脂基材的厚度为50μm。

将所述制造条件及评价结果表示在表1~4中。

[表4]

(评价结果)

实施例1~16均很好地抑制传输损耗,剥离强度也良好。

比较例1、6的表面处理层中的Zn的附着量小于150μg/dm2,进而,表面处理层中的Zn及Mo的合计附着量小于200μg/dm2,剥离强度不良。

比较例2的表面处理层中的Co的附着量超过3000μg/dm2,因此传输损耗不良。

比较例3、8的表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz超过1.5μm,因此传输损耗不良。

比较例4没有形成一次粒子层及二次粒子层,剥离强度不良。

比较例5的表面处理层中的Zn的附着量小于150μg/dm2,另外,Zn及Mo的合计附着量小于200μg/dm2,进而,表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz超过1.5μm,因此传输损耗及剥离强度不良。

比较例7在表面处理层含有Ni,但该Ni的附着量超过800μg/dm2,因此传输损耗不良。

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