表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法与流程

技术特征：

1.一种表面处理铜箔，在至少一面具有表面处理层，

所述表面处理层具有一次粒子层，或具有一次粒子层及二次粒子层，

所述表面处理层中的Zn的附着量为150μg/dm²以上，

所述表面处理层不含Ni，或Ni的附着量为800μg/dm²以下，

所述表面处理层不含Co，或Co的附着量为3000μg/dm²以下，且

所述表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以下。

2.一种表面处理铜箔，在至少一面具有表面处理层，

所述表面处理层具有一次粒子层，或具有一次粒子层及二次粒子层，

所述表面处理层含有Zn及Mo，

所述表面处理层中的Zn及Mo的合计附着量为200μg/dm²以上，

所述表面处理层不含Ni，或Ni的附着量为800μg/dm²以下，

所述表面处理层不含Co，或Co的附着量为3000μg/dm²以下，且

所述表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层中Zn的附着量为165μg/dm²以上。

4.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层中Zn的附着量为180μg/dm²以上。

5.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层中Zn的附着量为200μg/dm²以上。

6.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层中Zn的附着量为250μg/dm²以上。

7.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层中Ni的附着量为750μg/dm²以下。

8.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层中Co的附着量为2790μg/dm²以下。

9.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层最表面的十点平均粗糙度Rz为1.0μm以下。

10.根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层中Zn及Mo的合计附着量为340μg/dm²以上。

11.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层含有Co。

12.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层含有Ni。

13.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层含有Co及Ni，且

所述表面处理层中Co及Ni的合计附着量为3500μg/dm²以下。

14.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其在两面具有所述表面处理层。

15.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其满足以下(D)或(E)的任一项或两项：

(D)所述表面处理层中Zn的附着量满足以下任一个：

·270μg/dm²以上，

·280μg/dm²以上，

·290μg/dm²以上，

(E)所述表面处理层中的Zn及Mo的合计附着量满足以下任一个：

·360μg/dm²以上，

·400μg/dm²以上，

·420μg/dm²以上，

·460μg/dm²以上，

·500μg/dm²以上。

16.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，将所述表面处理铜箔从所述表面处理层侧与树脂积层，对所述表面处理铜箔进行蚀刻而制作10mm宽的电路后，从所述树脂向90°方向剥离所述电路时，剥离强度成为0.5kg/cm以上，

所述树脂及所述积层的条件为以下(1)～(3)中的任一项、两项或三项：

(1)树脂：羟基苯甲酸与羟基萘甲酸的共聚物，为液晶聚合物树脂，厚度50μm，

积层的条件：压力3.5MPa，加热温度300℃，加热时间10分钟；

(2)树脂：低介电聚酰亚胺树脂，厚度50μm，

积层的条件：压力4MPa，加热温度360℃，加热时间5分钟；

(3)树脂：聚四氟乙烯，厚度50μm，

积层的条件：压力5MPa，加热温度350℃，加热时间30分钟。

17.根据权利要求16所述的表面处理铜箔，其中，所述剥离强度为0.7kg/cm以上。

18.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，将所述表面处理铜箔从所述表面处理层侧与树脂积层，对所述表面处理铜箔进行蚀刻而制作10mm宽的电路，在大气下以180℃对所述电路加热10天后，从所述树脂向90°方向剥离所述电路时，剥离强度成为0.4kg/cm以上，

所述树脂及所述积层的条件为以下(1)～(3)的任一项、两项或三项：

(1)树脂：羟基苯甲酸与羟基萘甲酸的共聚物，为液晶聚合物树脂，厚度50μm，

积层的条件：压力3.5MPa，加热温度300℃，加热时间10分钟；

(2)树脂：低介电聚酰亚胺树脂，厚度50μm，

积层的条件：压力4MPa，加热温度360℃，加热时间5分钟；

(3)树脂：聚四氟乙烯，厚度50μm，

积层的条件：压力5MPa，加热温度350℃，加热时间30分钟。

19.根据权利要求18所述的表面处理铜箔，其中，将所述表面处理铜箔从所述表面处理层侧与树脂积层，对所述表面处理铜箔进行蚀刻而制作10mm宽的电路，在大气下以180℃对所述电路加热10天后，从所述树脂向90°方向剥离所述电路时，剥离强度成为0.5kg/cm以上。

20.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层在所述一次粒子层或所述二次粒子层上具有：

(A)由Ni与选自由Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti所组成的群中的一种以上元素所构成的合金层、及

(B)铬酸盐处理层

中的任一层或两层。

21.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层在所述一次粒子层或所述二次粒子层上具有以下(A)及(B)中的至少一层或两层、以及(C)：

(A)由Ni与选自由Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti所组成的群中的一种以上元素所构成的合金层

(B)铬酸盐处理层

(C)硅烷偶联处理层。

22.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层在所述一次粒子层或所述二次粒子层上具有Ni-Zn合金层及铬酸盐处理层中至少一层或两层。

23.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层在所述一次粒子层或所述二次粒子层上具有Ni-Zn合金层及铬酸盐处理层中至少一层或两层、以及硅烷偶联处理层。

24.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其用于高频电路基板。

25.一种附树脂层的表面处理铜箔，在权利要求1至24中任一项所述的表面处理铜箔的所述表面处理层的表面具备树脂层。

26.一种附载体铜箔，在载体的至少一面具有中间层及极薄铜层，

所述极薄铜层为权利要求1至24中任一项所述的表面处理铜箔或权利要求25所述的附树脂层的表面处理铜箔。

27.一种积层体，具有权利要求1至24中任一项所述的表面处理铜箔或权利要求25所述的附树脂层的表面处理铜箔。

28.一种积层体，具有权利要求26所述的附载体铜箔。

29.一种积层体，含有权利要求26所述的附载体铜箔及树脂，

所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。

30.一种积层体，具有两个权利要求26所述的附载体铜箔。

31.一种印刷配线板的制造方法，使用权利要求1至24中任一项所述的表面处理铜箔、权利要求25所述的附树脂层的表面处理铜箔、或权利要求26所述的附载体铜箔。

32.一种印刷配线板的制造方法，包括如下步驟：

准备权利要求1至24中任一项所述的表面处理铜箔、权利要求25所述的附树脂层的表面处理铜箔、或权利要求26所述的附载体铜箔、及绝缘基板；

形成覆铜积层板，包括以下(1)～(3)的任一个步驟：

(1)将所述表面处理铜箔与所述绝缘基板积层、

(2)将所述附树脂层的表面处理铜箔与所述绝缘基板积层、

(3)将所述附载体铜箔与所述绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离；以及

利用半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法的任一种方法，使用所述覆铜积层板形成电路。

33.一种印刷配线板的制造方法，包括如下步驟：

在权利要求1至24中任一项所述的表面处理铜箔的所述表面处理层侧表面形成电路、或在权利要求26所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路；

以埋没所述电路的方式，在所述表面处理铜箔的所述表面处理层侧表面、或所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；及

通过在形成所述树脂层后去除所述表面处理铜箔、或通过在剥离所述载体或所述极薄铜层后去除所述极薄铜层或所述载体，使埋没于所述树脂层中的电路露出。

34.一种印刷配线板的制造方法，包括如下步骤：

将权利要求26所述的附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与树脂基板积层；

在所述附载体铜箔的与树脂基板积层一侧的相反侧表面设置树脂层及电路；及

形成所述树脂层及所述电路后，从所述附载体铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层。

35.一种印刷配线板的制造方法，包括如下步骤：

在权利要求28至30中任一项所述的积层体设置树脂层及电路；及

形成所述树脂层及所述电路后，从构成所述积层体的附载体铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层。

36.一种电子机器的制造方法，使用印刷配线板，所述印刷配线板为利用权利要求31至35中任一项所述的方法所制成。