电子设备的壳体及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种电子设备的壳体的制备方法，其特征在于，包括：

提供半透明材质的基材，所述基材包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为电子设备的壳体的外表面；

在所述基材的第一表面制备形成斜入射光学膜，在所述基材的第二表面制备形成半透半反型光学膜；

在所述斜入射光学膜的表面制备形成字符层，得到电子设备的壳体。

2.根据权利要求1所述的电子设备的壳体的制备方法，其特征在于，所述半透明材质的基材为白色氧化锆陶瓷。

3.根据权利要求1所述的电子设备的壳体的制备方法，其特征在于，在所述基材的第一表面采用真空镀膜法沉积形成所述斜入射光学膜；在所述基材的第二表面采用真空镀膜法沉积形成所述半透半反型光学膜；在所述斜入射光学膜的表面采用真空镀膜法沉积形成所述字符层。

4.根据权利要求1所述的电子设备的壳体的制备方法，其特征在于，在所述基材的第二表面制备形成半透半反型光学膜之后，还包括：

在所述半透半反型光学膜的表面制备形成彩色或白色的油墨层。

5.根据权利要求1所述的电子设备的壳体的制备方法，其特征在于，所述半透半反型光学膜的透过率和反射率的比例为1/9～9/1。

6.根据权利要求1所述的电子设备的壳体的制备方法，其特征在于，所述半透半反型光学膜的厚度为0.1μm～5μm。

7.根据权利要求1所述的电子设备的壳体的制备方法，其特征在于，所述斜入射光学膜为多层膜结构，所述多层膜结构包括：

两层氧化钛膜层以及制备于所述两层氧化钛膜层之间的钛膜层；或

两层氧化镧膜层以及制备于所述两层氧化镧膜层之间的镧膜层。

8.根据权利要求1所述的电子设备的壳体的制备方法，其特征在于，所述半透半反型光学膜的材料为氧化硅、氧化钛、氮化硅、锆酸镧以及氧化铌中的任意一种。

9.一种电子设备的壳体，其特征在于，包括：

半透明材质的基材，所述基材包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为电子设备的壳体的外表面；

斜入射光学膜，制备于所述基材的第一表面；

字符层，制备于所述斜入射光学膜的表面；

半透半反型光学膜，制备于所述基材的第二表面。

10.根据权利要求9所述的电子设备的壳体，其特征在于，还包括油墨层，制备于所述半透半反型光学膜的表面。

11.根据权利要求9所述的电子设备的壳体，其特征在于，所述半透明材质的基材为白色氧化锆陶瓷。

12.根据权利要求9所述的电子设备的壳体，其特征在于，所述半透半反型光学膜的透过率和反射率的比例为1/9～9/1。

13.根据权利要求9所述的电子设备的壳体，其特征在于，所述半透半反型光学膜的厚度为0.1μm～5μm。

14.根据权利要求9所述的电子设备的壳体，其特征在于，所述斜入射光学膜为多层膜结构，所述多层膜结构包括：

两层氧化钛膜层以及制备于所述两层氧化钛膜层之间的钛膜层；或

两层氧化镧膜层以及制备于所述两层氧化镧膜层之间的镧膜层。

15.根据权利要求9所述的电子设备的壳体，其特征在于，所述半透半反型光学膜的材料为氧化硅、氧化钛、氮化硅、锆酸镧以及氧化铌中的任意一种。