1.非隔离光控驱动电源，其特征在于，包括：整流滤波单元、降压控制单元、MCU光控单元；整流滤波单元的输入端连接上一级调光器的输出端，整流滤波单元的输出端同时连接降压控制单元和MCU光控单元，降压控制单元的输出端和下一级LED光源输入端连接；
整流滤波单元包括：自恢复保险丝FUSE1，压敏电阻MOV1，电阻R5、R6，电容CX1、CX2、CBB2，整流桥BRIDGE1以及电感LF1、L3S、L4；上一级调光器的输出端和自恢复保险丝FUSE1串联，再并联压敏电阻MOV1、电容CX1后连接到电感LF1输入两端，电感LF1输出两端并联电容CX2后分别连接电阻R6电感L3S的串联、电阻R5电感L4的串联，然后连接到整流桥BRIDGE1的输入端和MCU光控单元的输入两端；整流桥BRGE的输出两端中的一端连接到高压电源、电容CBB2的一端以及降压控制单元的输入端，整流桥BRGE的输出两端中的另一端以及电容CBB2的另一端均接地；
降压控制单元包括：降压控制芯片U2，电阻R10至R12、R14至R21、R24至R26、R28、R30、RJ1、RJ2、LJ1、LJ2、RS2，电容CBB1、CDS、CDS1、C4、C6、C7、C8，电解电容EC3至EC5，二极管D2至D4，稳压二极管ZD2，MOS管Q2，三极管Q4，电感L6、LF3；整流滤波单元的输出端以及电阻R12、R14、RJ2串联的一端、电容CBB1、CDS的一端一并连接到MOS管Q2的漏极，电阻R12、R14、RJ2串联的另一端连接高压电源；电容CDS的另一端、电阻R11的一端、电阻R15电容CDS1串联的一端、二极管D3的负极以及电阻LJ1、LJ2并联的一端一并连接到MOS管Q2的源极；电阻R11的另一端、电阻R10的一端、二极管D2的正极一并连接到MOS管Q2的栅极；二极管D2的负极以及电阻R10的另一端一并连接到降压控制芯片U2的第4引脚；电阻R17、R18、R19、R30并联的一端连接到电阻LJ1、LJ2并联的另一端，同时电阻R17、R18、R19、R30并联的一端串联电阻RS2后连接到降压控制芯片U2的第5引脚；电容C7的一端、电阻R16的一端以及电阻R20、R21串联的一端一并连接到降压控制芯片U2的第6引脚；电容C4的一端连接到降压控制芯片U2的第3引脚；电容C6的一端、电阻RJ1的一端以及三极管Q4的发射极一并连接到降压控制芯片U2的第1引脚；电感L6的另一端、电容CBB1的另一端、电解电容EC4、EC5、电阻R26的一端一并连接到电感LF3输入两端的其中一端；二极管D3的正极、电阻R15电容CDS1串联的另一端、电解电容EC4、EC5、电阻R26的另一端一并连接到电感LF3输入两端的另一端；电感LF3的输出端连接下一级LED光源输入端；
MCU光控单元包括：MCU芯片U1，U4A光耦发射端，电阻RX1、RX1S、RX2、R9、R13、R27、R29、R31，电容C2、C5、C9、C10，电解电容EC1，二极管D5、D6，稳压管ZD1，接入点X1、X2；整流滤波单元的电阻R6电感L3S的串联的一端连接到电容C9电阻RX1、RX1S并联的一端，电容C9电阻RX1、RX1S并联的另一端连接电阻RX2的一端，电阻RX2的另一端和二极管D6的负极连接到二极管D5的正极，二极管D5的负极、稳压管ZD1的负极、电解电容EC1的一端、电容C10、C2的一端、接入点X1以及电阻27的一端一并连接到电阻R31的一端，电阻R31的另一端连接到MCU芯片U1的第1引脚；电阻R13的一端和电容C5的一端均连接到MCU芯片U1的第5引脚，电阻R13的另一端和电阻R9的一端均连接到接入点X2；电阻R27的另一端连接U4A光耦发射端的其中一个端子后接入MCU芯片U1的第6引脚，U4A光耦发射端的另一个端子和电阻29串联。
2.根据权利要求1所述的非隔离光控驱动电源，其特征在于：降压控制芯片U2为BP2329A型号芯片；MCU芯片U1为HT46R002型号芯片。
3.根据权利要求1所述的非隔离光控驱动电源，其特征在于：所述接入点X1、X2上焊接光敏二极管。
4.根据权利要求1所述的非隔离光控驱动电源，其特征在于：所述MOS管Q2为带阻尼的N沟道增强型管，三极管Q4为NPN型。
5.根据权利要求1所述的非隔离光控驱动电源，其特征在于：所述电容CBB1、CBB2为聚丙烯电容。
6.根据权利要求1所述的基于非隔离光控驱动电源，其特征在于：所述电感LF1、LF3为共模电感。