一种控制电路的制作方法与工艺

文档序号:12925685
一种控制电路的制作方法与工艺
本实用新型涉及低压配电技术,尤其是涉及一种运用于LED驱动器的功率因素控制电路。

背景技术:
目前基于ONSemi芯片NCL30000,应用临界导电模式(CrM)反激拓扑结构,以单段式拓扑结构提供高功率因素,其固定导通时间产生正弦与输入电流相位相同,从而在线路周期维持恒定导通时间,但是因为固定导通在使用美国工业照明电压277V时,功率因素低于0.9,不能符合能源之星在工业照明电压277V或者更高时功率因素大于0.9的要求。

技术实现要素:
针对上述问题,本实用新型提供了一种控制电路,该控制电路能够满足LED驱动器在90-305V输入电压时都能满足功率因素在0.9以上的要求。本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是:一种控制电路,包括比较器U1,所述比较器U1的电源端与基准电源相连,比较器U1的地端接地,其特征在于:所述比较器U1的同相输入端通过一基准电压处理单元与基准电源相连,比较器U1的反相输入端通过一输入分压电路单元与市电输入端相连,比较器U1的输出端通过一电阻R7与MOS管Q3的栅极相连,所述MOS管Q3的源极接地,MOS管Q3的漏极通过一电容C6与LED驱动器的主控芯片U2相连。进一步,所述基准电压处理单元包括电容C1,串联连接的电阻R1和电阻R2,并联连接后一端接地且另一端与电阻R1和电阻R2的连接端相连的稳压二极管D1和电容C2,电阻R1的另一端与比较器U1的同相输入端相连,电阻R2的另一端与基准电源相连,所述比较器U1的同相输入端通过电容C1接地。进一步,所述输入分压电路单元包括二极管D2,电容C3和C4,电阻R3、R4、R5和R6,所述二极管D2的阴极与所述比较器U1的反相输入端相连,二极管D2的阳极通过电阻R6连接至市电输入端,电阻R4并联在二极管D2的两端,所述比较器U1的反相输入端还分别通过电阻R3和电容C4接地,所述二极管D2的阳极分别通过电阻R4和电容C3接地。本实用新型的有益效果是:本控制电路连接在LED驱动器控制芯片的CT上,利用此CT功能,当输入母线电压高时,导通时间还是不变,功率因素低的原理,通过本控制电路,使母线电压高时改变其导通时间来达到高功率因素;本控制电路能够满足LED驱动器在90-305V输入电压时功率因素达到0.9以上的要求。附图说明为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然,所描述的附图只是本实用新型的一部分实施例,而不是全部实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得的其他设计方案和附图:图1为本实用新型电路原理图;图2为应用了本实用新型的LED驱动器电路原理图。具体实施方式以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述,以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然,所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例,而不是全部实施例,基于本实用新型的实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例,均属于本实用新型保护的范围。参照图1至图2,一种控制电路,包括比较器U1,所述比较器U1的电源端与基准电源相连,比较器U1的地端接地,其特征在于:所述比较器U1的同相输入端通过一基准电压处理单元与基准电源相连,比较器U1的反相输入端通过一输入分压电路单元与市电输入端相连,比较器U1的输出端通过一电阻R7与MOS管Q3的栅极相连,所述MOS管Q3的源极接地,MOS管Q3的漏极通过一电容C6与LED驱动器的主控芯片U2的CT引脚相连。利用此CT功能,当输入母线电压高时,导通时间还是不变,功率因素低的原理,通过本控制电路,使母线电压高时改变其导通时间来达到高功率因素。进一步,所述基准电压处理单元包括电容C1,串联连接的电阻R1和电阻R2,并联连接后一端接地且另一端与电阻R1和电阻R2的连接端相连的稳压二极管D1和电容C2,电阻R1的另一端与比较器U1的同相输入端相连,电阻R2的另一端与基准电源相连,所述比较器U1的同相输入端通过电容C1接地。进一步,所述输入分压电路单元包括二极管D2,电容C3和C4,电阻R3、R4、R5和R6,所述二极管D2的阴极与所述比较器U1的反相输入端相连,二极管D2的阳极通过电阻R6连接至市电输入端,电阻R4并联在二极管D2的两端,所述比较器U1的反相输入端还分别通过电阻R3和电容C4接地,所述二极管D2的阳极分别通过电阻R4和电容C3接地。本实用新型的工作原理为:基准电压处理单元提供比较基准电压给比较器U1的同向输入端,输入分压电路单元将获取的市电电压输入给比较器U1反相输入端进行电压比较,当输入市电电压高大于等于277V时比较器U1输出端为低电平,MOS管Q3不导通,电容C6断开,由C9来决定导通时间,当输入市电电压低于90V时比较器输出端输出高电平,Q3导通,使CT电容增加,使其在90-305V输入电压都能满足功率因素在0.9以上。所述上述实施例是对本实用新型的上述内容作进一步的说明,但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于上述实施例,凡基于上述内容所实现的技术均属于本实用新型的范围。...
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