一种新型单层铝基板的制作方法

本实用新型涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种新型单层铝基板。

背景技术：

铝基板是低合金化的Al-Mg-Si系高塑性合金板，能够将热阻降至最低，使其具有极好的热传导性能；一般单面板由三层结构所组成，分别是电路层、绝缘层和金属基层。

线路层一般采用电解铜箔经过蚀刻形成印制电路，用于实现器件的装配和连接。绝缘层是铝基板最核心的技术，主要起到粘接，绝缘和导热的功能。铝基板绝缘层是功率模块结构中最大的导热屏障。绝缘层热传导性能越好，越有利于器件运行时所产生热量的扩散，也就越有利于降低器件的运行温度，从而达到提高模块的功率负荷，减小体积，延长寿命，提高功率输出等目的。金属基层采用何种金属，需要取决于金属基板的热膨胀系数，热传导能力，强度，硬度，重量，表面状态和成本等条件的综合考虑。一般情况下，从成本和技术性能等条件来考虑，铝板是比较理想的选择。

电路元件一般直接安装在导电层上，电路元件工作产生的热量需要经过导电层、绝缘层传递给底基板，再由底基板向外界散热，散热效果差，散热时间长，影响电路元件的使用寿命。此外，绝缘层与底基板的接触面积较小，粘合牢度较差。

有鉴于此，有必要对现有技术中的铝基板予以改进，以解决上述问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于公开一种新型单层铝基板，用以使电路元件与底基板直接接触，加快电路元件的散热速度，延长电路元件的使用寿命，增加绝缘层与底基板的接触面积，提高绝缘层与底基板的结合牢度。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种新型单层铝基板，包括沿竖直方向依次叠加的底基板、绝缘层和导电层；所述导电层上设有若干个相互连通且沿竖直方向向下延伸贯穿绝缘层的容置部，所述底基板表面设有若干个沿竖直方向向上延伸的围合部，所述围合部包覆容置部底层。

在一些实施方式中，所述底基板为铝基板。

在一些实施方式中，所述底基板内设有若干个空腔。

在一些实施方式中，所述空腔呈球状、圆柱体或者立方体。

在一些实施方式中，所述空腔内填充有导热材料。

在一些实施方式中，所述导电层上设有沿竖直方向向下延伸且未贯穿导电层的容置通道，所述容置通道与容置部连通。

在一些实施方式中，所述容置部横截面呈圆形、椭圆形或者矩形。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过在导电层上设有若干个相互连通且沿竖直方向向下延伸贯穿绝缘层的容置部，在底基板表面设有若干个沿竖直方向向上延伸的围合部，围合部包覆容置部底层，从而使电路元件与底基板直接接触，加快了电路元件的散热速度，延长了电路元件的使用寿命，增加了绝缘层与底基板的接触面积，提高了绝缘层与底基板的结合牢度。

附图说明

图1为本实用新型所示的新型单层铝基板的结构示意图；

图2为沿图1中A-A线的剖视图；

图3为图1中所示的底基板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例描述本实用新型具体实施方式：

需要说明的是，本说明书所附图中示意的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

如图1-3所示的一种新型单层铝基板，包括沿竖直方向依次叠加的底基板3、绝缘层2和导电层1。其中，导电层1采用金属铜箔制成，绝缘层2为高导热、高绝缘的陶瓷粉末填充而成的聚合物，主要为环氧树脂，底基板3为铝板，具有较好的热传导性能。

所述导电层1上设有若干个相互连通且沿竖直方向向下延伸贯穿绝缘层2的容置部4，容置部4未延伸入底基板3中。具体地，如图1所示，导电层1上设有九个容置部4且其呈矩阵排列。所述容置部4横截面呈圆形、椭圆形或者矩形，并优选为圆形。电路元件(未示出)可放置在容置部4中。

底基板3表面设有若干个沿竖直方向向上延伸的围合部31，所述围合部31包覆容置部4底层，围合部31的高度为底基板3高度的1/2。具体地，如图3所示，底基板3上设有九个围合部31且其呈矩阵排列，围合部31形成收容槽310，容置部4底层位于收容槽310中。每个容置部4对应设置有一个围合部31，从而使每个容置部4底层均可位于收容槽310中。

电路元件可放置在容置部4中，从而使电路元件可与底基板3直接接触，电路元件工作产生的热量直接由底基板3直接导出，无需经过绝缘层2进行传递，一方面降低了对绝缘层2关于材质方面的要求，另一方面对电路元件进行了快速散热，迅速降低电路元件内的热量，延长了电路元件的使用寿命。

所述导电层1上设有沿竖直方向向下延伸且未贯穿导电层1的容置通道5，所述容置通道5与容置部4连通，如图1所示，容置通道5呈水平布置或者竖直布置，当然，容置通道5也可呈倾斜布置，只要能够使各个容置部4相连通即可。放置于容置部4中的电路元件之间通过导线(未示出)连接，导线则位于容置通道5中。

绝缘层2与围合部31外表层粘结，由于绝缘层2与底基板3接触点增多，增大了绝缘层2与底基板3的接触面积，增加了绝缘层2与底基板3之间的结合牢度，从而提高了该新型单层铝基板整体结构的稳定性。

底基板3内设有若干个空腔30，空腔30呈球状、圆柱体或者立方体，并优选为球状。空腔30内填充有导热材料6，导热材料6可为导热胶、导热膏或纳米碳，并优选为导热膏，从而进一步快速对电路元件工作产生的热量进行驱散。

上面结合附图对本实用新型优选实施方式作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化。

不脱离本实用新型的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解，本实用新型不限于特定的实施方式，本实用新型的范围由所附权利要求限定。