本实用新型涉及一种驱动电路，特别是一种用于HID灯的新型半桥驱动电路。
背景技术：
现有技术在驱动IC输出端与功率开关MOSFET管之间，用一个限流电阻隔开。对于工作在恶劣的工况HID(高压气体放电灯)驱动电路，显然是不可靠的。
其存在以下缺点：1、采用驱动变压器，隔离半桥驱动MOS管上臂母线电压对MOS管驱动电路的影响，提高了电路可靠性。
2、利用PNP型三极管、稳压二极管、开关二极管等组成的限幅MOS管驱动电路；吸收了因户外各种共异常的高脉冲电压，把驱动输出的脉冲幅值限制在一定范围内，保证MOS 管和驱动电路的安全，提高了电路的可靠性。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种用于HID灯的新型半桥驱动电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种用于HID灯的新型半桥驱动电路，包括MOS管Q11、电阻R21、变压器T3和变压器T4，其特征在于，所述MOS管Q11的漏极连接电阻R21和电源VCC，变压器T3的次级绕组一端连接连接电阻R16，电阻R16的另一端连接二极管D6的阳极、电阻R17和三极管 Q10的基极，二极管D6的阴极连接三极管Q10的发射极和MOS管Q11的栅极，三极管Q10 的集电极连接二极管D7的阳极，二极管D7的阴极连接电容C15、二极管D9的阳极、MOS 管Q11的源极和MOS管Q12的源极，电阻R17的另一端连接二极管D8的阳极，二极管D8 的阴极连接二极管D9的阴极，MOS管Q12的栅极连接二极管D11的阴极、二极管D10的阴极和三极管Q5的发射极，二极管D10的阳极连接电阻R18、电阻R19和三极管Q5的基极，变压器T3的初级绕组连接驱动信号A，电阻R18的另一端连接驱动信号B，三极管Q5的集电极连接二极管D11的阳极、电阻R19的另一端、电容C14、电容C6、电容C16、电阻R20、电容C18、高压钠灯和点火电路，电阻R21的另一端连接电阻R22，电阻R22的另一端连接电容C15、电阻R23和变压器T4的初级绕组，电阻R23的另一端连接电阻R24，电阻R24的另一端连接电容C16和变压器T4的次级绕组，变压器T4的初级绕组的另一端连接电容C17和高压钠灯的另一端，变压器T4的次级绕组的另一端连接点火电路。
作为本实用新型的进一步技术方案：所述电源VCC为额定电压为400V的直流电。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：1、采用驱动变压器，隔离半桥驱动MOS 管上臂母线电压对MOS管驱动电路的影响，提高了电路可靠性。
2、利用PNP型三极管、稳压二极管、开关二极管等组成的限幅电路，吸收了异常原因产生的高脉冲电压，把驱动输出的脉冲幅值限制在一定范围内，保证MOS管和驱动电路的安全，提高了电路的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
参阅图1；本实用新型实施例中，一种用于HID灯的新型半桥驱动电路，包括MOS管 Q11、电阻R21、变压器T3和变压器T4，所述MOS管Q11的漏极连接电阻R21和电源VCC，变压器T3的次级绕组一端连接连接电阻R16，电阻R16的另一端连接二极管D6的阳极、电阻R17和三极管Q10的基极，二极管D6的阴极连接三极管Q10的发射极和MOS管Q11 的栅极，三极管Q10的集电极连接二极管D7的阳极，二极管D7的阴极连接电容C15、二极管D9的阳极、MOS管Q11的源极和MOS管Q12的源极，电阻R17的另一端连接二极管 D8的阳极，二极管D8的阴极连接二极管D9的阴极，MOS管Q12的栅极连接二极管D11的阴极、二极管D10的阴极和三极管Q5的发射极，二极管D10的阳极连接电阻R18、电阻R19和三极管Q5的基极，变压器T3的初级绕组连接驱动信号A，电阻R18的另一端连接驱动信号B，三极管Q5的集电极连接二极管D11的阳极、电阻R19的另一端、电容C14、电容C6、电容C16、电阻R20、电容C18、高压钠灯和点火电路，电阻R21的另一端连接电阻R22，电阻R22的另一端连接电容C15、电阻R23和变压器T4的初级绕组，电阻R23 的另一端连接电阻R24，电阻R24的另一端连接电容C16和变压器T4的次级绕组，变压器 T4的初级绕组的另一端连接电容C17和高压钠灯的另一端，变压器T4的次级绕组的另一端连接点火电路。
电源VCC为额定电压为400V的直流电。
本实用新型的工作原理：采用驱动隔离变压器T3、PNP型三极管Q5、Q10及其相关电路组成的限幅电路，用来加速开关管放电，保证驱动输出正确脉冲，提高半桥输出可靠性，如图1所示。驱动信号1和驱动信号2为半桥输入信号源，T3隔离了输入信号源的干扰信号， R16、R17为驱动限流电阻，R17、R19为双向钳位电阻，D6、D7、D10为开关二极管，D8、D9、 D11为8.2V稳压二极管。当驱动信号1为高电平，经变压器、R16引入电流，使D6导通，从而驱动功率开关管Q11，过高的电流由R17、D8、D9进行钳位稳压，保护Q10不致损坏。驱动信号1为低电平时，Q11基级电位被Q10下拉，加速放电速度，确保了Q12导通时，Q11 已经截止。驱动信号2工作过程与之相似，不再累述。此电路能吸收电路中因异常原因产生的过高脉冲信号，有效控制MOSFET的通断，使工作在恶劣环境的半桥驱动电路功率输出稳定安全，从而确保HID灯稳定工作。