一种紧密型晶振的制作方法

本实用新型涉及电子领域，尤其涉及一种紧密型晶振。

背景技术：

晶振是石英晶体谐振器和石英晶体振荡器的统称，它是利用具有压电效应的石英晶体片制造的，其作用是产生原始的时钟频率，经过不同的频率发生器的放大或缩小后产生不同的总线频率。由于晶振具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点，被应用于手机、pad等消费类电子中。目前晶振的结构包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘，所述基座于导电上盖下设有容置腔，容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接，所述晶片设在所述容置腔内，晶片表面设有电极与其 中一个连接焊点连接，所述导电上盖焊接在基座上。其制造工艺是将陶瓷基座、晶片和导电上盖通过胶黏剂或者焊料按照生产制程连接在一起。但是导电上盖是导体，在跌落、滚筒等应力测试中，晶振整体变形导致晶片与上盖瞬间碰撞导致对地短路，从而导致手机时序混乱等不良现象；因此，需要寻找一种新的方案改善晶片变形与导电上盖短路的问题。虽然近年微机械机电系统 (MEMS)技术的发展，已经可以制造出微米甚至纳米级的机械电子器件。晶振片上的金属电极多用金、银或者银铝合金制成，金的价格高，但导电的性能好，而且金不溶于硫酸，容易回收利用，银或者银铝合金比金的导电性能差，而且溶于各种 酸，不适合再处理利用。

技术实现要素：

本实用新型的目的是解决上述问题，提供一种内部结构紧凑、电极稳定又可控性高的新型紧密型晶振。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种紧密型晶振，包括晶振本体，所述晶振本体包括导电上盖，所述导电上盖下放设有容置腔，所述导电上盖底面与所述容置腔之间设有预设位置，所述预设位置上涂有绝缘漆；所述容置腔内部设有振动晶体，所述容置腔下方对称设有正负极插塞，所述正负极插塞之间为激励板，所述激励板之间设有两组主控晶振，所述主控晶振下方为连接端，所述主控晶振与所述激励板之间通过所述连接端连接。

进一步的，所述晶振本体上表面和下表面分别为金材料和铜材料的合金制成，所述金材料在合金中所占的重量百分比为 35%~46%，所述铜材料在合金中所占的重量百分比为 54%~65%。

进一步的，所述晶振本体俯视外形结构为大致矩形，长边方向两侧的棱部和短边方向两侧的棱部分别经倒角加工，随着接近所述长边方向两侧和所述短边方向两侧各自的端部而逐渐变薄，且随着接近对角线方向的两个拐角部分而逐渐变薄，整体形成接近双凸透镜的剖面的加工形状。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述晶振本体封盖为硼硅酸钙玻璃片。

进一步的，所述主控晶振与激励板之间通过部分层间介质层相间隔。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述振动晶体为长方体。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述晶振本体的长边尺寸为2 .1mm以上且2.4mm以下，短边尺寸为1 .61mm以上且1 .75mm以下。

本实用新型的有益效果在于：

通过所述预设位置上的绝缘漆，使晶片与导电上盖绝缘，有效解决在跌落、滚筒等过程中，晶片与导电上盖碰撞导致对地短路，从而导致手机时序混乱等不良问题；采用了金铜合金作为晶振的电极，在保证导电性能的基础上，降低了生产的成本，提高资源的回收利用率；使用硼硅酸钙玻璃作为封盖的材料，相对其他品种的玻璃，折光率更高；其热膨胀系数更接近作为封止材料的低熔 点玻璃，结合更紧密，不易产生空气透入；可以在真空状态下先完成封盖，然后再进行精准的频率调整，产品最终性能更佳，良品率更高，制造成本更低；产品最终性能精良，可控性强。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型的俯视图。

具体实施方式

如图1-2所示的一种紧密型晶振，包括晶振本体1，所述晶振本体1包括导电上盖2，所述导电上盖2下放设有容置腔4，所述导电上盖2底面与所述容置腔4之间设有预设位置3，所述预设位置3上涂有绝缘漆，通过所述预设位置3上的绝缘漆，使晶片与导电上盖绝缘，有效解决在跌落、滚筒等过程中，晶片与导电上盖碰撞导致对地短路，从而导致手机时序混乱等不良问题。将合成水晶制成晶片；在晶片表面镀金属层，形成电极，并使金属层厚度达到预设范围；将已形成电极的晶片固定在基座的容置腔内，并固化晶片；调整晶片表面电极的厚度，使晶振的频率达到预设要求；在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化；对基座与导电上盖进行封焊。

上述所述在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化的步骤中，所述预设位置位于所述晶片上方，预设位置的面积小于容置腔的开口面积，且大于所述晶片的上表面面积。上述所述在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆，并对绝缘漆进行固化的步骤，具体为用点胶机对所述预设位置涂布绝缘漆。

上述所述将合成水晶制成晶片的步骤，包括：将合成水晶按预设切割角度切割成薄晶片；将所述薄晶片研磨至预设频率的对应厚度；将所述薄晶片切割成预设尺寸大小的晶片；去除晶片表面不光滑部分。上述所述去除晶片表面不光滑部分的步骤，具体为用化学蚀刻法去除晶片表面不光滑部分。

所述容置腔4内部设有振动晶体5，所述容置腔4下方对称设有正负极插塞6，所述正负极插塞6之间为激励板7，所述激励板7之间设有两组主控晶振8，所述主控晶振8下方为连接端9，所述主控晶振8与所述激励板7之间通过所述连接端9连接。

激励板7是用于形成电场诱发晶振中振动晶体的振动，因此激励板7可以是金属材料，还可以是其他导电材料，除上述实施例以外，还可以采用其他常规 CMOS 工艺。

进一步的，所述晶振本体1上表面和下表面分别为金材料和铜材料的合金制成，所述金材料在合金中所占的重量百分比为 35%~46%，所述铜材料在合金中所占的重量百分比为 54%~65%。

进一步的，所述晶振本体1俯视外形结构为大致矩形，长边方向两侧的棱部和短边方向两侧的棱部分别经倒角加工，随着接近所述长边方向两侧和所述短边方向两侧各自的端部而逐渐变薄，且随着接近对角线方向的两个拐角部分而逐渐变薄，整体形成接近双凸透镜的剖面的加工形状。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述晶振本体1封盖为硼硅酸钙玻璃片。

进一步的，所述主控晶振8与激励板7之间通过部分层间介质层相间隔。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述振动晶体5为长方体。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述晶振本体1的长边尺寸为2 .1mm以上且2.4mm以下，短边尺寸为1 .61mm以上且1 .75mm以下。

通过所述预设位置上的绝缘漆，使晶片与导电上盖绝缘，有效解决在跌落、滚筒等过程中，晶片与导电上盖碰撞导致对地短路，从而导致手机时序混乱等不良问题；采用了金铜合金作为晶振的电极，在保证导电性能的基础上，降低了生产的成本，提高资源的回收利用率；使用硼硅酸钙玻璃作为封盖的材料，相对其他品种的玻璃，折光率更高；其热膨胀系数更接近作为封止材料的低熔 点玻璃，结合更紧密，不易产生空气透入；可以在真空状态下先完成封盖，然后再进行精准的频率调整，产品最终性能更佳，良品率更高，制造成本更低；产品最终性能精良，可控性强。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。