一种SIM卡盖的防水结构的制作方法

技术特征：

1.一种SIM卡盖的防水结构，其特征在于，包括：

下壳，所述下壳呈立体结构，所述下壳的上表面镂空，且所述下壳的一侧面上设有一与所述上表面相邻的第一缺口，所述下壳在环绕所述第一缺口上设有第一导水槽；

上壳，所述上壳固定设置在所述下壳上，所述上壳上设有第二缺口，所述第二缺口与所述第一缺口相邻，所述上壳在环绕所述第二缺口上设有第二导水槽，所述第二导水槽与所述第一导水槽相连通；

SIM卡盖，所述SIM卡盖覆盖所述第一缺口和所述第二缺口，且与所述下壳和所述上壳固定连接。

2.根据权利要求1所述的SIM卡盖的防水结构，其特征在于，所述SIM卡盖包括立盖及与所述立盖相连的直盖，其中，所述立盖覆盖所述第一缺口，所述直盖覆盖所述第二缺口。

3.根据权利要求2所述的SIM卡盖的防水结构，其特征在于，所述直盖在远离所述立盖的端部上设有一卡钩部，所述卡钩部可卡持固定在所述上壳上。

4.根据权利要求2所述的SIM卡盖的防水结构，其特征在于，所述下壳呈长方体形，所述立盖与所述直盖垂直设置。

5.根据权利要求1所述的SIM卡盖的防水结构，其特征在于，所述第一导水槽的宽度一致。

6.根据权利要求5所述的SIM卡盖的防水结构，其特征在于，所述第二导水槽的宽度一致。

7.根据权利要求6所述的SIM卡盖的防水结构，其特征在于，所述第二导水槽的宽度与所述第一导水槽的宽度相等。